崔伟
作品数: 32被引量:4H指数:1
  • 所属机构:中国电子科技集团第二十四研究所
  • 所在地区:重庆市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金

相关作者

谭开洲
作品数:136被引量:103H指数:6
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
杨永晖
作品数:54被引量:35H指数:4
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
张静
作品数:82被引量:50H指数:4
供职机构:中国电子科技集团
研究主题:SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
唐昭焕
作品数:78被引量:40H指数:4
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
邱盛
作品数:30被引量:11H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:深槽 半导体 终端 耐压性能 场效应