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搜索到894篇“ GAN薄膜“的相关文章

GaN薄膜的太赫兹光谱响应研究: 2024年; 目前,太赫兹时域光谱(THz-TDS)已经成为研究固体光学参数及色散关系的有效工具。采用太赫兹时域光谱仪对纤锌矿结构GaN薄膜在0~8.0 THz范围内的吸收光谱、介电常数、折射率以及介电损耗等进行了研究。研究结果表明,频率为4.65 THz的太赫兹响应是由GaN的E2(low)声子振动模式主导的,获得的低频介电常数8.9和高频介电常数6.0与理论值接近;进一步研究了频率在4.24~4.40 THz之间的太赫兹介电常数响应谱,获得的GaN薄膜的中心振动频率与太赫兹吸收光谱一致,介电损耗值很小且逐渐趋近于0,表明GaN有良好的介电特性。得出的结论拓展了GaN基电子元器件在THz波段中的应用,对进一步研究GaN基电子元器件在THz波段的质量与可靠性具有借鉴意义。; 韩烨王党会许天旱; 关键词：太赫兹时域光谱 GAN薄膜光学性质

高能N等离子源辅助GaN薄膜生长及其物性研究: 2024年; 氮化镓(GaN)具有宽带隙、高量子效率、优异的热稳定和抗辐射等特性,在高频、高功率电子及紫外光电器件中有着重要的作用。在本工作中,采用经济、环保的等离子增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)方法,通过使用高能N等离子体作为N源,在较低温度(850℃)下成功制备了高结晶质量的GaN薄膜,并研究了N_(2)流量对薄膜结晶质量、生长速率和光学性能的影响。结果表明,随着N_(2)流量的增加,反应原子的动能提高,薄膜生长速度和结晶质量得以提升。但随着N_(2)流量进一步增加,过高的成核率会导致衬底吸附的原子无法迁移到适当的位置,薄膜沿着不同的方向上随机生长,晶体质量下降。本文制备的GaN薄膜的载流子浓度达到2.19×10^(18)cm^(-3),迁移率达到5.17cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),在光电子器件中展现出较强的应用潜力。; 胡海争贺怀乐赖黎王顺利吴超郭道友; 关键词：GAN薄膜

空间限制退火制备自供电p-CuI/u-GaN薄膜异质结蓝-紫光探测器研究: 2024年; 自供电型光电探测器通过内建电场即可完成信号的探测,无需外加电源,具有低功耗、高灵敏度及快速响应等特点,引起了研究者的广泛关注。文章利用简易的真空热升华方法制备出高结晶度的CuI微米颗粒薄膜。进一步利用空间限制退火技术抑制了退火过程中CuI分子的纵向扩散,显著改善了薄膜的均匀性和致密性。通过构建p-CuI/u-GaN异质结,实现了具有自供电特性的蓝-紫光探测器。该探测器的响应范围为波长小于420 nm的蓝-紫光波段,在360 nm的紫外光波段具有大响应度(51 mA·W^(-1))、高比探测率(6.1×10^(11)Jones)、较快响应速度(上升时间为32 ms,衰减时间为36 ms)及良好的稳定性。研究结果表明,采用热升华结合空间限制退火技术能够制备出高质量的p-CuI薄膜,p-CuI/u-GaN异质结自供电蓝-紫光探测器为高性能半导体光电探测器件的制备提供了新的方法和途径。; 梁田泓吕军兴刘宁炀尉俊陈志涛宋伟东; 关键词：自供电

一种GaN薄膜及其制备方法和应用: 本发明公开了一种GaN薄膜及其制备方法和应用。本发明的GaN薄膜的制备方法包括以下步骤：1)将AlN陶瓷靶作为原料，采用脉冲激光沉积工艺在衬底上沉积AlN薄膜；或者，先在衬底上沉积AlN薄膜，再将金属Mo和硫粉作为原料，...; 肖嘉滢王文樑曹怡诺刘力玮文灿

