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溶液PH值对CdS薄膜结构特性的影响被引量：2: 2013年; 采用化学水浴沉积(CBD)工艺在玻璃衬底上制备CdS薄膜,研究溶液PH值对CdS薄膜结构特性的影响。薄膜的厚度、组份、晶相结构和表观形貌分别由台阶仪、X射线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)来表征。溶液的PH值为11.26、11.37和11.48时,CdS薄膜的晶相以六方相为主,薄膜的厚度先增大后减小;PH值为11.62、11.66时,薄膜的晶相以立方相为主,薄膜的厚度进一步减小。同时,随着溶液PH值增大,CdS薄膜的晶格常数也逐渐增大。两种晶相的CdS薄膜缓冲层与CIGS薄膜分别构成异质对形成异质结时的晶格失配分别为32.297%和1.419%,界面态密度分别为2.792×1014和8.507×1012,因此高效CIGS薄膜太阳电池更需要立方相的CdS薄膜。; 郭伟薛玉明顾勇冯少君张红岭孙云; 关键词：CIGS CDS 结构特性

衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜结构特性的影响: 2012年; 本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.; 王金飞薛玉明祝俊刚周凯谭炳尧张衷维李石亮裴涛汪子涵王一牛伟凯姜舒博杨醒蓝英杰; 关键词：MOCVD 太阳电池衬底温度

相干光正交频分复用系统定时同步的改进算法被引量：10: 2010年; 分析了当前相干光正交频分复用(CO-OFDM)系统中Schmidl&Cox经典算法在光纤信道的定时同步,针对其产生平波现象和对光纤色散(CD)的缺点,提出了改进算法,并通过MATLAB在光纤信道中对两种算法进行了仿真,结果表明,在光纤信道下,改进方法的性能有远优于经典算法,因此改进方法更适合于光纤信道。; 谢小芳童峥嵘万人玮杨秀峰薛玉明

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变被引量：5: 2008年; 采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜。薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征。在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)。在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8。对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论。; 薛玉明徐传明张力孙云王伟杨保和

沉积预制层衬底温度对CIGS薄膜结构特性的影响被引量：1: 2013年; 采用三步共蒸发工艺在玻璃衬底上制备CIGS薄膜,研究沉积预制层的衬底温度对CIGS薄膜结构特性的影响。薄膜的厚度、组份、晶相结构、表观形貌和电学特性分别由台阶仪、X射线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和霍耳效应测量仪来表征。沉积预制层的衬底温度较低(如300℃和360℃)时,预制层中Ga含量较低,容易形成In2Se3相;而衬底温度较高(如400℃)时,预制层中Ga含量较高,容易形成(In,Ga)2Se3相;原因是Ga2Se3的形成焓(-462.4kJ/mol)比In2Se3的(-360kJ/mol)低,没有In2Se3稳定;In2Se3相比Ga2Se3相更容易稳定存在,尤其是在低温下;当温度较高时,Ga2Se3相也容易存在,与In2Se3一起形成(In,Ga)2Se3固溶体。而且,衬底温度较高(如400℃)时,沉积的CIGS薄膜中的Ga含量比其它两种衬底温度下沉积的薄膜都高,薄膜粗糙度较小,迁移率和载流子浓度都比较大,电阻率较小。; 郭伟薛玉明张晓峰冯少君张连连孙云; 关键词：CIGS 衬底温度结构特性

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天津市教委基金(20060607)