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- 基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法
- 本发明公开了基于双栅极的GaN高电子迁移率晶体管结构和制备方法。所述晶体管结构从下到上包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和介质层。介质层的两侧分别设有源极沟槽和漏极沟槽，源极沟槽和漏极沟槽之间的位置设有栅极结构。所...
- 王颖谢豪杰刘军于成浩
- 具有阶梯状电场辅助耐压层的高压GaN高电子迁移率晶体管
- 本发明属于半导体技术领域，涉及高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)，具体提供具有阶梯状电场辅助耐压层的高压GaN高电子迁移率晶体管，用以解决传统GaN HEM...
- 孔谋夫艾昭宇罗英芝于宁
- 一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种高压横向GaN高电子迁移率晶体管，包括从下至上依次设置的衬底层、GaN缓冲层、非故意掺杂的GaN沟道层、AlGaN势垒层、电场优化辅助层和绝缘介质层，所述AlGaN势垒层的左右两侧分别设有源极和漏极，所述...
- 邓华鲜
- AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的特性研究
- 随着无线通信的高速发展,特别是5G时代的到来,通信设备对工作频率与功率特性的要求越来越高,第三代宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）引起了人们的广泛关注。GaN的禁带宽度是Si的三倍,具有较高的临界击穿电场、高二维电子气浓度...
- 李月华
- 关键词：场板结构击穿电压频率特性电荷密度功率特性
- 一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管
- 本发明公开了一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管，包括GaN HEMT完整外延结构以及在GaN HEMT完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质及栅极；所述GaN HEMT完整外延结构自下而上包括：衬底、成核...
- 吴少兵张亦斌王溯源于永洲章军云
- 用于GaN高电子迁移率晶体管的应力管理层
- 一种高电子迁移率晶体管22包括具有第一晶格常数的成核层14、具有第二晶格常数的后阻挡层24以及具有第三晶格常数的应力管理层26，第三晶格常数大于第一晶格常数和第二晶格常数两者。应力管理层26补偿由于成核层14和后阻挡层2...
- F·凯斯C-K·考O·拉博廷
- 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
- 本发明提供一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，上述GaN基高电子迁移率晶体管包括衬底、缓冲层、碳掺杂C‑GaN层、GaN基异质结、绝缘介质层、源极及漏极；缓冲层设于衬底上；碳掺杂C‑GaN层设于缓冲层上，碳掺...
- 潘磊 李成果 柳俊
- 一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
- 本发明提供一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法，上述GaN基高电子迁移率晶体管包括衬底、缓冲层、碳掺杂C‑GaN层、GaN基异质结、绝缘介质层、源极及漏极；缓冲层设于衬底上；碳掺杂C‑GaN层设于缓冲层上，碳掺...
- 潘磊 李成果 柳俊
- 提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法
- 本发明涉及提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法，该方法在不改变器件结构和材料组分的情况下，通过使用双(三氟甲烷)磺酰亚胺对已经制备完成的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管进行表面处理，即在空气环境下将...
- 崔鹏陈思衡林兆军韩吉胜徐现刚
- 一种GaN高电子迁移率晶体管结构及制作方法
- 本发明提供一种GaN高电子迁移率晶体管结构，包括异质衬底和设置在所述异质衬底上方的AlN薄层，所述AlN薄层上方依次设有GaN高阻层、GaN高迁层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN盖帽层，本发明还提供一种GaN高电...
- 刘新宇殷海波海宇李素文王鑫华王大海李敏
