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一种P型半导体晶棒的制作方法: 本发明涉及热电器件技术领域，提供了一种P型半导体晶棒的制作方法，包括以下步骤：S1、粉碎混合：将碲、秘、锑制备成混合纳米粉体；S2、冶金压铸：将纳米粉体冶金压铸成上大下小的金属棒材；S3、拉晶成型：将金属棒材放入石英管内...; 陈志明陈鑫李荣明

p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法: 一种p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法，涉及于微电子技术领域。该p型半导体的制造方法包括以下步骤：制备p型半导体(31)；在p型半导体(31)上制备保护层(32)，其中保护层(32)为AlN或AlGaN；以及在...; 程凯

一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件: 本实用新型公开了一种基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体、图形化的P型半导体和量子阱。该基于结构增压提高P型半导体载流子浓度的LED器件，包括N型半导体，其特征在于：所述N型半导体上设有量子阱...; 魏伟

具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管及其制备方法。具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS栅极结构以及源极、漏极，外延结构包括至少一异质结，异质结内具有载流子沟道，外延结构的栅极区域设...; 曹蕴哲孙钱钟耀宗郄浩然高宏伟陈昕郭小路

制备p型半导体层的方法、p型半导体层、有机电子器件、显示器件、金属化合物和所述金属化合物的用途: 本发明涉及制备p型半导体层的方法、通过所述方法获得的p型半导体层、包含所述p型半导体层的有机电子器件、包含所述有机电子器件的显示器件、金属化合物和所述金属化合物在所述p型半导体层中的用途。; 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫乌尔里希·赫格曼斯特芬·维尔曼

P型半导体材料的掺杂方法、外延结构、器件及装置: 本发明公开了一种P型半导体材料的掺杂方法、外延结构、器件及装置，该方法包括：提供半导体材料；所述半导体材料为AlGaN基；将所述半导体材料划分为至少两个离子注入区域；对待注入离子束的出射方向进行偏转；对偏转后的所述待注入...; 梁舰张正杰沈雁伟许奇明

用于无机薄膜太阳能电池的p型半导体层的制备方法: 本发明涉及利用真空溅射蒸镀法的无机薄膜太阳能电池及其制备方法，更具体地，涉及能够提高以吸收层周知的p型化合物半导体层的质量并缩短工序时间的用于无机薄膜太阳能电池的p型化合物半导体层的制备方法及包括通过上述方法制备的p型化...; 金镇赫李秉勋贾比材李栋敏张浚成曹恩爱

一种P型半导体碳化硅功率器件封装结构: 本实用新型公开了一种P型半导体碳化硅功率器件封装结构，包括底座，所述底座的内腔电性连接有碳化硅功率器本体，所述底座顶部两侧的前侧和后侧均固定连接有限位块，每两个限位块的顶部之间固定连接有散热机构，所述散热机构包括散热盒，...; 刘素平

P型半导体低阻欧姆接触结构及其制备方法: 本发明公开了一种P型半导体低阻欧姆接触结构及其制备方法。所述P型半导体低阻欧姆接触结构包括P型半导体衬底、形成在于所述P型半导体衬底上的金属性的三元过渡金属氮化物薄膜，其中所述的三元过渡金属氮化物薄膜的材质包括TiBN、...; 蒋春萍谷承艳林雨李玉雄刘峰峰隋展鹏

一种超薄P型半导体界面修饰的钙钛矿太阳能电池: 本发明为一种超薄P型半导体界面修饰的钙钛矿太阳能电池。该电池从上往下依次为透明导电衬底、电子传输层、P型半导体修饰材料、钙钛矿层和电极层；所述的P型半导体材料为聚己基噻吩(P3HT)、3‑甲氧基噻吩、5‑甲氧基吡啶‑2‑...; 陈佳雨郑士建张世宁邵盼杰赵智鑫张贤吴存存张阳洋

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