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SIC衬底
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种低缺陷应力的SiC晶体及SiC
衬底
本申请公开了一种低缺陷应力的SiC晶体及SiC
衬底
,属于SiC材料制备技术领域。所述SiC晶体制备得到若干个SiC
衬底
,基于拉普拉斯金字塔原理对高通信号和低通信号进行区分,在高通信号下,任意SiC
衬底
的整体光程差<...
张九阳
高超
王振行
李培达
石志强
李昊
马建丽
贾修哲
一种低内应力的SiC晶体和SiC
衬底
本申请公开了一种低内应力的SiC晶体和SiC
衬底
,属于SiC材料制备技术领域。所述SiC晶体制备得到若干个SiC
衬底
,基于拉普拉斯金字塔原理对高通信号和低通信号进行区分,在低通信号下,任意SiC
衬底
的光程差<6nm...
张九阳
高超
杨晓俐
高宇晗
舒天宇
方帅
宋猛
王宗玉
一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC
衬底
本申请公开了一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC
衬底
,属于SiC材料制备技术领域。所述SiC晶体制备得到的任意SiC
衬底
的光程差<10nm,且包含第一端面的SiC
衬底
的光程差与包含第二端面的SiC
衬底
的光程差...
张九阳
高超
张红岩
宁秀秀
舒天宇
赵树春
李霞
王路平
潘亚妮
一种轴向及径向光程差差异性小的SiC晶体及SiC
衬底
本申请公开了一种轴向及径向光程差差异性小的SiC晶体及SiC
衬底
,属于SiC材料制备技术领域。该SiC晶体任意一条水平线上,光程差的最大值不超过6.593nm,标准差不超过1.271nm;且所述SiC晶体任意一条轴线上,...
张九阳
高超
石志强
李培达
王振行
李昊
马建丽
一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC
衬底
本申请公开了一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC
衬底
,属于SiC材料制备技术领域。所述SiC晶体制备得到的任意SiC
衬底
的C面和Si面的曲率均小于1.5×10<SUP>‑6</SUP>mm<SUP>‑1</SU...
张九阳
高超
彭红宇
张红岩
王永方
李祥皓
李香林
李瞳
靳婉琪
基于SiC
衬底
的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件
本发明提供一种基于SiC
衬底
的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件,涉及半导体技术领域,本发明使用原子层沉积法在SiC
衬底
的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜,构成叠层结构的栅氧化层,形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀...
刘学
田然
李培刚
储童
季学强
一种无定位边的SiC
衬底
加工及使用方法
本发明提出了一种无定位边的SiC
衬底
加工方法,包括:对SiC晶体的外圆进行定向;晶体切割;切割取片:将切割片从切割底座中烤片,取出并标记切割片的头片或尾片的碳硅面,并将切割片清洗以去除表面残留的切削液;头、尾片定向:对S...
谢雪健
徐现刚
陈秀芳
胡小波
基于半绝缘SiC
衬底
GaN HEMT体陷阱的效应分析
2024年
阐述采用背栅测试来表征GaN-on-SiC HEMT的体陷阱效应,过程中分别表现出两段式特征,分别对应Ⅲ族氮化物缓冲层以及半绝缘SiC
衬底
的加压过程。另外在Silvaco TCAD平台搭建相应的物理模型,仿真体陷阱效应以及在不同
衬底
电压下的电势分布。
牛梓戌
SiC
衬底
、SiC外延
衬底
、SiC晶锭及它们的制造方法
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC
衬底
、SiC外延
衬底
、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC
衬底
(11)的制造方法,其具有对SiC原
衬底
(10)进行热处理的热处理步骤(S1),热处理步骤(S1)...
金子忠昭
一种SiC
衬底
的抛光方法、抛光的SiC
衬底
及复合
衬底
本发明属于半导体加工技术领域。本发明提供了一种SiC
衬底
的抛光方法、抛光的SiC
衬底
及复合
衬底
,所述抛光方法以硬质抛光垫上设置氧化剂固结层作为抛光实施面,配合不含氧化剂的抛光液进行化学机械抛光。硬质抛光垫耐磨耐腐蚀,具有...
范博珺
母凤文
谭向虎
刘福超
郭超
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郝跃
作品数:2,572
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张玉明
作品数:1,016
被引量:452
H指数:11
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
郭辉
作品数:297
被引量:129
H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
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徐现刚
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雷天民
作品数:108
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