搜索到1532篇“ CMOS低噪声放大器“的相关文章
- 一种宽带有源前馈噪声消除CMOS低噪声放大器
- 2025年
- 提出一种单端结构的宽带低噪声放大器。基于传统的共栅和共源噪声消除结构,引入有源前馈电路提升共栅级输入跨导,并降低直流电流,从而负载电阻可以适当增加以降低其噪声输出,保证电路整体更低的噪声指数;同时,提出改进的n/pMOS互补结构方案,有效提高线性度并降低了功耗。为把电路设计成宽带,在输入级和输出级均采用π型匹配网络。使用Cadence Spectre-RF基于TSMC 65 nm CMOS工艺进行仿真。结果显示:在1~12 GHz带宽内,增益为14~17 dB,噪声系数为2.45~3.45 dB;在5 GHz时,IIP3和IIP2的线性度分别为-2.4 dBm和23 dBm;电路仅消耗7.8 mW,芯片面积0.21 mm2。
- 樊润伍郭本青
- 关键词：宽带低噪声放大器线性度噪声消除
- 一款应用于802.11ax的5.3~7.4 GHz CMOS低噪声放大器设计
- 2025年
- 为满足IEEE 802.11ax应用的低噪声和大带宽需求,设计了一款5.3~7.4 GHz宽带低噪声放大器(Low noise amplifier, LNA)。采用无源变压器作为辅路,实现噪声抵消,在优化噪声系数的同时不增加功耗,与未采用噪声抵消的方案相比,噪声系数改善0.27 dB。采用开关电容阵列,实现可调谐级间网络,子带带宽和整体调谐带宽分别为700 MHz和2.1 GHz。基于等Q圆策略设计宽带输出匹配网络。该款LNA采用22 nm CMOS工艺实现,芯片测试结果表明:3 dB带宽达到2.1 GHz,峰值增益为26.5 dB,在5.3~7.4 GHz频段内,噪声系数均小于2.53 dB,增益大于23.5 dB,功耗为43.05 mW。
- 蒋欣怡石春琦黄磊磊徐珑张润曦
- 关键词：低噪声放大器
- 紧凑型D波段宽带CMOS低噪声放大器
- 2024年
- 基于28-nm CMOS工艺,设计了一款工作于D波段的紧凑型、宽带低噪声放大器。该放大器由四级放大器单元级联而成,每级放大器单元均采用基于中和电容技术的差分共源极结构。输入、输出和级间阻抗匹配电路均由变压器网络实现,并且每个放大器单元的中心工作频率被交错配置在120GHz和155GHz附近以实现参差调谐带宽拓展,从而在宽带内实现了平坦的增益响应。仿真和测试结果表明,在34mW直流功耗下,该放大器在中心频率140GHz处实现了19.5dB的峰值增益和28GHz(128GHz~156GHz)的3dB工作带宽,噪声系数和输入1dB压缩点分别为7.8dB~9.2dB和-19.8dBm~-16.6dBm。芯片的核心面积仅为200μm×550μm。
- 刘兵徐振华孟凡易马凯学
- 关键词：太赫兹互补金属氧化物半导体低噪声放大器
- 射频超宽带CMOS低噪声放大器的制造方法
- 本发明涉及射频超宽带CMOS低噪声放大器的制造方法，包括双谐振负载网络结构、共栅极结构和负载R‑L‑C结构，放大级采用三谐振网络匹配技术，其中M1、M2、M3均为NMOS管，电路的输出级采用源跟随器结构，电路在整个带宽范...
- 师健 茆飞
- 一种CMOS低噪声放大器
- 本发明公开了一种CMOS低噪声放大器，应用于收发共口径多波束相控阵接收通道，工作中心频率为19GHz。该低噪声放大器采用两级共源共栅级联结构，可获得高增益；两级共源共栅的共源管均添加了LC陷波网络，以抑制发射通道对接收通...
- 李芹张汉文
- 一种宽带CMOS低噪声放大器被引量：1
- 2023年
- 基于130 nm CMOS工艺设计了一款宽带低噪声放大器(LNA),适用于Ka波段的5G应用。通过降低输入阻抗与最佳源阻抗的偏差以抑制噪声,该LNA实现了宽带的最佳噪声系数匹配。一方面,该LNA采用由LC串联组合和LC并联组合构成的宽带前端网络,在取得低噪声系数的同时,实现了宽带输入匹配;另一方面,通过体隔离技术和级间电感匹配技术提高了电路增益。同时,通过并联峰值负载技术,提高了LNA的带内增益平坦度。测试结果表明,该LNA的峰值增益为11.2 dB,-3 dB带宽为7.5 GHz(29.1~36.6 GHz)。噪声系数为5.9~6.6 dB,与仿真的最小噪声系数非常接近。输入反射系数(<-10 dB)带宽为6.7 GHz(28.3~35 GHz)。该LNA在1.2 V电源电压下功耗为9 mW,芯片面积为0.54 mm2。
- 黄未霖蔡孟冶姜岩峰
- 关键词：KA波段噪声抑制
- 应用于NB-IoT和GNSS双模40nm CMOS低噪声放大器设计
- 随着无线移动通信技术不断向前发展，具有低功耗、高度集成、低成本和支持多种通信技术标准等优势的无线电设备在各行各业备受追捧。窄带物联网(NB-IoT)和高精度定位导航也属于无线通信的热门领域，这两种无线通信都强调超低功耗、...
- 黄淼
- 关键词：低噪声放大器双频段
- 一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路
- 本发明公开了一种Ku波段低功耗CMOS低噪声放大器电路，由变压器构成的跨导增益级电路、信号放大级电路，信号放大级电路采用MOS管堆叠拓扑结构，信号放大级电路包括第一级、第二级MOS管堆叠信号放大电路，第一级、第二级MOS...
- 郭本青龚静邬经伟刘海峰
- 高性能微波雷达CMOS低噪声放大器设计
- 近年来,现代无线通信技术的发展加快了物联网（IOT）应用的落地升级。物联网智能化设备的应用也极大节省人力资源并提升了人类社会的生活质量。同时也给人们的生活带来新的困扰。一方面,物联网应用对传感器的可靠性和隐蔽性要求越来越...
- 牛旭磊
- 关键词：雷达传感器低噪声放大器CMOS共源共栅
- 一种5~6 GHz宽带全集成CMOS低噪声放大器被引量：1
- 2022年
- 采用55 nm标准CMOS工艺,设计并流片实现了一种应用于Wi-Fi 6(5 GHz)频段的宽带全集成CMOS低噪声放大器(LNA)芯片,包括源极退化共源共栅放大器、负载Balun及增益切换单元。在该设计中,所有电感均为片上实现;采用Balun负载,实现信号的单端转差分输出;具备高低增益模式,以满足输入信号动态范围要求。测试结果表明,在高增益模式下该放大器的最大电压增益为20.2 dB,最小噪声系数为2.2 dB;在低增益模式下该放大器的最大电压增益为15 dB,最大输入1 dB压缩点为-3.2 dBm。芯片核心面积为0.28 mm~2,静态功耗为10.2 mW。
- 桂小琰赵振赵振常天海景磊王祥
- 关键词：低噪声放大器