一种基于柔性GaN薄膜的机器人系统及制备方法: 本发明是一种基于柔性GaN薄膜的机器人系统及制备方法，该方法包括：提供Si衬底；制作形成外延结构，在Si衬底上依次叠层生长AlN缓冲层、n‑GaN层、功能层、p‑GaN层；转移GaN薄膜到柔性衬底；在柔性GaN薄膜上进行...; 徐锐张建亚王佳雯

在异质衬底上生长可剥离自支撑GaN薄膜的方法及应用: 本发明公开了一种在异质衬底上生长可剥离自支撑GaN薄膜的方法及应用。该方法包括：形成GaN成核层；在第一温度、压力下以及气氛中进行退火处理，合并形成多个第一锥台体；在第二温度、压力下以及气氛中，进行选择性分解，以使第一锥...; 徐琳周靖焱蒋承鑫

AlN作缓冲层的GaN薄膜质量、极性控制及相关器件研究: GaN作为第三代半导体材料,由于其具备高禁带宽度（3.4e V）、高电子迁移率、高击穿电压和耐高温抗辐射等特性因此很适宜在高温高频下工作。当下GaN器件在电动汽车大功率转换、手机快速充电、无线电通信等领域逐渐取代传统的硅...; 苏兆乐; 关键词：氮化镓氮化铝金属有机物化学气相沉积

多孔GaN薄膜的制备与光学性能研究被引量：1: 2023年; 将表面沉积有金纳米颗粒的GaN薄膜在H 2与N 2的混合气氛下进行高温退火,成功制备了多孔GaN薄膜。多孔GaN薄膜的表面形貌可通过退火温度、退火时间及金沉积时间等参数进行调控。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱表征了不同GaN结构的晶体质量,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN薄膜的位错密度和残余应力均有所降低,在退火温度为1000℃时其位错密度最小,应力的释放程度较大。采用光致发光(PL)光谱表征了其光学性质,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN薄膜的发光强度显著提高,这可归因于多孔结构的孔隙率增大,有效增加了光的散射能力。此外,通过电化学工作站测试了不同GaN结构的光电流密度,结果表明,具有更大比表面积的多孔GaN薄膜在作为工作电极时,光电流密度是平面GaN薄膜的2.67倍。本文通过高温刻蚀手段成功制备了多孔GaN薄膜,为GaN外延层晶体质量与光学性能的提升及在光电催化等领域中的应用提供了一定的理论指导。; 詹廷吾贾伟董海亮董海亮贾志刚李天保; 关键词：高温退火金纳米颗粒光学性能

异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法: 本发明提供一种异质集成GaN薄膜及GaN器件的制备方法，基于剥离GaN单晶晶片可获得低位错密度、低缺陷密度、高质量的GaN单晶薄膜；GaN单晶薄膜先经离子束剥离转移到热失配较小的蓝宝石单晶晶片上，而后经激光剥离转移到支撑...; 欧欣石航宁游天桂

斜切蓝宝石衬底上GaN薄膜的位错降低机制被引量：1: 2023年; GaN材料以其宽禁带、高击穿电场、高热导率、直接带隙等优势被广泛应用于光电子器件、大功率器件以及高频微波器件等方面.由于GaN材料异质外延带来的大晶格失配和热失配问题,GaN在生长过程中会产生大量位错,降低了GaN材料晶体质量,导致器件性能难以进一步提升.为此,研究人员提出使用斜切衬底来降低位错密度,但是关于斜切衬底上外延层的位错湮灭机制的研究还不充分.所以,本文采用金属有机化合物化学气相淀积技术在不同角度的斜切蓝宝石衬底上生长了GaN薄膜,采用原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光测试、透射电子显微镜详细地分析了斜切衬底对GaN材料的影响.斜切衬底可以显著降低GaN材料的位错密度,但会导致其表面形貌发生退化.并且衬底斜切角度越大,样品的位错密度越低.通过透射电子显微镜观察到了斜切衬底上特殊的位错终止现象,这是斜切衬底降低位错密度的主要原因之一.基于上述现象,提出了斜切衬底上GaN生长模型,解释了斜切衬底提高GaN晶体质量的原因.; 徐爽许晟瑞王心颢卢灏刘旭贠博祥张雅超张涛张进成郝跃; 关键词：GAN 透射电子显微镜

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