张燕生
作品数: 3被引量:0H指数:0
  • 所属机构:中国科学院电子学研究所
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

林世昌
作品数:38被引量:30H指数:4
供职机构:中国科学院电子学研究所
研究主题:电子束 电子束焊接 封装 改性研究 传感器
范炳林
作品数:5被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院电子学研究所
研究主题:电子束 封装 传感器 超薄 电子束焊
精密传感器的电子束真空封装和半穿透焊接技术
1994年
真空电子束焊接具有许多特点,用于精密传感器的封装焊接和特殊焊接是非常合适的,本文专题介绍真空封装和半穿透焊接技术。
林世昌张燕生范炳林
关键词:传感器电子束真空封装
扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究
1995年
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了200×25μm^2的单晶区。
林世昌张燕生张国炳王阳元
关键词:材料改性绝缘衬底
电子束刻蚀超导膜的实验研究
1995年
本文论述了扫描电子束对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导膜进行干法刻蚀的实验研究;试验了电子束工艺参数对刻蚀效果的影响;初步讨论了超导膜改性的机制。扫描电子束能使被刻蚀的超导膜局部改性为非超导膜,将为干法制备超导器件提供一个有效的方法。
林世昌张燕生柴璋李碧钦
关键词:超导膜刻蚀材料改性