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- 基于MBE技术制备Ga、Bi原子团簇
- 由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20mm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义。目...
- 马玉麟
- 关键词：GABI原子团簇MBE
- 基于MBE技术的蒸发裂解炉针阀结构
- 一种基于MBE技术的蒸发裂解炉针阀结构，其特征在于：阀盖包括底座、底座盖，且底座与底座盖之间形成有弹簧腔；阀杆呈“T”字形，其上端设置在阀盖的弹簧腔内；针头阀瓣与波纹管均采用金属钽材质，波纹管套设在阀杆外，且其两端分别与...
- 但少旗 钟美鹏陈建能 田悦王文杰 贺赐龙 王国强
- MBE技术蓝宝石衬底上生长VO_2薄膜及其太赫兹和金属–绝缘体相变特性研究（英文）被引量：3
- 2017年
- 采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO_2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15~60 nm精确控制。对于优化条件下VO_2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属–绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO_2相变特性。特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO_2薄膜在太赫兹波段的光学特性。结果表明:VO_2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响。因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO_2薄膜的厚度必须得到精确控制。本研究结果对于下一步VO_2基太赫兹器件研究具有重要意义。
- 孙洪君王敏焕边继明苗丽华章俞之骆英民
- 关键词：二氧化钒薄膜太赫兹时域光谱分子束外延
- 基于MBE技术的航空产品研制模式研究被引量：2
- 2014年
- 介绍了基于模型的企业概念以及国内航空企业的研制现状,分析了基于模型的技术在国内设计和制造环节的应用现状,剖析了航空产品研制过程中全生命周期管理和异地协同研制的要求,提出了以模型作为核心依据、以数据贯穿研制流程、层次化的供应商管理的新的研制模式,结合国内外的相关研究,总结了基于模型的企业的主要特征,给出了一种新的基于模型的企业研制模式。
- 赵亮骆晶妍夏晓理赵辛雨
- 关键词：航空
- MBE技术发展动态及标准体系研究
- 本文介绍了基于模型的企业(MBE)技术的演变过程及最新发展动态,以基于模型的定义(MBD)技术作为起点,系统总结了航空产品在设计、制造环节对全三维MBD模型的理解和应用,结合世界航空工业发展的新趋势和新方向,归纳了MBD...
- 赵亮张岩涛吕翔陶剑
- 关键词：产品设计三维模型技术标准
- 文献传递
- MBE技术发展动态及标准体系研究
- 本文介绍了基于模型的企业(MBE)技术的演变过程及最新发展动态,以基于模型的定义(MBD)技术作为起点,系统总结了航空产品在设计、制造环节对全三维MBD模型的理解和应用,结合世界航空工业发展的新趋势和新方向,归纳了MBD...
- 赵亮张岩涛吕翔陶剑
- 文献传递
- 有效抑制掺杂表面偏析效应的LT-MBE技术
- 在分子束外延中,所有的掺杂剂都存在表面偏析效应.本文提出的低温分子束外延技术,有效地抑制了掺杂剂的表面偏析效应,掺杂浓度可达到∽1020/cm3.生长掺杂后用原位RHEED观测,晶体质量良好.这种技术应用于SiGeHBT...
- 张静徐婉静李开成刘道广刘嵘侃
- 关键词：分子束外延快速热退火集成电路
- 文献传递
- MBE技术与无线通信领域新浪潮
- 本文论述了以GaAs微波半导体器及单片集成电路为代表的化合物半导体技术在无线移动通信技术市场发挥的重要作用,介绍了南京器件研究所采用MBE技术研究开发的一批适于新一代移动通信用的GaAs MMIC.
- 杨乃彬
- 关键词：砷化镓移动通信半导体材料
- 文献传递
- 用MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT直流特性研究
- 本文报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT的研制过程和器件的直流性能.该器件的直流特性超过了相同的材料和工艺条件下GaAs基PHEMT水平,可应用于发展微波毫米波器件及其MMIC.
- 李献杰敖金平曾庆明刘伟吉赵永林徐晓春梁春广
- 关键词：分子束外延生长INALAS/INGAAS场效应器件直流特性
- 文献传递
- 新型全固源MBE技术的研究及其在器件研制中的应用
- 该论文在国产分子束外延(MBE)系统的基础上,利用新型三温区阀控裂解固态磷源炉,率先在国内对全固源MBE技术进行了全面的基础性研究.作为在器件方面的应用,该论文研究了1.55 μm波段InAsP/InGaAsP应变多量子...
- 郝智彪
- 关键词：激光器
- 文献传递
相关作者
- 赵亮
- 作品数：5被引量：2H指数：1
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- 研究主题：MBE技术 航空 企业 产品选型 产品设计
- 杨乃彬
- 作品数：53被引量：41H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所
- 研究主题：砷化镓 GAAS 射频开关 HFET GAN
- 刁常堃
- 作品数：3被引量：16H指数：1
- 供职机构：中国空间技术研究院
- 研究主题：PRO/E软件 协同设计 电缆 三维模型 胶接强度
- 孙洪君
- 作品数：2被引量：3H指数：1
- 供职机构：大连理工大学
- 研究主题：分子束外延 二氧化钒薄膜 MBE技术 蓝宝石衬底 金属
- 王文杰
- 作品数：10被引量：1H指数：1
- 供职机构：浙江理工大学
- 研究主题：绕线 全自动 电感线圈 数控 催化剂
