搜索到581篇“ ZNO基稀磁半导体“的相关文章
一种具有室温铁性的ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法
本发明为一种具有室温铁性的ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法,所述薄膜成分的化学通式为Zn<Sub>1‑x</Sub>M<Sub>x</Sub>O,采用非性元素M进行掺杂,M为Cu、Na、Li或Ag中的一种,其中x为...
罗曦张敬霖于一鹏卢凤双吴滨张建生张建福祁焱
文献传递
一种具有室温铁性的ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法
本发明为一种具有室温铁性的ZnO稀磁半导体薄膜及其制备方法,所述薄膜成分的化学通式为Zn<Sub>1‑x</Sub>M<Sub>x</Sub>O,采用非性元素M进行掺杂,M为Cu、Na、Li或Ag中的一种,其中x为...
罗曦张敬霖于一鹏卢凤双吴滨张建生张建福祁焱
文献传递
不同构型下ZnO稀磁半导体的第一性原理研究被引量:3
2018年
针对5种不同构型下的ZnO稀磁半导体特性展开研究,利用第一性原理对Co掺杂ZnO,Mn掺杂ZnO,以及(Co,Mn)共掺杂ZnO进行模拟计算,分析其电子结构及性。结果表明,Co掺杂ZnO的铁性随掺杂位置不同而变化,Mn掺杂ZnO表现出反铁性。而(Co,Mn)共掺杂ZnO由于掺杂原子间的相互作用,表现出铁性并且具有高于室温的局里温度,是一种理想的稀磁半导体材料。
刘乔亚杨平
关键词:自旋磁矩居里温度
Co掺杂ZnO稀磁半导体学性能研究
稀磁半导体能够在单一材料中将电子的电荷自由度和自旋自由度结合起来处理信息,在高密度存储器、半导体集成电路、半导体激光器和量子计算机等领域有广阔的应用前景,因此稀磁半导体材料吸引了众多的关注。但是目前稀磁半导体的铁性来源...
黄丽蓓
关键词:稀磁半导体钴掺杂磁学性能
文献传递
ZnO稀磁半导体的制备和性能研究
稀磁半导体其自身独特的物理化学特性,兼具优秀的半导体性能以及学的性能,因此在研发新型自旋电子学器件领域中发挥着难以或缺的作用,其中ZnO稀磁半导体因其自身拥有的优良理化性质而成为众人瞩目的科研材料。本文利用共沉淀法制...
杜睿智
关键词:稀磁半导体氧化锌共沉淀形貌结构光学性能
一种增强ZnO稀磁半导体薄膜室温铁性的方法
本发明涉及一种增强ZnO稀磁半导体薄膜室温铁性的方法,以一定剂量的质子H<Sup>+</Sup>对ZnO稀磁半导体薄膜进行辐照。本发明采用质子H<Sup>+</Sup>对ZnO稀磁半导体薄膜进行辐照,以此实现对Z...
陈卫宾刘学超卓世异施尔畏孔海宽
文献传递
ZnO稀磁半导体特性的研究
本文采用水热合成法分别制备了Co掺杂和Mn掺杂氧化锌纳米材料,对初始材料以及在空气中退火材料的电学和学性质进行了研究。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等仪器对制得样品的结构、形貌进行了表征,通过霍尔效应测试...
张经慧
关键词:稀磁半导体钴掺杂锰掺杂电输运性质磁阻效应
文献传递
ZnO稀磁半导体的电特性研究
自旋电子器件具有集成度高、功率低、运行速度快和易存储等优势而备受关注。利用稀磁半导体(Diluted magnetic semiconductors,DMS)的半导体学特性可制备自旋电子器件。有理论预言ZnO半...
李君
关键词:稀磁半导体固相法磁学特性电学特性
Ni掺杂ZnO稀磁半导体的结构和性研究
最近几年ZnO稀磁半导体由于具有较宽的能带和较大的激子束缚能得到了广泛的关注,过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的制备和性能研究对于电子自旋器件意义重大。本文利用共沉淀法制备出纯ZnO稀磁半导体、金属Ni掺杂ZnO...
魏晨燕
关键词:稀磁半导体共沉淀磁性
过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体的结构和性研究
稀磁半导体因为结合了半导体性材料的性能在构建自旋电子学器件中起着不可或缺的作用,其中ZnO稀磁半导体因其独特的物理化学性质尤其受到人们的关注。本文利用共沉淀法制备出了过渡金属Mn,Fe,Co和Cu掺杂的ZnO...
谢玉玉
关键词:稀磁半导体共沉淀光学性能

相关作者

刘学超
作品数:96被引量:100H指数:5
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题:稀磁半导体 ZNO基稀磁半导体 ZNO 碳化硅 室温铁磁性
施尔畏
作品数:284被引量:2,299H指数:30
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题:晶体生长 水热法 晶体 碳化硅 籽晶
陈之战
作品数:77被引量:365H指数:10
供职机构:上海师范大学数理信息学院物理学系
研究主题:碳化硅 晶体生长 SIC ZNO基稀磁半导体 ZNO
张华伟
作品数:16被引量:49H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题:稀磁半导体 ZNO基稀磁半导体 ZNO 氧化锌 氧化锌晶体
宋力昕
作品数:219被引量:496H指数:14
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题:石墨烯 原子氧 热控涂层 涂层 等离子体电解氧化