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徐重阳
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- 所属机构:湖北工业大学
- 所在地区:湖北省 武汉市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:武汉市重点科技攻关计划项目
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- 准分子激光诱导下 a-Si : H 膜的电导率异常
- 1998年
- 用ＸｅＣｌ准分子激光器对ａ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜进行了低能量密度下的辐照处理，测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化．研究表明，能量密度在７５ｍＪ／ｃｍ２附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高，这种电导率异常是膜表层形成了ｎｍＳｉ晶粒分散于ａ－Ｓｉ∶Ｈ基底中的混合相的反映．
- 戴永兵徐重阳李兴教安承武
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- Sol-gel法制备纳米硅碳膜的研究被引量：4
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- 以长链甲基三甲氧基硅烷[CnH_(2n)＋1Si（OCH_3）]和正硅酸乙脂（TEOS）两种有机物为起始原料，用溶胶－凝胶法制备出SiC凝胶膜，在Ar气氛下烧结，制备出了SiC膜。初步讨论了溶胶形成过程中水中红键、酸及碱的作用。利用Raman光谱和透射电镜（TEM）结合XPS等测试方法对制得的膜进行了结构、颗粒尺寸及化学成分等的研究，根据分析和观察结果，膜由颗粒尺寸在直径为2nm－4nm，长度为20nm－40nm左右的SiC纳米晶须构成，纯度高，且膜为不均匀孔膜。
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- Al_2O_3/SiN_X 双层绝缘栅 a-Si : H TFT 的研究
- 1998年
- 研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有效介电常数，从而可减小膜厚，提高栅电容，使得阈值电压降低、开态电流上升，获得了１０７的开关电流比．
- 陈斌徐重阳王长安赵伯芳
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- a-Si:H TFT自对准工艺的研究
- 1995年
- 实验研究了自对准结构的a－Si：HTFT的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的a－Si：HTFT。对影响自对准结构a－Si：HTFT特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si：HTFT，可以有效地改善a－Si：HTFT的开态特性，其通断电流比比ION／IOFF＞105。
- 张少强徐重阳赵伯芳邹雪城符晖袁奇燕周雪梅王长安
- 关键词：非晶硅薄膜晶体管液晶显示器
- 4H-SiC纳米薄膜的微结构及其光电性质研究被引量：3
- 2002年
- 采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面SiC的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米晶 .采用高H2 等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si—C及Si—Si和Si—H等键时 ,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用 ,产生自组织生长 ,发生晶化 .Raman光谱和透射电子衍射 (TEM)的测试结果表明 ,纳米晶SiC是 4H SiC多型结构 .电子显微照片表明平均粒径为 16nm ,形状为微柱体 .实验结果指出 ,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核 ,并且其晶化存在一个功率密度阈值 ;当低于这一功率密度阈值时 ,晶化消失 ;当超过这一阈值时 ,纳米晶含量随功率密度的提高而增加 .随着晶化作用的加强 ,电导率增加 .
- 张洪涛徐重阳邹雪城王长安赵伯芳周雪梅曾祥斌
- 关键词：4H-SICPECVD纳米电子学光电性质微结构碳化硅
- 有机发光器件(ITO/TPD/Alq_3/Mg/Al)的光电性能研究被引量：1
- 2003年
- 为了研究有机电致发光器件光电性能随工作参数的变化,对ITO/TPD(50nm)/Alq3(50nm)/Mg/Al的实验数据进行分析,发现该器件在低压时属于注入电流限制,高压时为陷阱电荷限制(TCLC)。另外,采用实验数据验证复合理论,发现通过电场数据和电流密度数据(F2/J)能够直接地反映器件量子效率随电流密度的变化趋势。
- 刘陈徐重阳尹盛钟志有王长安
- 关键词：有机发光器件量子效率
