搜索到523篇“ SI-PIN探测器“的相关文章
- 紧凑型Si-PIN探测器的低温制冷控制电路设计
- 2023年
- 针对便携式X荧光光谱仪,设计了紧凑型Si-PIN探头低温控制电路。低温制冷器采用微型半导体电制冷片,其恒流控制电路利用低噪声的线性稳压器来避免引入电子学噪声,并利用闭环控制保证温度的稳定性。前级供电采用高效率的DC-DC电路稳压,以降低探测器的整体热耗散。Si-PIN探测器安装在制冷片的陶瓷电路板上,并真空封装在TO-8管座内来维持低温制冷效果。实验测试结果表明,探测器可稳定保持在-35℃的低温工作环境,对59.5 keV能量获得的能量分辨率从常温下的2.70%提高到1.47%。
- 邓皓文曾国强杨剑田成帅胡传皓
- 关键词：SI-PIN探测器能量分辨率
- 基于Si-PIN探测器的便携式测氡仪研制
- 氡是一种会对人体产生放射性危害的气体,已被世界卫生组织（WHO）列为19种主要致癌物质之一,是仅次于香烟引起人类肺癌的第二大元凶。因此氡及其子体对人体造成的危害已引起人们越来越广泛的重视,许多国家和地区开展了环境中氡气的...
- 温哲
- 关键词：SI-PIN探测器能谱测量多道脉冲幅度分析器
- 用于Si-PIN探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器的设计被引量：3
- 2022年
- 设计了一种用于Si-PIN探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器,该放大器采用低噪声、高带宽、双通道运放芯片AD8066,简化了电路结构,减小了空间体积,实现了电荷灵敏前放与成形电路的一体化设计。经过测试发现,在室温环境下,该放大器能有效对^(241)Am源和^(137)Cs源γ射线进行探测,其测量电子学等效输入噪声约为0.15 fC,成形时间约为2.5 s,在0.5~100 fC的动态输入电荷范围内,放大增益达24 V/pC,且稳定性良好。此外,该放大器的时间响应速度达10 ns,可应用于高计数率辐射环境下的γ射线探测。
- 张玲玲何资星郭凤丽
- 关键词：SI-PIN探测器电荷灵敏前置放大器Γ射线
- 一种用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器及其使用方法
- 本发明公开了一种用于测量Si‑PIN探测器有效面积的准直器及其使用方法，所述准直器包括：AB两个部件，A部件位于射线源预设范围内，用于对光源发光区域进行限制；B部件用在探测器段，用于对射线进行准直和限光，并屏蔽其它方向的...
- 王昆仑张思群周少彤
- 文献传递
- 一种用于测量Si-PIN探测器有效面积的准直器及其使用方法
- 本发明公开了一种用于测量Si‑PIN探测器有效面积的准直器及其使用方法，所述准直器包括：AB两个部件，A部件位于射线源预设范围内，用于对光源发光区域进行限制；B部件用在探测器段，用于对射线进行准直和限光，并屏蔽其它方向的...
- 王昆仑张思群周少彤
- 文献传递
- 新型大面积Si-PIN探测器的研制
- 2018年
- 采用平面工艺制备了大面积Si-PIN探测器,探测器厚度300μm,直径分别Φ50mm、Φ60mm。在室温环境下测量了探测器的漏电流及226 Ra-α粒子能谱响应。结果表明大面积Si-PIN探测器具有耐压能力强、漏电流小、能量分辨率高等优点,能够满足核辐射探测领域的相关应用。
- 苏丹顾宪松丰树强赵潇张国光王霞
- 关键词：SI-PIN探测器能谱
- 一种消除温度对Si-PIN探测器ɑ能谱峰漂移影响的方法及装置
- 一种消除温度对Si‑PIN探测器ɑ能谱峰漂移影响的方法及装置，涉及氡浓度测量技术领域，所述消除温度对Si‑PIN探测器ɑ能谱峰漂移影响的方法包括信号放大、能谱峰跟随、信号幅度甄别及氡浓度确定四个步骤。本发明以温湿度传感器...
- 李志强肖德涛
- 文献传递
- 一种基于Si-PIN探测器阵列的高分辨率X射线能谱仪
- 本发明公开了一种基于Si‑PIN探测器阵列的高分辨率X射线能谱仪，能谱仪的探测器选用m行×n列的Si‑PIN探测器阵列，每一行探测器共用一个电荷灵敏放大器，共有n列，探测器检测到的X射线经放大器放大后分别被送入时间甄别单...
- 曾国强胡传皓欧阳晓平刘洋葛良全张开琪
- 文献传递
- X射线脉冲星Si-PIN探测器阵列研究
- 2017年
- X射线脉冲星导航是一种全自主的导航方式,在深空导航领域有着重要的应用前景。针对短时高精度导航的需求,分析了影响导航精度的主要因素,论证了通过增大探测器面积实现较高导航精度前提下缩短探测时间的可行性。在此基础上,提出了采用硅-PIN探测器阵列的探测方式,并设计了硅-PIN探测器阵列前端模块及相应的后端处理电路。最后,通过试验验证了硅-PIN探测器阵列的探测方案在扩大探测面积的同时,仍可以保留硅-PIN探测器的优良性能,能够有效缩短探测时间,将来有望应用于X射线脉冲星导航系统。
- 黄添添陆阳
- 关键词：探测器阵列脉冲星软X射线
- 基于MEMS微结构的红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法
- 本发明提供一种基于MEMS微结构的红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法，探测器包括硅本征衬底、MEMS微结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P<Sup>+</Sup>型区、上电极，MEMS微结构层为按...
- 李伟郭国辉宋钦剑钟豪孟文林蒋亚东
- 文献传递
相关作者
- 陈永君
- 作品数：21被引量：142H指数：7
- 供职机构：国家地质实验测试中心
- 研究主题：SI-PIN探测器 X射线荧光光谱 X射线荧光分析 X射线荧光光谱法 XRF
- 张国光
- 作品数：89被引量：168H指数：6
- 供职机构：中国原子能科学研究院
- 研究主题：中子 光电倍增管 灵敏度 蒙特卡罗模拟 脉冲中子
- 邓赛文
- 作品数：80被引量：286H指数：10
- 供职机构：国家地质实验测试中心
- 研究主题：X射线荧光光谱 XRF X射线荧光光谱仪 熔融制样 X射线荧光
- 詹秀春
- 作品数：145被引量：769H指数：17
- 供职机构：国家地质实验测试中心
- 研究主题：地质样品 野外现场 激光剥蚀 X射线荧光光谱 微区分析
- 郑妙子
- 作品数：11被引量：94H指数：4
- 供职机构：国家地质实验测试中心
- 研究主题：X射线荧光光谱 SI-PIN探测器 X射线荧光分析 地质样品 水系沉积物
