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2025年6月28日星期六

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双栅MOS结构及其制备方法: 本申请涉及半导体制备工艺技术领域，提供了一种双栅MOS结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供基底；所述基底包括衬底初体和浅沟槽隔离结构；其中，所述衬底初体包括被所述浅沟槽隔离结构定义的有源区；所述有源区表面形成有下凹孔...; 王文智刘哲儒

MOS结构及其制备方法: 本申请涉及半导体制备工艺技术领域，提供了一种MOS结构及其制备方法，所述MOS结构的制备方法包括：提供衬底初体；所述衬底初体包括被浅沟槽隔离结构定义出的有源区；在所述有源区的表面制作下凹孔；在所述下凹孔的侧壁及底部形成氧...; 王文智刘哲儒

一种双面散热的MOS结构及其封装工艺: 本发明公开了一种双面散热的MOS结构及其封装工艺，一种双面散热的MOS结构封装工艺，包括以下步骤：芯片包封：芯片背面朝上倒装在粘接膜上，将芯片完全包封，研磨包封面直至暴露出芯片背面；外引脚电镀：在暴露的芯片背面和研磨后的...; 张光耀

一种全MOS结构的电流模带隙基准电路: 本发明公开了一种全MOS结构的电流模带隙基准电路，适用于深亚微米CMOS工艺。该电路包括启动电路、偏置电压产生电路、基准电流产生电路和自偏置低压Cascode电路。启动电路通过合理的MOS管配置，确保电路快速进入工作状态...; 余璐洋王志双刘大伟

Trench MOS结构及其制作方法: 本申请提供一种Trench MOS结构及其制作方法，首先对外延层进行Body注入形成注入区并进行退火处理，再在注入区进行源极离子注入及退火处理形成源极。之后再对外延层进行刻蚀形成沟槽，于沟槽内生长形成栅氧化层，并在沟槽内...; 方合徐雷军王友伟王维

一种碳化硅高压MOS结构快速验证方法及系统: 本发明公开了一种碳化硅高压MOS结构快速验证方法及系统，涉及半导体器件相关技术领域，该方法包括：对碳化硅高压MOS结构进行动态周期监测得到全周期输出特性，并提取第一输出特性；读取预定趋势对比策略，并基于预定趋势对比策略将...; 谢刚刘斌凯潘文杰

平面MOS的制备方法及平面MOS结构: 本发明涉及一种平面MOS的制备方法及平面MOS结构，包括以下步骤：选取第一导电类型衬底，并在第一导电类型衬底正面上生长出第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层表面的部分区域内注入第二导电类型离子，并高温推进，在第一导电...; 廖巍华路佳

一种SiC功率MOS结构及制作方法: 本发明提供一种SiC功率MOS结构及制作方法，该方法包括：提供基底，于基底上形成外延层；于外延层的预设位置形成基区和掩蔽区；于基区中形成源区，且于外延层中形成沟槽，沟槽在垂直方向上贯穿源区与基区；于沟槽中形成屏蔽栅结构，...; 张新

IGBT表面MOS结构的研究: 2024年; IGBT即绝缘栅双极型晶体管,作为新一代的全控型电力电子器件已经广泛应用于工业、交通以及军事等诸多领域。日益进步的电力电子技术对功率半导体器件的性能也提出了更高的要求。本文使用计算机仿真软件对IGBT表面MOS结构进行优化设计,结果表明,为了获得最大的通流能力,首先要对MOS的栅宽和栅的间距做最佳匹配,其次是对BJT分量中的P+阱宽度做出合理设计,以期获得较高的抗闩锁能力。; 赵田; 关键词：绝缘栅双极型晶体管 MOS结构功率半导体器件 IGBT 计算机仿真软件 BJT

一种MOS结构: 本发明公开了一种MOS结构，涉及半导体元件技术领域，一种MOS结构，包括MOS管本体，所述MOS管本体的下端安装有三组焊脚，还包括设置在相邻两组焊脚之间的安装板，所述MOS管本体下端部设置有用于辅助安装板安装的安装组件，...; 陆亚斌吴昊王成

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谭长华: 作品数：95被引量：66H指数：4; 供职机构：北京大学; 研究主题：MOS器件 MOSFET 软击穿半导体器件场效应晶体管

许铭真: 作品数：101被引量：63H指数：4; 供职机构：北京大学; 研究主题：MOS器件 MOSFET 半导体器件可靠性软击穿

乔明: 作品数：627被引量：131H指数：7; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导电类型功率半导体器件半导体功率器件比导通电阻击穿电压

任迪远: 作品数：217被引量：357H指数：10; 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所; 研究主题：电离辐射剂量率退火界面态运算放大器

张波: 作品数：4,983被引量：7,060H指数：42; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：功率半导体器件半导体功率器件电能传输系统无线导电类型