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一种MOS晶体管
本实用新型提供一种MOS晶体管，包括衬底，位于所述衬底中的第一沟槽，所述第一沟槽中设置有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底中设置有源区和漏区，所述栅极结构包括覆盖所述第一沟槽侧壁的功函数复合层以及填充所述功函数复合层内侧的...
高伟谢荣源洪繁张琳琳
一种MOS晶体管及其制备方法
本发明提供一种MOS晶体管及其制备方法，通过当MOS晶体管为Trench NMOS晶体管时，设置两个开关，第一开关由第一多晶硅、两个第一N型掺杂区和P型阱区构成，第一多晶硅沉积于第一氧化层上，第二开关由外延层中开设的沟槽...
余快杜天伦
MOS晶体管引脚折弯治具
本实用新型公开一种MOS晶体管引脚折弯治具，包括：座体，在座体的顶部固定安装有一加工台，位于该加工台的顶部且沿其长度方向间隔设置有若干个限位槽，此限位槽用于MOS管嵌入安装，限位槽的前、后两端均为开口设置，且在限位槽的前...
田伟廖兵
具有混和型接触的LDMOS及其他MOS晶体管的装置及方法
一种侧向DMOS晶体管结构，其包括：具有第一掺杂剂极性的基板；具有该第一掺杂剂极性的主体区；源极区；具有第二掺杂剂极性的漂移区；漏极区；沟道区；该沟道区上方的栅极结构；该源极区中的具有该第二掺杂剂极性的混和型接触注入物；...
B.托纳刘正超G.M.多尔尼W.R.小理查兹
高电压漏极延伸式MOS晶体管
一种半导体装置(100)包含位于第一导电类型的半导体衬底(105)内的MOS晶体管(101)。所述晶体管(101)包含位于漏极阱(130)与衬底接触阱(160)之间的主体阱(135)。第二导电类型的掩埋电压阻挡区(155...
金圣龙赛特拉曼·西达尔萨米尔·彭沙尔卡尔
MOS晶体管的封装级测试方法及装置
本申请涉及半导体制造技术领域，提供了MOS晶体管的封装级测试方法及装置。该方法包括：获取待测MOS晶体管的测试文本；其中，所述测试文本包括所述待测MOS晶体管的应用场景的环境参数信息、测试逻辑；基于所述环境参数信息生成多...
张西刚李杲宇
一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法
本发明提供一种缓启动功率MOS晶体管及其制备方法，通过设置于N型外延层中的第一沟槽和与第一沟槽间隔的第二沟槽；第一沟槽的表面沉积有第一氧化层，第一氧化层形成的沟槽内填充有栅极多晶硅，第一沟槽远离第二沟槽一侧的N型外延层中...
余快杜天伦
一种MOS晶体管
本实用新型涉及晶体管技术领域，具体为一种MOS晶体管，包括电路板本体和晶体管本体，电路板本体的上表面固定连接有支撑垫片，晶体管本体抵接在支撑垫片的上表面，电路板本体的表面设置有锁紧机构，锁紧机构包括定位卡槽、锁紧块、定位...
曹建林何刚
一种MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管
本发明提供了一种MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管，包括半导体衬底、外延层、氧化物层、多晶硅层、氮化硅层、刻蚀；本发明通过在半导体衬底上设置外延层、氧化物层、多晶硅层、氮化硅层，可以增强晶体管的整体性能；同时第一衬...
原小明高玉翠
一种全尺寸MOS晶体管的俘获隧穿电流优化模型
2024年
针对当前的俘获隧穿电流模型中,对于不同器件尺寸只有统一的参数进行模型拟合,存在无法针对器件尺寸变化进行准确地模型拟合的问题。本文提出了在俘获隧穿电流模型的参数中,添加与器件全尺寸信息相关的方法,包括器件宽度方向,长度方向及小尺寸的系数对原有的漏电模型基础上进行优化,使得该优化的漏电模型能更好地反应器件特性实测数据,更好地解决了俘获隧穿电流更准确地表征器件特性的问题,这就提高了给电路设计者做仿真参考的准确性。
张瑜
关键词：MOS晶体管全尺寸SPICE模型
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作品数：429被引量：41H指数：4
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研究主题：薄膜晶体管 晶体管 栅极驱动电路 显示装置 像素电路
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作品数：160被引量：132H指数：6
供职机构：北京大学
研究主题：MOS晶体管 掺杂 存储器 半导体 自对准
李定宇
作品数：25被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学
研究主题：MOS晶体管 掺杂 半导体集成电路 沟道 肖特基势垒
黄如
作品数：1,287被引量：364H指数：11
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 晶体管 沟道 存储器 超大规模集成电路
孙雷
作品数：54被引量：20H指数：2
供职机构：北京大学
研究主题：肖特基势垒 MOS晶体管 沟道 肖特基接触 栅结构