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搜索到106篇“ 静电感应晶闸管“的相关文章

一种静电感应晶闸管及其制作方法: 本发明公开了一种静电感应晶闸管及其制作方法，涉及半导体技术领域，提供了一种新的静电感应晶闸管的结构，其正面中间为栅极、两侧为阴极，背面为阳极，在其制作过程中，由于裸露在外的P+杂质区域较小，因此杂质自扩散的问题大幅减轻，...; 范捷万立宏王绍荣

一种静电感应晶闸管及其制作方法: 本发明公开了一种静电感应晶闸管及其制作方法，涉及半导体技术领域，提供了一种新的静电感应晶闸管的结构，其正面中间为栅极、两侧为阴极，背面为阳极，在其制作过程中，由于裸露在外的P+杂质区域较小，因此杂质自扩散的问题大幅减轻，...; 范捷万立宏王绍荣; 文献传递

一种静电感应晶闸管及其制造方法: 本发明提供一种静电感应晶闸管及其制造方法，以解决现有技术获得的SITH不能满足最新的使用要求的问题，通过在器件阳极区增加第一高掺杂区，从而形成了一个寄生的晶体管，降低SITH的导通压降，同时，阳极区的第一高掺杂区降低了阳...; 不公告发明人; 文献传递

一种碳化硅静电感应晶闸管: 本实用新型公开了一种碳化硅静电感应晶闸管，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型...; 李佳杨小艳葛明张林; 文献传递

N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法: 本发明公开了一种N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻...; 张林谷文萍胡笑钏高恬溪; 文献传递

P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法: 本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型Si...; 张林张赞高恬溪朱玮; 文献传递

N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法: 本发明公开了一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和...; 张林张赞高恬溪朱玮; 文献传递

P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法: 本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和...; 张林张赞朱玮高恬溪; 文献传递

简介静电感应晶体管和静电感应晶闸管: 2015年; 静电感应晶体管（SIT）和静电感应晶闸管（SITH）是两种结构与原理有许多相似之处的新型高频大功率电力电子器件。是利用静电感应原理控制工作电流的功率开关器件，文中简介它们的结构工作原理、基本特性和某些应用。; 曲学基; 关键词：静电感应晶闸管静电感应晶体管电力电子器件功率开关器件高频大功率

基于静电感应晶闸管的ESD保护器件特性研究: 随着半导体制造工艺的进步,器件的特征尺寸越来越小,静电放电(ESD, Electro-Static Discharge)已经成为集成电路中最重要的可靠性问题之一。为了有效地提高深亚微米级集成电路的ESD保护能力,改进和设...; 赵飞虎; 关键词：健壮性; 文献传递

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李思渊: 作品数：62被引量：38H指数：4; 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所; 研究主题：静电感应器件静电感应晶体管静电感应晶闸管 SITH SIT

刘肃: 作品数：112被引量：183H指数：7; 供职机构：兰州大学; 研究主题：静电感应器件 SITH 静电感应晶闸管单晶 CMOS

张林: 作品数：117被引量：115H指数：6; 供职机构：长安大学; 研究主题：碳化硅欧姆接触能量转换效率封装密度肖特基接触

刘瑞喜: 作品数：17被引量：16H指数：3; 供职机构：兰州大学; 研究主题：静电感应晶体管静电感应晶闸管静电感应器件 SIT SITH

高恬溪: 作品数：15被引量：0H指数：0; 供职机构：长安大学; 研究主题：缓冲层漂移碳化硅静电感应晶闸管光通信