国家自然科学基金(50402026)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
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- Al_2O_3对应变SiGe上HfO_2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响(英文)
- 2011年
- 研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃温度下退火后仍然是非晶的。散能 X 射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了 Si 原子在 HfO2薄膜中的扩散。X 射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处 HfSiO 和 GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的 MIS 电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。
- 徐大朋万里程新红何大伟宋朝瑞俞跃辉沈达身
- 关键词：HFO2AL2O3
- 高性能HfAlO介质薄膜的制备(英文)被引量：2
- 2006年
- 利用超高真空电子束蒸发法制备了可替代 SiO2作为栅介质的 HfAlO 膜。薄膜的化学组成为(HfO2)(Al2O3)2,900℃退火处理后仍然呈现非晶状态,而且表面平滑。介电常数为 12.7,等效氧化物厚度 2 nm,固定电荷密度 4×1012cm-2,2 V 栅偏压下漏电流为 0.04 m A/cm2。后退火处理能有效降低固定电荷密度和泄漏电流密度,但会造成界面 SiO2的生长。
- 程新红宋朝瑞俞跃辉
- 关键词：电子束蒸发
- 氮元素对高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的影响研究被引量：2
- 2007年
- 本文采用MIS电容结构,结合10keVX射线辐照试验,研究了HfON和HfO2介电薄膜的总剂量抗辐射性能。研究结果表明,在0—30kGy(Si)的辐照总剂量下,以HfON薄膜为绝缘层的MIS结构的平带电压漂移均远低于HfO2MIS电容结构。从微观角度探讨了氮元素对改进高k铪基介电薄膜总剂量抗辐射性能的作用机理。
- 宋朝瑞程新红张恩霞邢玉梅俞跃辉郑志宏沈勤我张正选王曦
- 关键词：总剂量辐射陷阱电荷
- 具有Al_2O_3阻挡层的HfO_2栅介质膜的界面和电学性能的表征(英文)被引量：2
- 2009年
- 研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明,退火后,界面层中的SiOx转化为化学当量的SiO2,而且未发现铪基硅酸盐和铪基酸化物。由电学测试提取出等效栅氧厚度为2.5nm,固定电荷密度为–4.5×1011/cm2。发现Al2O3阻挡层能有效地阻止Si原子扩散进入HfO2薄膜,进而改善HfO2栅介质膜的界面和电学性能。
- 程新红何大伟宋朝瑞俞跃辉沈达身
- 关键词：栅介质HFO2阻挡层AL2O3
