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国家自然科学基金(8251063101000-007)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关机构：华南师范大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇蓝光
  • 1篇反对称
  • 1篇ALGAN
  • 1篇GAN
  • 1篇波长
  • 1篇N-

机构

  • 1篇华南师范大学

作者

  • 1篇郑树文
  • 1篇范广涵
  • 1篇闫其昂
  • 1篇石培培
  • 1篇章勇
  • 1篇李述体
  • 1篇牛巧利
  • 1篇严启荣

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
反对称n-AlGaN层对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响
2012年
采用数值分析方法对在InGaN/GaN混合多量子阱活性层和n-GaN之间引入n-A1GaN层的GaN基双蓝光波长发光二极管进行模拟分析.结果发现,与传统的具有p-A1GaN电子阻挡层的双蓝光波长发光二极管相比,这种反对称n-A1GaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减.此外,通过改变A1组分可以提高双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当A1组分为0.16时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流下比较稳定,而A1组分为0.12时,光谱在大电流下比较稳定.
严启荣章勇闫其昂石培培郑树文牛巧利李述体范广涵
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