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霍英东教育基金(101052)
作品数:
1
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基于共振隧穿二极管的应力检测方法
被引量:1
2008年
共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着应力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RTD的应力检测方法.在讨论频率-应力检测法的基础上提出了一种新颖的应力检测方法——惠斯通RTD电桥检测法.测试结果表明,基于惠斯通RTD电桥检测法得到的压阻灵敏度随偏置电压可调,可调范围达到三个数量级.
熊继军
毛海央
张文栋
薛晨阳
关键词:
共振隧穿二极管
振荡频率
I-V特性
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