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国家自然科学基金(60276043)

作品数：9 被引量：21H指数：3
相关作者：冯伯儒张锦刘娟郭永康刘明更多>>
相关机构：中国科学院四川大学中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程理学更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇光刻
  • 5篇干涉光刻
  • 3篇掩模
  • 3篇激光
  • 3篇光刻技术
  • 3篇光束
  • 2篇无掩模
  • 2篇激光干涉
  • 2篇激光干涉光刻
  • 1篇多光束干涉
  • 1篇衰减相移掩模
  • 1篇投影光刻
  • 1篇偏置
  • 1篇频域
  • 1篇频域分析
  • 1篇微光刻
  • 1篇微细
  • 1篇微细加工
  • 1篇相干
  • 1篇相移

机构

  • 9篇中国科学院
  • 3篇四川大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 9篇张锦
  • 9篇冯伯儒
  • 7篇刘娟
  • 3篇郭永康
  • 1篇陈宝钦
  • 1篇宗德蓉
  • 1篇刘明

传媒

  • 6篇光电工程
  • 2篇应用激光
  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 3篇2004
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术被引量：1
2006年
成像干涉光刻技术(IIL)具有干涉光刻技术(IL)的高分辨力和光学光刻技术(OL)产生任意形状集成电路特征图形的能力。在IIL中,按掩模图形的不同空间频率成份分区曝光,并使其在抗蚀剂基片上非相干叠加,得到高分辨抗蚀剂图形。本文在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和分辨力,并减小因调焦误差引起的图形横向位移误差,有利于改善抗蚀剂图形质量。
冯伯儒张锦刘娟
关键词：光学光刻干涉光刻
成像干涉光刻技术与离轴照明光刻技术的对比分析被引量：6
2005年
作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(IIL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对IIL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,IIL相对于OAI可更好地分辨细微特征.
刘娟张锦冯伯儒
关键词：光刻技术
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模技术被引量：1
2004年
用于100nm节点ArF准分子激光光刻的相移掩模(PSM)技术主要有无铬相移掩模(CPM),交替相移掩模(APSM)、衰减相移掩模(AttPSM)和混合相移掩模技术。对这些掩模的基本原理、制作方法及性能比较进行了分析研究。研究表明,无铬相位光刻(CPL)PSM和高透AttPSM 相结合构成的混合掩模最适合用于193nmArF光刻,以产生100nm节点抗蚀剂图形。
冯伯儒张锦宗德蓉刘娟陈宝钦刘明
关键词：相移掩模衰减相移掩模
采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术被引量：3
2005年
光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。
冯伯儒张锦刘娟
关键词：激光干涉光刻光刻技术微细加工
用相干激光束曝光孔点阵列图形的几种方法
2005年
将涂有光致抗蚀剂的硅片或其它光敏材料置于由多束相干光以某种方式组合构成的干涉场中,可以在大视场和深曝光场内形成孔、点或锥阵周期图形,光学系统简单廉价,不需掩模和高精度大NA光刻物镜,采用现行抗蚀剂工艺。文中介绍的双光束双曝光法得到的阵列图形周期d的极限为dm i n=λ/2,四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍,三光束单曝光得到2/3 d周期的图形,并且图形不受基片在曝光场中位置的影响,适合大面积尺寸器件中周期图形的制作,而三光束双曝光和五光束曝光的结果是周期为2d的阵列图形,并且沿光轴方向光场随空间位置也作周期变化,适合在大纵深尺寸范围内调制物体结构。
张锦冯伯儒郭永康刘娟
关键词：激光干涉光刻无掩模光刻技术
成像干涉光刻技术及其频域分析被引量：5
2004年
传统光学光刻技术(OL)由于其固有的限制,虽然可对任意图形成像,但分辨力较低。无掩模激光干涉光刻技术(IL)的分辨力可达l /4,却局限于周期图形。成像干涉光刻技术(IIL)结合了二者的优点,用同一个系统分次传递物体不同的空间频率,能更有效地传递物体的信息,以高分辨力对任意图形成像。初步模拟研究表明,在同样的曝光波长和数值孔径下,对同样特征尺寸的掩模图形,IIL得到的结果好于OL。在CD=150nm时,IIL相对于OL把分辨力提高了1.5倍多。
刘娟冯伯儒张锦
关键词：空间频率频域分析
用多光束干涉实现纳米级阵列图形的长焦深光刻被引量：2
2004年
用多束相干光适当组合干涉曝光,得到的图形与基片在干涉场内的纵向位置z无关,与x、y位置呈周期关系,光的相干长度对应传统光学光刻的焦深。该方法适合大尺寸基片上纳米级孔、锥阵列图形的制作。模拟了双光束双曝光、三光束单曝光和四光束单曝光的干涉场光强分布,用波长为441.6nm的激光曝光得到尺寸为200nm的孔阵和点阵的图形。
张锦冯伯儒郭永康
关键词：干涉光刻多光束干涉焦深
双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较被引量：5
2005年
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形。双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为λ/2;四光束单曝光的周期略大,为前者的2倍。模拟和实验结果表明,通过控制曝光和显影工艺,双光束双曝光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵,而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点,较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡。这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景。
张锦冯伯儒郭永康
关键词：干涉光刻无掩模
掩模投影成像干涉光刻研究被引量：3
2006年
掩模投影成像干涉光刻技术以在很小或几乎不增加光刻系统成本的基础上来提高光刻分辨率为目的,充分利用系统的有限孔径,将掩模图形不同的空间频率分别进行传递,最终以高分辨率对掩模成像。本文阐述了IIL的基本原理,介绍了一种实验系统,并给出了部分模拟和实验结果。研究结果表明,掩模投影成像干涉光刻技术比传统投影光刻能够得到更高的光刻分辨率。
张锦冯伯儒刘娟
关键词：投影光刻微光刻
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