-
赵永梅
-
-
- 所属机构:中国科学院半导体研究所
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 孙国胜
- 作品数：168被引量：55H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
- 刘兴昉
- 作品数：129被引量：55H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
- 宁瑾
- 作品数：74被引量：69H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：电极 牺牲层 锚点 MEMS 4H-SIC
- 杨富华
- 作品数：486被引量：256H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：淀积 电极 相变存储器 谐振器 纳米尺寸
- 赵万顺
- 作品数：136被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 SIC
