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福建省自然科学基金(2006J0032)
作品数:
2
被引量:5
H指数:2
相关作者:
翁晴
程树英
许淡清
于映
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MB-OFDM技术中FFT处理器的可测性设计
本论文在前端RTL级代码综合成门级网表的基础上,对应用于UWB无线通信的128点FFT处理器进行可测性(DFT)设计。利用DFT Compiler和TeraMAX工具分别实现了扫描链的综合及自动测试向量生成(ATPG),...
林晓玲
于映
关键词:
电子科学与技术
文献传递
H.264/AVC解码端帧内预测器的硬件设计与实现
本文根据H.264/AVC标准中帧内预测的特点,分析了帧内预测的所有预测模式。提出了一种适合的帧内预测硬件电路结构,有效地减少了电路面积,并提高了解码的性能。该帧内预测硬件电路,使用Verilog HDL硬件描述语言编写...
胡林锋
于映
关键词:
电子科学与技术
H.264
帧内预测
并行化
文献传递
MEMS开关中氮化硅薄膜工艺研究
被引量:2
2009年
分析了沉积薄膜厚度、PECVD的薄膜沉积温度、反应气体形成的杂质以及多层薄膜之间热应力匹配等因素对薄膜残余应力的影响.应用光刻分割聚酰亚胺(PI)牺牲层、分层生长氮化硅薄膜及快速热退火等工艺减小薄膜残余应力,成功生长出了合格的氮化硅薄膜.
许淡清
于映
关键词:
氮化硅
残余应力
MEMS开关
ZnS薄膜的电沉积及表征
被引量:3
2008年
利用恒电位电沉积技术实现在ITO导电玻璃上沉积ZnS薄膜,用X射线粉末衍射、扫描电镜、原子力显微镜和X射线光电子能谱对制得的薄膜进行了研究.实验表明,用该方法制得的薄膜样品的主要成分是α-ZnS,薄膜表面均匀、致密和平整,平均粗糙度为3.112nm,颗粒的粒径大约为50—100nm.该薄膜中Zn原子和S原子化合价分别为+2价和-2价,原子个数比接近于1:1,没有探测到单质元素(Zn或S)沉积.
翁晴
程树英
关键词:
ZNS薄膜
电沉积
XRD
SEM
AFM
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一种适用于流水线ADC的高性能采样/保持电路
介绍了一种利用双采样技术的高性能采样/保持电路结构,电路应用于10bits50MS/s流水线ADC设计中。电路结构主要包含了增益自举运算放大电路和栅压自举开关电路。增益自举运算放大电路给采样/保持电路带来较高的增益和带宽...
刘其艳
于映
关键词:
电子科学与技术
双采样
栅压自举开关
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