国家自然科学基金(50771082)
- 作品数：9 被引量：30H指数：4
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- 掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究被引量：4
- 2008年
- 运用第一性原理研究了掺硼碳纳米管(BCNT)顶端吸附水分子后的电子场发射性能.结果表明:掺B及吸附H2O的碳纳米管(BCNT+H2O)端部形成电子聚集的原子尺度微区,其电子态密度(DOS)在费米能级(Ef)附近有很大提高.根据计算的电子DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分布等可知BCNT+H2O比CNT+H2O有更好的场发射性能.
- 陈国栋王六定张教强曹得财安博丁富才梁锦奎
- 关键词：密度泛函理论
- 碳纳米锥电子场发射的第一性原理研究被引量：5
- 2009年
- 运用第一性原理研究了不同锥角和结构的碳纳米锥(CNC)电子场发射性能.结果表明:随外电场(Eadd)增强,CNC电子结构变化显著,费米能级(Ef)处态密度(DOS)明显增大;赝能隙减小;体系电荷移向尖端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析表明:CNC的电子场发射性能除依赖于尖端结构外,很大程度上还取决于锥角大小,特别顶层6个原子的CNC3和CNC4场发射性能更优.
- 王六定陈国栋张教强杨敏王益军安博
- 关键词：第一性原理
- 锥顶碳纳米管的结构稳定性与场致发射性能被引量：2
- 2011年
- 运用密度泛函理论研究了锥顶碳纳米管的结构稳定性与电子场致发射性能.结果表明:在外电场作用下,该体系的结构稳定性明显优于碳纳米锥体、C30半球封口的碳纳米管,且电子发射性能与锥角大小、锥顶构型密切相关,特别是锥角38.9°及棱脊型顶部的cone1@(6,6)综合性能最优,用其作为场致发射源的阴极时可显著提高发射电流密度并延长器件的使用寿命.
- 王益军王六定杨敏严诚王小冬席彩萍李昭宁
- 关键词：密度泛函理论
- 氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究被引量：1
- 2009年
- 对闭口碳纳米管(CNT)顶端分层掺氮及吸附不同数目水分子体系,运用第一性原理研究了有电场存在时的电子场发射性能.结果表明:掺氮并吸附水分子的CNT结构稳定;外电场愈强、水分子数愈多,体系态密度(DOS)向低能端移动幅度愈大且最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子空轨道(LUMO)能隙愈小.吸附能,DOS/LDOS,HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明,第三层氮掺杂CNT吸附不同数目水分子体系的场发射性能最佳.
- 陈国栋王六定安博杨敏曹得财刘光清
- 关键词：氮掺杂密度泛函理论
- 碳纳米管场增强因子计算模型的研究被引量：2
- 2008年
- 场增强因子(β)是评价碳纳米管场发射性能的重要参数之一。本文介绍了几种计算β的模型,分析了各种因素对β的影响。通过对所得β表达式进行比较,总结了不同模型中影响场增强因子的主要因素。
- 安博王六定施易军陈景东
- 关键词：碳纳米管
- AerMet100钢有效晶粒细化与逆转变奥氏体稳定性的提高被引量：6
- 2010年
- 对二次硬化超高强度AerMet 100钢,通过引入预时效并优化双时效(即预时效+正常时效)工艺,膜状逆转变奥氏体(AR)中合金元素Ni、Co含量的起伏有利于提高其稳定性并降低Ms温度。高分辨透射电子显微镜(HRTEM)与扫描电子显微镜(SEM)分析表明:膜状AR在原奥氏体晶粒及马氏体铁素体(MF)板条边界形成,其间同时存在的K-S和N-W位向关系使有效晶粒由原奥氏体晶粒减小为MF板条(其厚度约80 nm);试样断面大而深的韧窝及高的撕裂棱反映出裂纹尖端钝化和分岔会吸收大量能量,在抗拉强度(σb)>2000 MPa条件下断裂韧度(KIC=127 MPa.m1/2)提高20%。
- 梁锦奎王六定李志王佰民丁富才
- 关键词：逆转变奥氏体断裂韧度稳定性
- 碳掺杂硼氮纳米管电子场发射的第一性原理研究被引量：6
- 2009年
- 对闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系,运用第一性原理研究了电子场发射性能.结果表明,掺碳的BNNT体系电子结构变化显著;外电场愈强,体系态密度向低能端移动幅度愈大,且最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙愈小.体系态密度和局域态密度,HOMO和LUMO及其能隙分析一致表明,各种碳掺杂体系中CeqBNNT的场发射性能最佳.
- 陈国栋王六定安博杨敏
- 关键词：硼氮纳米管碳掺杂第一性原理
- 分层掺B和吸附H_2O碳纳米管的结构稳定性及电子场发射性能被引量：4
- 2010年
- 运用基于第一性原理的密度泛函理论,系统研究了处于外电场中分层掺B并吸附不同数目H2O碳纳米管体系的结构稳定性和电子场发射性能.研究表明:第3层掺B并吸附5个H2O的B3CNT+5H2O体系结构最稳定,管帽处Mulliken电荷最密集,尤其与单独掺B的B3CNT和单独吸附H2O的B3CNT+5H2O相比,其Fermi能级处态密度分别增加20%和33%,故前者具有优异的电子场发射性能.
- 王益军王六定杨敏刘光清严诚
- 关键词：碳纳米管B掺杂
- 碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究被引量：5
- 2009年
- 运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系(C@BNNT)的电子场发射性能.结果表明:随外电场增强,C@BNNT电子结构变化显著,态密度(DOS)向低能方向移动;碳原子的局域态密度(LDOS)在费米能级附近明显增大;赝能隙、最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减小;体系电荷移向帽端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明,与BNNT相比,C@BNNT电子场发射性能显著改善,且C@BNmoreNT性能更优.
- 杨敏王六定陈国栋安博王益军刘光清
- 关键词：碳掺杂硼氮纳米管第一性原理
