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微型FBAR器件性能优化设计: 2024年; 利用有限元仿真软件建立了薄膜体声波谐振器模型,研究了不同谐振面积(3600~10000μm^(2))条件下,电极形状(矩形、梯形、圆形和正五边形)及变迹角(30°、36°、40°和45°)对寄生谐振的影响,得到史密斯阻抗曲线和不圆度值,讨论了阶梯负载结构对横向声波泄露的抑制作用。仿真结果表明,电极形状为非正五边形,变迹角为40°时,对寄生谐振的抑制效果最好;在谐振面积为3600μm^(2)时,其不圆度为6.45%,与谐振面积为10000μm^(2)时矩形电极相当。设计的电极阶梯负载结构提升了并联谐振点处的品质因数,当电极横向尺寸为60μm时,二阶电极负载结构的品质因数为1378,比无电极负载结构的品质因数高10.07%。; 周晓伟吴秀山孙坚徐红伟; 关键词：薄膜体声波谐振器有限元仿真品质因数

FBAR滤波器TRL校准的仿真与测试: 2024年; 针对薄膜体声波谐振腔(FBAR)滤波器测试夹具误差校准,提出一种改进的TRL校准方法,将三维电磁仿真和TRL计算结合,用于测试套件(夹具和TRL校准件)的前期设计与优化,确保TRL校准件达到足够精度。由于DUT(device under test,待测器件)参数未知,实测中采用四种不同结构的测试套件,校准前各组测试结果差异较大,但TRL校准后高度吻合,通带内的差异小于0.2 dB,不但精准确定DUT真实参数,而且表明本TRL校准方法对于不同结构夹具去嵌入的有效性。该仿真计算不仅可以设计高精度测试套件,避免过度依靠实测,并且可与实测相互验证,并可推广到其他微波器件的测量,节省测试成本。; 丁文波徐鹏李劲周明睿章景恒马新国吕辉; 关键词：电磁仿真

一种带有尾电流源反馈的FBAR振荡器: 2024年; 为改善振荡器相位噪声性能,设计了一种带有尾电流源反馈的薄膜体声波谐振器(FBAR)振荡器。研究表明,尾电流源晶体管闪烁噪声和谐振回路是振荡器相位噪声的主要来源。为了降低尾电流源晶体管闪烁噪声对振荡器相位噪声的影响,采用两组对称分离且工作在亚阈值区域的P型金属氧化物半导体(PMOS)偏置电流源进行尾电流反馈。与传统单个尾电流源相比,该技术具有更好的相位噪声性能。同时,基于对Hajimiri噪声模型的分析,利用尾电流源反馈技术,控制振荡器在振幅达到峰值及零穿越点时的电流大小,以进一步改善相位噪声性能。高Q值谐振器可以显著提高振荡器的整体相位噪声性能,因此,设计采用高Q值微机电系统(MEMS)器件FBAR作为谐振腔,并通过TSMC 180 nm RF CMOS工艺完成电路设计。结果表明:该振荡器输出频率为1.93 GHz,整体电路功耗为580μW,在1 kHz偏频处相位噪声为-89.7 dBc/Hz,计算得到灵敏值(Factor Of Merit,FOM)为217 dB。; 丁增辉黄继伟; 关键词：振荡器相位噪声

薄膜体声波谐振器FBAR技术在滤波器的应用研究及其专利数据分析: 2024年; 本文简单介绍了薄膜体声波谐振器FBAR的具体结构、工作原理以及FBAR技术的应用,重点介绍了FBAR技术在滤波器的应用及其工作原理,梳理了常见的几种FBAR滤波器结构,最后通过检索分析,从多个角度对FBAR技术在滤波器应用领域的专利申请进行专利分析,为后续企业在该应用领域进行专利布局提供一定的参考价值。; 李文婷刘展鹏; 关键词：薄膜体声波谐振器滤波器结构

一种频率磁可调的硬磁弹性衬底FBAR: 本发明公开一种频率磁可调的硬磁弹性衬底FBAR，包括从下至上依次设置的硅基底、硬磁弹性衬底、底电极、压电薄膜和上电极，所述硬磁弹性衬底由硬磁颗粒与高弹基体混合而成，硬磁颗粒的初始磁流密度方向为水平方向；通过施加水平方向磁...; 赵梓楠陈伟球李念沈旭栋

用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法: 本申请提供一种用于制造薄膜体声波谐振器FBAR滤波装置的方法，包括：在压电层的第一表面，形成第一谐振器和第二谐振器各自的第一电极；在第一谐振器的第一电极和第二谐振器的第一电极，形成对应的第一谐振器的第一钝化层和第二谐振器...; 王健邹洁唐供宾

一种负阻增强的低功耗FBAR振荡电路: 本发明公开一种负阻增强的低功耗FBAR振荡电路，基于Darlington单元采用动态体偏置技术实现，包括：栅源反馈负阻增强Colpitts核心振荡电路，采用Darlington单元与体偏置技术，提供负阻用于抵消谐振回路的...; 马世月王科平马凯学

一种具有沟槽形支撑层的FBAR传感器: 本发明公开一种具有沟槽形支撑层的FBAR传感器，本体从上至下依次设置为上电极，压电薄膜、下电极和支撑层，所述支撑层上设置有沟槽；旨在通过支撑层开槽设计提高氧化锌薄膜体声波谐振器的谐振性能，其属于压电声波器件领域。本发明通...; 钱征华季宸昊钱智李鹏朱峰赵庆国

一种FBAR与HEMT功率器集成结构及其制备方法: 本申请公开了一种FBAR与HEMT功率器集成结构及其制备方法，本集成结构包括集成部，其包括由下往上依次堆叠的衬底、第一底电极和第一压电层；HEMT结构，其包括由下往上依次堆叠的GaN缓冲层、势垒层以及场效应管，GaN缓冲...; 李国强陈志鹏许锴镔朱宇涵胡晗

带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路及其工作方法: 本发明涉及一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路及其工作方法。所述电路包括：依次连接的电源端口、电流产生电路单元和基于推挽式C类核心振荡电路单元并带有振幅反馈电路单元；所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关...; 黄继伟赵敏雄丁增辉李衍醇王科平

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