黑龙江省教育厅科学技术研究项目(11511091)
- 作品数：4 被引量：19H指数：3
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 溅射法制备ZnO薄膜结构及光学特性被引量：4
- 2008年
- 采用直流磁控溅射镀膜工艺在玻璃基片上沉积了具有良好c轴择优取向的ZnO薄膜。用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率均在85%以上;用XRD分析了退火前后薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌。样品通过空气中退火,薄膜结晶质量明显提高,晶粒有所长大,取向更加一致。在室温下用荧光分光光度计分析了薄膜的发光特性,观测到明显的紫外光发射(波长为386 nm)和波峰为528 nm的一"绿带"宽峰。紫外发射是由于导带和价带之间的电子跃迁,宽峰是源于晶体的缺陷。
- 桂太龙张秀芳汪钢梁栋
- 关键词：ZNO薄膜透光率光致发光
- 磁控溅射法制备ITO薄膜的结构及光电性能被引量：5
- 2009年
- 本文采用直流磁控溅射法在基板温度100℃、100%Ar气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜。利用XRD、AFM、SEM、多功能光栅光谱仪和四探针电阻测试仪对薄膜的结构、表面形貌、透光率和方阻进行了测定和分析,研究了溅射功率对薄膜透光率的影响。结果表明:ITO薄膜的方阻随溅射功率的增加而下降;经过热处理,ITO薄膜可见光透光率从60.4%增加到88.3%;ITO薄膜在360 nm到380 nm的紫光区域透光率最低,760 nm到800nm的红光区域透光率达到最高。
- 桂太龙汪钢张秀芳梁栋
- 关键词：ITO薄膜直流磁控溅射透光率光电性能
- 真空蒸镀ITO薄膜退火特性分析被引量：2
- 2008年
- 采用真空蒸发镀膜工艺制备了ITO透明导电薄膜,以四探针表面电阻仪测量得薄膜方块电阻为400Ω,用组合式多功能光栅光谱仪测得透光率为80%,利用扫描电镜测得膜厚为103 nm.用XRD分析了薄膜的物相,并用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌及粗糙度.对薄膜进行退火处理,结果表明,随着热处理温度的升高,晶化趋于完整,组织结构逐渐均匀致密,晶粒有所长大.随退火时间的增加,透光率增加,但方块电阻先减小后增加.
- 许晶桂太龙梁丽超王玥
- 关键词：铟锡氧化物方阻透光率
- 掺杂Sb对Sn-Ag-Cu焊料性能的影响被引量：8
- 2007年
- 在Sn-3.0Ag-0.5Cu系焊料中分别掺杂不同比例的Sb(锑),制备了无铅焊料合金.用DSC差示扫描量热仪测试熔点,用扫描电子显微镜对其显微组织进行分析,并对其导电性,润湿性等进行测试.实验结果表明,一定比例掺杂的Sn-Ag-Cu-Sb焊料,比未掺杂时,熔点下降不明显,但其显微组织结构更细化,导电性、润湿性有明显提高.
- 梁丽超桂太龙许晶殷景华王玥
- 关键词：无铅焊料SB导电性润湿性
