搜索到535篇“ II-VI族化合物半导体“的相关文章
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- 胡兵
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- II-VI族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的湿敏性能研究
- 冯明海
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- II-VI族化合物半导体多晶的合成方法
- 本发明提供II-VI族化合物半导体多晶的合成方法，其中，即使不使用石英安瓿作为多晶合成中使用的容器，也可以进行合成，由此在不降低收率的情况下，可以实现容器的大型化，实现成本降低。其中，将两种以上原料元素放入到半密闭型pB...
- 朝日聪明野田朗
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- II-VI族化合物半导体多晶的合成方法
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- 朝日聪明野田朗
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- II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展被引量：2
- 2011年
- 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。
- 郝建伟查钢强介万奇
- 关键词：量子结构量子尺寸效应
- 掺氮II-VI族化合物半导体的成膜方法
- 在基片上，形成由II族元素中之至少一种元素与VI族元素中之至少一种元素构成的II-VI族化合物半导体膜之际，借助于带电粒子排除装置除去等离子中的带电粒子之同时，将激发态氮等离子照射到上述基片上，完成掺氮的II-VI族化合...
- 伊藤哲谷口理池田昌夫奥山浩之本弘范长井政春玉村好司
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- II-VI族化合物半导体材料与探测器制备关键问题研究
- 樊建荣
- 关键词：ZNOCDZNTE钝化
- II-VI族化合物半导体晶体生长中的非等温相变现象研究
- 刘捷
- 关键词：有限元法
- 宽禁带II-VI族化合物半导体和异质结构的生长及特性研究
- 靳彩霞
- 关键词：化合物半导体
- ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2
- 2012年
- 利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432arcsec增大到529arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00nm增大到3.70nm。当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求。
- 张家奇杨秋旻赵杰崔利杰刘超曾一平
- 关键词：硒化锌N型掺杂分子束外延II-VI族化合物半导体
