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PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2: 2016年; 研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。; 陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏; 关键词：氮化铝生长速率结晶化沉积温度

过渡金属二硫化物拉曼散射在免疫检测中的应用被引量：6: 2018年; 为了利用可见光激发下半导体拉曼散射信号实现生物检测,以窄带隙的MoS_2材料构建了拉曼免疫标记探针,用于实现对人IgG分子的高特异性识别。首先,运用液相剥离法分别获得了MoS_2和WS_2微米材料,以加热陈化处理分析了温度对532nm激发下样品拉曼散射信号强度的影响。之后借助3-巯基丙酸修饰向MoS_2材料表面引入羧基,进而获得了可用于免疫检测的拉曼探针。最后,以"抗体-待测物-抗体"的三层结构分析了基于MoS_2拉曼散射的免疫检测性能。实验发现适当温度下加热陈化处理可增强过渡金属二硫化物的拉曼散射强度(70℃下最优)。多组对照实验结果表明,免疫检测生物芯片的拉曼信号强度随人IgG浓度的升高而升高,最终趋于饱和,最低浓度的检测限达到1fM,实现了可见光激发下利用半导体拉曼散射信号对目标分子的高灵敏度、高特异性免疫检测。; 楚学影沙雪徐铭泽李金华金芳军; 关键词：生物检测拉曼散射温度免疫球蛋白

柔性衬底上ALD法低温制备的ZnO薄膜的光学和电学特性(英文)被引量：2: 2012年; 以二乙基锌和水分别作为金属前驱体和反应物,利用原子层沉积方法(ALD)在柔性衬底上生长ZnO薄膜,讨论了生长温度对薄膜特性的影响。用AFM、XRD和HALL等对薄膜的表面形貌、晶体结构和电学性质进行表征,并且用PL光谱表征了其光学特性。实验结果表明,随着生长温度(低温下)的升高,薄膜的晶体质量和光学特性得到改善。当生长温度为170℃时,薄膜呈现良好的c轴择优取向,且具有较高的电子浓度(5.62×1019cm-3)和电子迁移率(28.2 cm2·V-1·s-1)。; 李晓妮方芳方铉陈新颖魏志鹏李金华楚学影王晓华; 关键词：ZNO ALD 生长温度柔性衬底

扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1: 2015年; 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。; 陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏; 关键词：P型ZNO 原子层沉积光致发光

表面修饰的ZnS：Mn量子点的发光性质及其对生物分子的检测被引量：7: 2013年; 采用水热法制备了ZnS:Mn量子点,探讨了掺杂离子浓度对ZnS:Mn量子点的晶体结构和发光性质的影响。通过荧光光谱对样品进行表征。结果表明:掺杂离子的摩尔分数达到2%时,ZnS:Mn量子点在595 nm附近的发光最强;继续增加掺杂浓度反而出现荧光猝灭的现象。本文还研究了表面修饰对量子点形貌和发光性质的影响。通过透射电子显微镜(TEM)观察样品的形貌,发现经过3-巯基丙酸(MPA)修饰后的样品表面团聚现象得到改善,并且尺寸单一、单分散性较好,平均粒径约为5 nm。经过修饰后的样品减少了表面非辐射性缺陷中心,使掺杂Mn2+所引起的595 nm附近的发射峰强度增大。将MPA修饰后的ZnS:Mn量子点与牛血清白蛋白(BSA)分子进行生物偶联,并利用BCA法对偶联上的蛋白含量进行定量检测,结果显示经过修饰后的量子点偶联蛋白的能力更强。; 杜鸿延魏志鹏李霜楚学影方铉方芳李金华陈新影王晓华; 关键词：ZNS MN 表面修饰发光

一价Cu掺杂ZnS纳米晶光学性质影响因素分析: 2015年; 利用亚硫酸钠作为还原剂对二价Cu离子的还原制备了一价Cu离子掺杂的ZnS纳米晶。透射电子显微镜观察结果表明所制备的样品的尺寸约为2.7nm,而X射线衍射的结果证明其为立方闪锌矿结构。利用紫外可见吸收光谱和荧光光谱对样品的光学性质进行表征,发现随着Cu离子掺杂浓度的增加,ZnS∶Cu纳米晶的吸收边及紫外光激发下的荧光发射峰均发生了红移现象,且Cu离子浓度越高红移越显著。还原剂量调整的对照试验表明,还原剂过量将导致ZnS∶Cu纳米晶发光峰位的进一步红移。; 王欣浓楚学影姚丹李金华王晓华; 关键词：ZNS 掺杂荧光光谱

