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高重复频率CO_2激光重复频率大小对HgCdTe晶体温升及损伤特性影响分析被引量：7: 2015年; 为深入分析高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的损伤机理,开展了高重复频率CO2激光对HgCdTe晶体的温升实验,测得了不同激光重复频率(1、5、10kHz)下HgCdTe晶体的温升过程,建立了高重复频率CO2激光辐照HgCdTe晶体的理论模型,分析了激光重复频率对晶体温升特性的影响;利用ANSYS有限元软件计算了热损伤时HgCdTe晶体的温升值和热应力大小,并结合损伤形貌分析了激光热应力对HgCdTe晶体损伤的影响。研究结果表明,高重复频率CO2激光长时间辐照下,晶体表面温度随着辐照时间的增加而升高,辐照10s时,Hg0.826Cd0.174Te晶体基本达到热平衡,热平衡温度为77℃;重复频率大于1kHz时,激光重复频率的大小对HgCdTe晶体温升特性的影响较小,晶体表面温度主要由激光平均功率密度来决定;激光热应力对HgCdTe晶体的损伤特性影响较小,Hg0.826Cd0.174Te晶体熔化时的最大热应力为5×107Pa,该值远小于晶体的极限应力。该研究将对高重复频率CO2激光在激光防护等方面具有一定的参考价值。; 王挺峰汤伟邵俊峰王锐郭劲; 关键词：HGCDTE材料重复频率损伤形貌

高重频CO2激光损伤HgCdTe晶体的机理研究: 激光辐照效应是目前国内外激光技术领域研究热点之一，HgCdTe晶体作为一种性能优异的红外光学材料，被广泛应用于红外探测器的制备。由于HgCdTe探测器在红外波段具有高探测率、响应波段可调以及工作温度范围较宽等优点，目前在...; 汤伟; 关键词：激光烧蚀 HGCDTE晶体损伤阈值损伤形貌

高重频CO_2激光损伤HgCdTe晶体的数值分析被引量：10: 2013年; 针对CO2激光作用下HgCdTe晶体的损伤问题进行了数值分析。首先,建立了高重频CO2激光损伤Hg0.784Cd0.216Te晶体的三维热传导物理模型;然后,利用有限元方法计算了单脉冲和高重频CO2激光作用下,Hg0.784Cd0.216Te晶体的损伤阈值;最后,分析了激光重频以及辐照时间对晶体损伤阈值的影响。研究结果表明:单脉冲激光辐照下,晶体的损伤阈值为64.5 J/cm2;高重频(f>1 kHz)激光辐照下,激光重频的改变对晶体损伤阈值的影响较小,损伤阈值应由平均功率密度表征,且与辐照时间密切相关;辐照时间的增加,可以有效地减小晶体的损伤阈值,当激光辐照功率密度<1.95 kW/cm2时,不会发生晶体损伤。研究结果对高重频CO2激光在激光加工以及激光防护的应用方面具有指导意义。; 汤伟吉桐伯郭劲邵俊峰王挺峰; 关键词：激光损伤损伤阈值重复频率 HGCDTE晶体

激光辐照HgCdTe晶体研究进展被引量：1: 2010年; 对激光与物质相互作用原理进行了简要介绍,列举了HgCdTe晶体与激光相互作用的研究进展。主要对激光与HgCdTe晶体相互作用时表现出来的现象和实验技术进行了探讨,并对新的测量技术做出了展望。; 宋少雷张龙张来明徐东东宋晓峰; 关键词：HGCDTE 激光辐照效应

大直径HgCdTe晶体生长研究被引量：1: 2004年; 大直径(=40mm)HgCdTe晶体生长过程中存在两大难题,一是高汞压引起的生长管爆炸,二是严重的组份分凝引起的组份不均匀。文中对这两大难题进行分析,得到解决这两大难题的方法:一是在生长管外施加一定气压来抵消生长管内的部份汞气压;二是从低熔点的低组分HgCdTe熔体中生长出较高组分的HgCdTe晶体,从而降低生长温度,这样即可降低汞气压,又可减小组分分凝;三是加高组分HgCdTe到低组分HgCdTe熔体中以补充CdTe的消耗,从而生长出纵向组分均匀性好的晶体。; 李全葆王跃韩庆林马庆华; 关键词：晶体生长

大直径HgCdTe晶体生长工艺原理和实验: 本文对大直经(Φ=40mm)HgCdTe晶体生长过程中存在的高汞压引起的生长管爆炸和严重的组份分凝引起的组份不均匀这两大难题进行分析.介绍解决这两大难题的方法:一是在生长管外施加一定气压来抵消生长管内的部分汞气区;二是从...; 李全葆韩庆林王跃; 关键词：HGCDTE 晶体生长 BRIDGMAN法; 文献传递

大直径HgCdTe晶体的结构缺陷分析: 2001年; 用加压改进Bridgman法生长的大直径HgCdTe( =4 0mm)晶体 ,通过X射线形貌技术分析表明 ,晶体结构包含有大量的亚晶粒 ,同时在晶片中观察到夹杂、位错、应力区等结构缺陷。结合X射线双晶衍射回摆曲线分析表明 ,亚晶粒和测试晶面间的取向差约为 4 0″～ 2 0 0″ ,大小约为 0 .5mm× 0 .5mm～ 2mm× 2mm。; 韩庆林王跃李全保吴刚马庆华; 关键词：X射线红外

加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体被引量：1: 2001年; 根据加压改进布里奇曼法 ,采用“二次配料”工艺成功地生长了直径 40 mm的大直径 Hg Cd Te (组分 x≈0 .2 0 )晶体 .采用加压技术 ,平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压 ,有效地避免了石英安瓶的爆裂 ;采用“二次配料”工艺 ,大大降低了生长温度 ;合理选择温度梯度和生长速度 ,获得了有较好结晶性和组分均匀性的 Hg Cd Te晶体 .分析表明 :Hg Cd Te晶片的载流子浓度 n77≤ 4× 10 1 4 cm- 3 ,迁移率 μ77≥ 1× 10 5 cm2 /(V· s) ,少数载流子寿命值 τ≥ 2 .0 μs,80 K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率 D*为 1.1× 10 1 0 cm· Hz1 /2 /W.; 王跃李全保韩庆林马庆华宋炳文介万奇周尧和; 关键词：HGCDTE晶体晶体生长

在横向磁场中用Bridgman法生长HgCdTe晶体被引量：3: 2000年; 在横向磁场中用Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长的晶锭其轴向组分分布在中部和尾部具有相同的趋势，在头部有三种类型的分布磁场通过对固液混合区对流的作用影响溶质的再分布和轴向组分分布突然施加磁场和中断磁场都引起轴向组分分布的突变．当安瓿绕生长轴匀速旋转时、晶锭的径向组分分布既没有安瓿不旋转时的偏心特征，也没有常规Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长晶体的径向对称性尾部呈现圆锥状的凸起。; 蓝慕杰叶水驰鲍海飞周士仁姚枚; 关键词：HGCDTE BRIDGMAN法磁场晶体生长

Bridgman法生长HgCdTe晶体的初始速度选择被引量：1: 2000年; 根据Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长ＨｇＣｄＴｅ晶体过程中溶质ＣｄＴｅ的分布规律，推导了缩短初始过渡区长度、增加组分稳定区长度的最佳初速度表达式，从式中可看出：初始速度为一变数。; 王跃李全保韩庆林宋炳文介万奇周尧和; 关键词：布里奇曼法 HGCDTE晶体

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