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一种陶瓷片在高压功率器件温度采样中的应用
本发明公开了功率器件测试技术领域的一种陶瓷片在高压功率器件温度采样中的应用,包括:在安装有功率器件的线路板上设置温度采集元件和导热陶瓷片,导热陶瓷片设于功率器件和温度采集元件之间,所述导热陶瓷片通过导热连接件分别连接功率...
施佳丽 符胜高 陈雷 牛敬彬 张臻
一种高压功率器件灌封用液晶环氧的制备方法
本发明涉及功率器件绝缘灌封领域,具体涉及一种高压功率器件灌封用液晶环氧的制备方法,包括以下步骤:取3,3’,5,5’‑四甲基联苯双酚二缩水甘油醚或3,3’,5,5’‑四甲基联苯双酚二缩水甘油醚与双酚A环氧树脂的混合物,向...
王争东曹晓龙王金凯田向渝
一种多段式高压功率器件终端结构
本发明涉及一种多段式高压功率器件终端结构,包括:N衬底和形成于N衬底上的N型漂移区;N型漂移区上由内至外顺次设置有源区、主结区和终端区,主结区内至少形成有两个第二P阱区,第二P阱区内形成有P+区,相邻的第二P阱区之间形成...
梁世维王俊 陈家祺
一种高压功率器件单粒子效应批量化测试方法及系统
本发明涉及一种高压功率器件单粒子效应批量化测试方法及系统,包括测试板、计算机、样品架、粒子注量测量模块以及束流开关模块;测试板上设置单粒子效应测试电路,单粒子效应测试电路用于对待测器件施加偏置电压并对栅极电流和漏极电流进...
张峥郭刚陈启明 孙浩瀚刘建成韩金华张艳文 张付强 殷倩隋丽 赵树勇 刘翠翠 马旭 李理
一种高压功率器件终端结构
本发明涉及一种高压功率器件终端结构,包括:N衬底和形成于N衬底上的N型漂移区;N型漂移区上由内至外顺次设置有源区、主结区和终端区,主结区内至少形成有两个第二P阱区,第二P阱区内形成有P+区,相邻的第二P阱区之间形成有P隔...
梁世维王俊 陈家祺
一种用于高压功率器件的新型平面结终端结构
本实用新型涉及一种用于高压功率器件的新型平面结终端结构。本实用新型包括N型衬底;N型半导体层,设置于所述N型衬底正面,所述N型半导体层表面具有沟槽;掺铝P区,设置于所述沟槽内;阴极电极层,设置于所述N型衬底背面;P型体区...
姜鹏
高压功率器件的物理表征及SPICE建模
高压功率器件的SPICE(Simulation Program for Integrated Circuit Emphasis)模型能够在SPICE仿真器中反映高压功率器件的特性,精准的SPICE模型可以帮助电源设计工程...
江逸洵
关键词:高压功率器件SPICE模型阳极短路
基于柔性互连的高压功率器件结构及制备方法和电力设备
本发明公开了一种基于柔性互连的高压功率器件结构及制备方法和电力设备,属于电力半导体封装技术领域。本发明提供的基于柔性互连的高压功率器件互连结构为双面封装结构,通过融合中部形变段和两端固定段的导电弹片,克服了现有技术中双面...
王来利 马定坤 孙培元 袁天舒李磊 丁培洋 郭佳成
一种耐高压功率器件IGBT模块测试设备
本发明公开了一种耐高压功率器件IGBT模块测试设备,包括测试机壳,测试机壳的一端固定安装有操作机构,测试机壳内壁的顶端安装有测试机构,测试机壳内壁的中部固定安装有载物板,载物板的中部开设有活动口,测试机壳上安装有位于载物...
胡军政周金运
具有高临界击穿电场硅基高压功率器件设计及建模
功率器件作为电能转换和控制的核心,已被广泛的应用于新能源汽车、充电桩、轨道交通、智能电网、白色家电和航空航天等领域。功率器件在应用中常被寄予希望可以承担高的击穿电压(Breakdown Voltage,BV),同时要求具...
王雨龙
关键词:功率器件击穿电压击穿场强禁带宽度比导通电阻

相关作者

张波
作品数:4,983被引量:7,060H指数:42
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
乔明
作品数:627被引量:131H指数:7
供职机构:电子科技大学
研究主题:导电类型 功率半导体器件 半导体功率器件 比导通电阻 击穿电压
罗小蓉
作品数:316被引量:89H指数:6
供职机构:电子科技大学
研究主题:导通压降 关断损耗 槽栅 LIGBT SOI
李肇基
作品数:360被引量:624H指数:13
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
张晓菲
作品数:28被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学
研究主题:击穿 击穿电压 结终端 曲率 衬底