Investigation of europium(Ⅲ)-doped ZnS for immunoassay: 2018年; Biofunctional europium（Ⅲ）-doped ZnS（ZnS：Eu） nanocrystals are prepared by a sol–gel method. The characteristic luminescence of ZnS：Eu is used as a probe signal to realize sensitive immunoassay. The luminescence intensity of the Eu^（3＋） in the ZnS matrix shows strong concentration dependence, and the optimal doping concentration is 4%. However,the emission wavelengths of the ZnS：Eu nanocrystals are not dependent on doping concentration nor the temperature（from 100 K to 300 K）. Our results show that these features allow for reliable immunoassay. Human immunoglobulin, used as a target analyte, is captured by antibody modified ZnS：Eu probe and is finally enriched on gold substrate for detection.High specificity of the assay is demonstrated by control experiments. The linear detection range is 10 nM –800 nM, and the detection limit is about 9.6 nM.; 朱超凡沙雪楚学影李金华徐铭泽金芳军徐志堃

表面修饰对ZnS基纳米材料光学性质的影响被引量：1: 2016年; 针对表面态对Zn S基纳米材料发光影响问题,采用溶胶法制备Zn S及Zn S∶Mn量子点,并以多种修饰剂对样品进行表面处理。发现以巯基丙酸修饰可同时增强Zn S的缺陷发光和Mn离子相关的橙色荧光;以聚乙二醇修饰同样可增强Zn S缺陷发光,但会导致581nm处的Mn离子相关的橙色荧光强度下降;以叶酸修饰的量子点的荧光强度及峰位均发生了变化。通过对照实验分析了表面修饰后Zn S及Zn S∶Mn纳米材料发光性质变化的原因。; 翟英歌楚学影胡继哲李金华王晓华; 关键词：表面修饰 ZNS 荧光

MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究被引量：1: 2014年; 采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火温度下薄膜的晶体结构、光学和电学性质进行表征分析,并研究退火温度对其影响。测试结果表明:所制备的薄膜样品均具有良好的c轴(c-axis)取向并呈现出六角纤锌矿结构。Mg组分的增加使得ZnO基薄膜的光学带隙逐渐增大,PL发光谱和吸收光谱的谱线出现了明显的蓝移现象,但薄膜的电学特性有所降低。而在MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的薄膜样品中,Au夹层的存在使薄膜的光学性质变差,在紫外区域透光率约为60%。但薄膜的电学性质得到明显改善,相比MgxZn1-xO薄膜,其电阻率和迁移率显著提高。此外通过高温退火处理可以有效提高所制备薄膜的晶体质量,进一步提高样品电学特性,其中经过500℃退火后的薄膜迁移率达到了40.9cm2·Vs-1,电阻率为0.005 7Ω·cm。但随着退火温度的进一步升高,薄膜晶体尺寸从25.1nm增大到32.4nm,从而降低了该薄膜的迁移率。因此该夹层结构的MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO薄膜对于促进ZnO基透明导电薄膜在深紫外光学器件中的应用有重要作用。; 吕珊珊方铉王佳琦方芳赵海峰楚学影李金华房丹唐吉龙魏志鹏马晓辉王晓华浦双双徐莉; 关键词：溶胶-凝胶退火温度

SiO_2包覆对ZnS纳米材料发光的增强机制被引量：1: 2014年; 为了明确团聚现象及表面性质对Zn S纳米材料发光性质的影响,采用Si O2对Zn S材料进行了表面修饰,并对Zn S及Zn S/Si O2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异,发现Si O2包覆后Zn S纳米材料的带边由333 nm红移至360 nm。为了研究Zn S纳米材料与Zn S/Si O2纳米复合材料的光发射性质,分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明,Si O2包覆后Zn S纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示Zn S/Si O2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17.5倍,但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1.1倍,这种增强可用Si O2的存在抑制了Zn S纳米粒子间的团聚来解释,且这一推断由325 nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。; 赵健楚学影李金华方铉王晓华; 关键词：发光荧光增强

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