您的位置: 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(2011CB302005)

作品数:7 被引量:9H指数:2
相关作者:杜国同董鑫史志锋伍斌张宝林更多>>
相关机构:吉林大学大连理工大学中国科学院大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇ZNO
  • 2篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性质
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光性能
  • 1篇多层膜
  • 1篇氧化锌
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结器件
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇温度
  • 1篇溅射
  • 1篇发光
  • 1篇发光性
  • 1篇发光性能
  • 1篇NIO

机构

  • 4篇吉林大学
  • 2篇大连理工大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 3篇张宝林
  • 3篇伍斌
  • 3篇史志锋
  • 3篇董鑫
  • 3篇杜国同
  • 2篇夏晓川
  • 2篇张金香
  • 2篇蔡旭浦
  • 2篇王辉
  • 1篇张仕凯
  • 1篇申德振
  • 1篇姚斌
  • 1篇张源涛
  • 1篇刘雷
  • 1篇张振中
  • 1篇李炳辉
  • 1篇姜明明
  • 1篇王双鹏
  • 1篇王瑾
  • 1篇崔夕军

传媒

  • 4篇发光学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇Chines...
  • 1篇Chemic...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Ultraviolet emissions realized in ZnO via an avalanche multiplication process
2013年
Au/MgO/ZnO/MgO/Au structures have been designed and constructed in this study. Under a bias voltage, a carrier avalanche multiplication will occur via an impact ionization process in the MgO layer. The generated holes will be drifted into the ZnO layer, and recombine radiatively with the electrons in the ZnO layer. Thus obvious emissions at around 387 nm coming from the near-band-edge emission of ZnO will be observed. The reported results demonstrate the ultraviolet (UV) emission realized via a carrier multiplication process, and so may provide an alternative route to efficient UV emissions by bypassing the challenging p-type doping issue of ZnO.
于吉单崇新申赫张祥伟王双鹏申德振
Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响被引量:1
2012年
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得。通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析。测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显。其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.07×1020cm-3,可见光区平均透过率为75.3%。
张仕凯张宝林史志锋王辉夏晓川伍斌蔡旭浦高榕董鑫杜国同
关键词:射频磁控溅射退火温度
Properties of p-NiO/n-GaN Diodes Fabricated by Magnetron Sputtering
2012年
The p-NiO thin film is prepared by radio frequency magnetron sputtering on the n-GaN/sapphire substrate to form p-NiO/n-GaN heterojunction diodes.The structural,optical and electrical properties of the p-NiO thin film are investigated.The results indicate that the NiO film has good crystal qualities and stable p-type conductivities.The current-voltage measurement of the p-NiO/n-GaN diode exhibits typical rectifying behaviour with a turn-on voltage of about 2.2 V.Under forward bias,a prominent ultraviolet emission centered at 375 nm is observed at room temperature.Furthermore,the mechanism of the light emission is discussed in terms of the band diagrams of the heterojunction in detail.
WANG HuiZHANG Bao-LinWU Guo-GuangWU ChaoSHI Zhi-FengZHAO YangWANG JinMA YanDU Guo-TongDONG Xin
关键词:HETEROJUNCTIONSAPPHIRE
MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能被引量:2
2012年
采用光辅助金属有机化学汽相沉积(PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶As/n-SiC异质结器件。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性。电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0 V,反向击穿电压约为-13 V。正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合。
史志锋伍斌蔡旭浦张金香王辉王瑾夏晓川董鑫张宝林杜国同
关键词:电致发光
温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响被引量:3
2015年
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜。最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量。
崔夕军庄仕伟张金香史志锋伍斌董鑫张源涛张宝林杜国同
关键词:ZNOMOCVD成核
通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性被引量:3
2014年
使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到1016cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。
赵鹏程张振中姚斌李炳辉王双鹏姜明明赵东旭单崇新刘雷申德振
关键词:氧化锌P型掺杂
Studies on Growth of N-Polar InN Films by Pulsed Metal-organic Vapor Phase Epitaxy
2016年
We reported the growth of N-polar InN films on N-polar GaN/sapphire substrates by pulsed metal-organic vapor phase epitaxy. The crystalline quality, surface morphology, optical and electrical properties of N-polar InN films were investigated in details by varying the breaking time and trimethylindium(TMIn) duration of pulse cycle. It has been found that when the breaking time and the TMIn duration in each cycle remain at 30 and 60 s, respectively, the N-polar InN film obtained exhibits a better crystalline quality and greater optical properties. Meanwhile, the surface morphology and electrical properties of the N-polar InN films also greatly depend on the given growth conditions.
ZHAO BaijunHAN XuYANG FanDONG XinZHANG Yuantao
关键词:INN
共1页<1>
聚类工具0