国家自然科学基金(60176031)
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
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- 硅基垂直腔面光发射器件的研制
- 2005年
- 为了实现与现有集成电路工艺兼容的全硅基发光器件,提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅(或非晶氮化硅)/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为分布式Bragg反射器(DBR),以夹在上下两个Bragg反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响。最后研制出光致红光发射器件和电致蓝绿光发射器件,并给出了它们的光致和电致发光谱。结果显示了在光致和电致激发下非晶碳化硅的发光和DBR对光谱的限制增强作用。
- 姚永昭岳瑞峰刘理天
- 关键词：微电子学PECVD
- 硅基垂直腔面光发射器件的设计与实现
- 2004年
- 提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响。根据设计制作了光致红光发射器件并测量分析了它的光致发光谱。
- 姚永昭岳瑞峰刘理天
- 关键词：布拉格反射器
- a-SiC_x:Hp-i结的电致发光
- 2006年
- 在以ITO薄膜为正极的透明导电玻璃上,利用PECVD方法进行B掺杂制备出具有p-i结的a-SiCx:H薄膜,然后在其上溅Al作为负电极形成“三明治”器件结构,并对它的I-V特性和发光特性进行了研究。结果表明,器件具有整流效应,正反向电压分别为8 V和12 V;在正向电压高于8 V时,观测到了电致发光。最后,根据我们提出的能带模型很好地解释了实验结果。
- 岳瑞峰姚永昭刘理天
- 关键词：PECVD电致发光
- 垂直腔体表面光发射器件的模拟与实践
- 2002年
- 设计了一种新型的垂直腔体表面光发射器件,并模拟了布拉格反射镜的反射谱以及薄膜厚度误差对镜反射谱的影响。模拟结果从理论上证实了PECVD方法能够满足制备垂直腔体表面光发射器件所要求的工艺条件,实验中用PECVD工艺制备出了性能良好的器件。
- 但亚平岳瑞峰王燕刘理天
- 关键词：PECVD反射谱
- 硅基法布里-珀罗微腔的室温发光被引量：2
- 2003年
- 提出了一种新型基于法布里 -珀罗 (F- P)微腔的发光器件结构 .它采用 PECVD方法制备的非晶硅 /二氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射腔 ,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层 ,通过对一维方向光子的限制 ,使发光层荧光强度增强 ,谱线变窄 .通过调节发光层和反射腔膜厚及折射率 ,可以精确控制发光峰位 .实验结果证明该结构可望实现全硅基材料的强室温可见光发射 .
- 王燕但亚平岳瑞峰刘理天
- 关键词：硅基碳化硅光致发光多孔硅
- 室温发光硅基法布里—珀罗微腔的结构设计
- 2002年
- 提出了一种新型法布里—珀罗(F—P)微腔结构。它采用PECVD方法制备的硅/氮氧化硅结构作为微腔中的布拉格反射器,非晶碳化硅薄膜作为中间光发射层,通过对一维方向光子的限制,使发光层荧光强度增强,谱线变窄。通过调节发光层和反射器膜厚及折射率,可以精确控制发光峰位。因此,该结构可望实现全硅基材料的强室温蓝光发射。
- 王燕岳瑞峰但亚平刘理天
- 关键词：碳化硅光致发光
- 基于PECVD工艺的a-SiC_x∶H发光微腔的研究
- 2004年
- 以 PECVD为制备工艺 ,a-Si O2 ∶ H/a-Si∶ H为布拉格反射镜多层膜 ,a-Si Cx∶ H为中间腔体发光材料 ,制备垂直腔面的发光微腔。文章通过模拟确定了微腔的多层膜层数和排列顺序 ,并对微腔的发光特性进行了反射谱和荧光谱研究。结果表明 ,该微腔性能良好 ,能激射出半高宽为 9nm、波长为 743 nm的荧光峰 ,与设计值70 0 nm基本吻合。
- 但亚平姚永昭王燕岳瑞峰刘理天
- 关键词：布拉格反射镜
- 硅基垂直腔面光发射器件的设计与实现
- 提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为布拉格反射器(DBR),以夹在上下两个布拉格反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通...
- 姚永昭岳瑞峰刘理天
- 关键词：布拉格反射器
- 文献传递
