搜索到4015篇“ 雪崩光电二极管“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
雪崩光电二极管
本实用新型涉及一种雪崩光电二极管。本实用新型的一个目的是提供一种改进的雪崩光电二极管。一种雪崩光电二极管，包括：适于被反向偏置的主PN结；以及多个半导体区域，所述多个半导体区域至少包括：第一区域，所述第一区域是第一导电类...
A·兹莫D·戈兰斯基S·普雷斯G·玛钱德
雪崩光电二极管和探测器
本发明公开一种雪崩光电二极管和探测器，雪崩光电二极管包括具有第一掺杂类型的衬底、第二半导体区和第四半导体区，具有第二掺杂类型的第一半导体区，为高浓埋层的第三半导体区，第一半导体区设于第一表面，第二半导体区由第一半导体区背...
方磊
雪崩光电二极管和探测器
本发明公开一种雪崩光电二极管和探测器，雪崩光电二极管包括具有第一掺杂类型的外延层、第三半导体区和第四半导体区，具有第二掺杂类型的第一半导体区、第二半导体区，以及吸杂区；第一半导体区为阴极，设于第一表面，第二半导体区包裹于...
兰武
雪崩光电二极管和探测器
本发明公开一种雪崩光电二极管和探测器，雪崩光电二极管包括衬底，第一半导体区、第二半导体区、第三半导体区、第四半导体区、第五半导体区、第六半导体区以及第七半导体区，第三半导体区与第二半导体区形成第一击穿结；第五半导体区为第...
方磊
一种雪崩光电二极管及制备方法
本发明公开了一种雪崩光电二极管及制备方法，包括衬底以及自下而上依次生长在衬底上的p型接触层、重p型掺杂电子阻挡层、渐变掺杂多量子阱吸收层、电场调控层层、倍增层和n型接触层，还包括p接触和n接触，所述p接触设于所述p型接触...
杨骏捷付慧清曾冬妮潘淑洁
一种雪崩光电二极管的封装结构
本发明公开了一种雪崩光电二极管的封装结构，包括APD芯片、中介板单元、TIA芯片和封装基底，中介板单元和TIA芯片均电气连接封装基底，且中介板单元和TIA芯片处于同一平面内；APD芯片的两个电极分别电气连接中介板单元和T...
吴冀亮祁帆蔡鹏飞
一种雪崩光电二极管及制备方法
本发明公开了一种雪崩光电二极管及制备方法，包括衬底以及自下而上依次生长在衬底上的p型接触层、重p型掺杂电子阻挡层、渐变掺杂多量子阱吸收层、电场调控层层、倍增层和n型接触层，还包括p接触和n接触，所述p接触设于所述p型接触...
杨骏捷付慧清曾冬妮潘淑洁
雪崩光电二极管传感器和测距装置
本发明旨在提高测距精度。根据本发明的雪崩光电二极管传感器包括第一半导体基板(51)和与所述第一半导体基板的第一面接合的第二半导体基板(52)。所述第一半导体基板包括以矩阵状排列的多个光电转换部(21)和用于将所述多个光电...
八木慎一郎若野寿史
一种单光子雪崩光电二极管及其制备方法
本发明公开了一种单光子雪崩光电二极管及其制备方法，首先提供特定掺杂浓度的第一掺杂类型衬底，衬底包括外延层；对外延层进行第二掺杂类型的掺杂，形成第一区域；在第一区域上对外延层进行第一掺杂类型的离子注入，形成第二区域，第一区...
胡从振
一种基于SAGCM结构的十级倍增雪崩光电二极管
本申请的实施例提供了一种基于SAGCM结构的十级倍增雪崩光电二极管，该二极管为SAGCM结构，从顶部至底部包括欧姆接触层、P型势垒层、吸收层、过渡层、电荷层、倍增层、N型势垒层以及衬底，吸收层进行光电转换，增大光吸收，过...
张焱超张凡高华川
加载更多 ∨

相关作者

陈钱
作品数：1,166被引量：2,035H指数：21
供职机构：南京理工大学
研究主题：图像 红外图像 非均匀性 成像 非均匀性校正
高新江
作品数：62被引量：83H指数：6
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题：雪崩光电二极管 探测器芯片 光电二极管 INGAAS 雪崩
许金通
作品数：88被引量：141H指数：5
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：紫外探测器 GAN 氮化镓 ALGAN 雪崩光电二极管
廖常俊
作品数：195被引量：594H指数：13
供职机构：华南师范大学
研究主题：量子保密通信 量子密钥分发 光纤光栅 MOCVD 雪崩光电二极管
赵彦立
作品数：37被引量：15H指数：2
供职机构：华中科技大学
研究主题：雪崩光电二极管 光子晶体结构 光子晶体 刻蚀 单光子