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玻璃衬底沉积氮化硅薄膜性能研究被引量：3: 2009年; 为了改善玻璃衬底上制备的薄膜太阳电池的转换效率,采用高纯氮气作为等离子体气源,以质量分数为5%的SiH4(Ar稀释)作为前驱气源,利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜;利用各种测试设备分析了薄膜的成分、光学性能和表面形貌.结果表明:实验制备的非晶薄膜含氢量较低;薄膜的折射率随着衬底温度和微波功率的增加而增加.在衬底温度为350℃、微波功率为650W时,薄膜的折射率在2.0左右,平均粗糙度为1.45nm,还说明薄膜具有良好的光学性能和较高的表面质量.在此条件下,薄膜的沉积速率达到10.7nm/min,表明本实验能在较高的沉积速率下制备均匀、平整、优质的SiN薄膜.; 张广英吴爱民秦福文姜辛; 关键词：氮化硅减反射膜

ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜被引量：1: 2011年; 为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型（100）硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非晶相为主,局部分布有零星的网格状晶化相,随着温度的升高,晶化趋势增加,晶化相颗粒大小在5~8 nm;当H2流量在20~40 mL/min变化时,随着流量的增加,薄膜晶化相增多,纳米硅尺寸在5~10 nm,但H2流量超过30 mL/min后,随着H2流量的增加,薄膜晶化率下降,纳米硅颗粒减少.利用H等离子体原位刻蚀方法,可明显改善薄膜晶化效果,经原位刻蚀处理后纳米晶颗粒尺寸及分布比较均匀,颗粒大小在6 nm左右.; 胡娟吴爱民岳红云张学宇秦福文闻立时; 关键词：ECR-PECVD 太阳能电池纳米硅

ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究被引量：1: 2010年; 用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响。根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成。实验发现:衬底温度在250℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率。衬底温度提高到350℃后这种影响明显下降。薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助。; 张学宇吴爱民冯煜东胡娟岳红云闻立时; 关键词：ECR-PECVD 磷掺杂微晶硅薄膜

柔性衬底上铝背电极制备及相关特性研究被引量：1: 2011年; 采用射频磁控溅射技术在聚酰亚胺柔性衬底上制备硅基薄膜太阳能电池用铝背电极,研究了不同溅射功率和工作气压条件对铝电极薄膜性能的影响.利用原子力显微镜分析表征了薄膜的表面形貌和粗糙度,薄膜的电学性能和光学性能分别采用四探针测量仪和紫外可见近红外分光光度计进行分析表征.测试结果表明:随着溅射功率的增加,薄膜表面均方根粗糙度迅速增加,漫反射率提高,薄膜的最高平均漫反射率高达70%;同时薄膜电阻率降低.工作气压为0.5Pa时所制备的薄膜具有较低的电阻率和良好的漫反射率.综合考虑薄膜的电学性能与光学性能,薄膜的最佳制备条件为溅射功率300～450W、工作气压0.5Pa.; 岳红云吴爱民冯煜东胡娟张学宇李廷举; 关键词：薄膜太阳能电池柔性衬底背电极反射光谱

多晶硅薄膜等离子体增强化学气相沉积低温制备工艺: 2007年; 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.; 邓婉婷吴爱民张广英秦富文董闯姜辛; 关键词：多晶硅薄膜

升级冶金级Si衬底上ECR-PECVD沉积多晶Si薄膜: 2008年; 成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜。研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及显微组织结构进行了表征。发现在恒定气压下,结晶质量随流量比增大先变好后变差,即存在最佳流量比,0.16Pa对应10∶5,而0.4 Pa对应10∶6.8。; 崔洪涛吴爱民秦福文谭毅闻立时姜辛; 关键词：硅衬底多晶硅薄膜

ECR-PECVD法低温制备微晶硅薄膜及其结构研究: 微晶硅薄膜电池几乎没有光致衰退效应,且具有好的长波响应特性,因此微晶硅薄膜材料的研究成为热门课题。本文的研究目的就是采用微波电子回旋共振等离子体加强化学气相沉积的方法以廉价玻璃为衬底低温下制备微晶硅薄膜。实验分两组进行,...; 岳红云吴爱民张学宇胡娟李廷举; 文献传递

氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌被引量：1: 2009年; 采用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积（ECR—PECVD）技术，以氮气为等离子体气源，5％硅烷（Ar稀释）为前驱气体，在玻璃衬底上低温制备了氮化硅薄膜。利用偏振光椭圆率测量仪、原子力显微镜（AFM）等测试技术分析探讨了硅烷流量（5～50cm^3）、沉积温度（150～350℃）以及微波功率（500～650W）等对SiN薄膜沉积速率及表面形貌的影响。结果表明：沉积速率随着硅烷流量和微波功率的增加而增加（最高达到11．07nm／min），随着衬底温度的增加而降低，在温度为350℃时降低到2．44nm／min。薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低，粗糙度最低为0．89nm，说明薄膜的表面质量较高。; 张广英吴爱民秦福文公发全姜辛; 关键词：氮化硅薄膜沉积速率表面形貌

ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜: 太阳能电池是利用光生伏特效应,直接将太阳能转换成电能的光电器件。太阳能电池的研究已经有相当长的历史,提高太阳电池的光伏转换效率,降低制作成本是这一领域永恒的主题,也是有关科研工作者共同努力的方向。太阳能光伏电池的研发经历...; 胡娟吴爱民岳红云张学宇闻立时; 关键词：ECR-PECVD 太阳能电池; 文献传递

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教育部留学回国人员科研启动基金(200611AA03)