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一种低缺陷应力的SiC晶体及SiC衬底
本申请公开了一种低缺陷应力的SiC晶体及SiC衬底,属于SiC材料制备技术领域。所述SiC晶体制备得到若干个SiC衬底,基于拉普拉斯金字塔原理对高通信号和低通信号进行区分,在高通信号下,任意SiC衬底的整体光程差<...
张九阳高超王振行李培达石志强李昊马建丽贾修哲
一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底
本申请公开了一种低内应力的SiC晶体和SiC衬底,属于SiC材料制备技术领域。所述SiC晶体制备得到若干个SiC衬底,基于拉普拉斯金字塔原理对高通信号和低通信号进行区分,在低通信号下,任意SiC衬底的光程差<6nm...
张九阳高超杨晓俐高宇晗舒天宇方帅宋猛王宗玉
一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底
本申请公开了一种面内光程差小且均匀的SiC晶体及SiC衬底,属于SiC材料制备技术领域。所述SiC晶体制备得到的任意SiC衬底的光程差<10nm,且包含第一端面的SiC衬底的光程差与包含第二端面的SiC衬底的光程差...
张九阳高超张红岩宁秀秀舒天宇赵树春李霞王路平潘亚妮
一种轴向及径向光程差差异性小的SiC晶体及SiC衬底
本申请公开了一种轴向及径向光程差差异性小的SiC晶体及SiC衬底,属于SiC材料制备技术领域。该SiC晶体任意一条水平线上,光程差的最大值不超过6.593nm,标准差不超过1.271nm;且所述SiC晶体任意一条轴线上,...
张九阳高超石志强李培达王振行李昊马建丽
一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底
本申请公开了一种基平面弯曲小且光程差小的SiC晶体和SiC衬底,属于SiC材料制备技术领域。所述SiC晶体制备得到的任意SiC衬底的C面和Si面的曲率均小于1.5×10<SUP>‑6</SUP>mm<SUP>‑1</SU...
张九阳高超彭红宇张红岩王永方李祥皓李香林李瞳靳婉琪
基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件
本发明提供一种基于SiC衬底的开关器件栅氧层的制备方法及开关器件,涉及半导体技术领域,本发明使用原子层沉积法在SiC衬底的表面依次形成氧化铝薄膜和氧化铪薄膜,构成叠层结构的栅氧化层,形成的氧化铝薄膜和氧化铪薄膜的厚度均匀...
刘学田然李培刚储童季学强
一种无定位边的SiC衬底加工及使用方法
本发明提出了一种无定位边的SiC衬底加工方法,包括:对SiC晶体的外圆进行定向;晶体切割;切割取片:将切割片从切割底座中烤片,取出并标记切割片的头片或尾片的碳硅面,并将切割片清洗以去除表面残留的切削液;头、尾片定向:对S...
谢雪健徐现刚陈秀芳胡小波
基于半绝缘SiC衬底GaN HEMT体陷阱的效应分析
2024年
阐述采用背栅测试来表征GaN-on-SiC HEMT的体陷阱效应,过程中分别表现出两段式特征,分别对应Ⅲ族氮化物缓冲层以及半绝缘SiC衬底的加压过程。另外在Silvaco TCAD平台搭建相应的物理模型,仿真体陷阱效应以及在不同衬底电压下的电势分布。
牛梓戌
SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC衬底(11)的制造方法,其具有对SiC原衬底(10)进行热处理的热处理步骤(S1),热处理步骤(S1)...
金子忠昭
一种SiC衬底的抛光方法、抛光的SiC衬底及复合衬底
本发明属于半导体加工技术领域。本发明提供了一种SiC衬底的抛光方法、抛光的SiC衬底及复合衬底,所述抛光方法以硬质抛光垫上设置氧化剂固结层作为抛光实施面,配合不含氧化剂的抛光液进行化学机械抛光。硬质抛光垫耐磨耐腐蚀,具有...
范博珺 母凤文 谭向虎 刘福超 郭超

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郝跃
作品数:2,572被引量:1,236H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
张玉明
作品数:1,016被引量:452H指数:11
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
郭辉
作品数:297被引量:129H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
徐现刚
作品数:587被引量:444H指数:10
供职机构:山东大学
研究主题:碳化硅 SIC单晶 籽晶 碳化硅单晶 SIC
雷天民
作品数:108被引量:108H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:样片 退火 石墨烯 碳膜 CU膜