搜索到1812篇“ 键合界面“的相关文章
碳化硅-玻璃-碳化硅阳极界面性能分析
2025年
碳化硅(SiC)因其优异的高温性能和稳定性,被广泛认为是新一代高温半导体器件封装的理想材料。利用两步阳极工艺实现了碳化硅-玻璃-碳化硅的可靠连接。两步过程中,第一步和第二步中的峰值电流存在较大差异,尤其在第二步过程中电流出现二次峰值特征。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对样品界面进行分析。研究结果表明:当电压过大时,在第二步界面处会产生富碳层,从而影响效果。使用万能试验机对样品进行拉伸测试,发现强度随着温度和电压的升高而增大,断裂面沿第二步界面延伸到玻璃内部。
刘淑文阴旭刘翠荣许兆麒于秀秀王强
关键词:阳极键合键合强度
MEMS传感器异质材料界面的可靠性分析
2025年
微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)传感器的制备会涉及多种材料的,过程中不同材料之间由于热膨胀系数不同而产生各种内部应力,当应力大于强度时,材料分层从而导致器件失效。为了明确异质材料间微观应力对器件可靠性的影响,文章考虑材料的热膨胀系数和温度影响下的杨氏模量,利用COMSOL仿真获得的应力数据建立异质材料间的界面应力在不同温度、热膨胀系数和杨氏模量3种因素共同影响下的理论数学模型;并针对MEMS传感器中的硅-玻璃界面,基于相关强度数据,结蒙特卡洛方法和应力强度干涉模型计算得到异质材料界面的可靠度。结果显示,异质材料界面的可靠度为0.992108,表明在服从韦布尔分布下的温度产生的应力不足以引起材料失效,此时器件的稳定性和可靠性较高,验证了所建模型的正确性和实用性,实现了对MEMS传感器退化行为的建模及预测。
袁婷许高斌关存贺马渊明冯建国
关键词:键合界面热应力可靠性
金铝界面行为分析与寿命模型研究
2025年
随着电子封装技术的飞速发展,金铝工艺作为一种重要的金属间连接方式,在电子器件的制造过程中得到了广泛的应用。然而,在高温环境下,金铝界面的寿命会出现退化现象,直接影响整个电子系统的稳定性和寿命。设计不同温度下的高温加速寿命试验,对比分析不同时间条件下的金铝界面行为,研究金铝焊点的机械性能退化规律。同时,利用Arrhenius模型构建了金铝焊点的特征寿命与绝对温度的寿命应力模型,并根据寿命应力模型分别预测了焊点在非工作状态与工作状态下的特征寿命。
张浩周伟洁李靖
关键词:封装技术
一种提升复衬底界面质量的方法和复衬底
本发明提供了一种提升复衬底界面质量的方法和复衬底。所述方法包括:提供待的两个衬底,在两个衬底中的至少一个衬底的待面上生长缓冲层,然后进行,得到复衬底;其中,生长所述缓冲层的方法包括以下步骤:(1)对...
邢永禄刘福超母凤文谭向虎
界面缺陷检测方法及装置
本发明涉及一种界面缺陷检测方法及装置。所述界面缺陷检测方法包括如下步骤:放置结构于一容纳有流体的处理腔内,使得所述结构中的界面浸没于所述流体内;控制一探测源在所述流体内沿第一预设轨迹运动,以获得所述...
苏盼盼楚文
一种快速判断激光解界面的方法
本申请公开了一种快速判断激光解界面的方法,属于半导体技术领域。该方法包括:根据目标样片区域的膜层结构,选择腐蚀液,腐蚀液对膜层结构中不同膜层材料的腐蚀效率不同;测试激光解后所得的两个晶圆的表面电阻值,记录为R...
姚胤旭赵磊王晓峰黄永忠潘岭峰何刘陈丝雨
一种提高Si/InGaAs界面热稳定性的方法
一种提高Si/InGaAs界面热稳定性的方法。采用MOCVD在Si衬底上外延单晶In<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub>Ga<Sub>x</Sub>As缓冲层,通过低温获得Si基InGaAs薄膜...
陈松岩焦金龙纪若昀李成黄巍林光杨
界面厚度可控的异质器件的制备方法、异质器件和电光调制器
本发明公开了一种界面厚度可控的异质器件的制备方法、异质器件和电光调制器,涉及光电技术领域。异质器件的制备方法,包括:提供光电薄膜材料芯片;提供晶圆,所述晶圆包括晶圆氧化层;将所述光电薄膜材料芯片与所述晶圆...
张宇强薛海韵
用于冷却混界面的微流体通道
本公开涉及用于冷却混界面的微流体通道。提供一种具有具微流体通道的混界面的半导体装置。所述半导体装置包含:第一裸片,其包括第一钝化层,其中所述第一钝化层包含一或多个第一沟槽;及第二裸片,其包括第二钝化层,其中所...
S·卡里卡兰赵子群M·马尤卡曹力明A·罗摩克里希南D·萨拉斯沃图拉R·谢里菲
Au-Al界面金属间化物对可靠性影响的研究被引量:1
2024年
引线工艺是半导体封装过程中十分重要的一道工序,质量的提高基于可靠性的提升,而界面的可靠性,乃至对电子元器件的服役性能和使用寿命都有着极大的影响。但是,在完成初期,由于会形成少量的金属间化物(IMC)。而且,随着时间的增加和温度的升高,金属间化物会增加。金属间化物过多时易导致强度降低、变脆,以及接触电阻变大等问题,应该看到,脆性的金属间化物会使点在受周期性应力作用时引发疲劳破坏,最终可导致器件开路或器件的电性能退化。其中,金属间化物的形成和可肯达尔(Kirkendall)空洞是金铝(Au-Al)失效的主要失效机理。本文结充分的实验测试数据及相关文献,综述界面上金属间化物的形成以及演变机理,并且从不同种类的金线、芯片焊盘的铝层厚度、不同焊线的模式、不同类型的封装树脂,四个方面探讨界面金属间化物对可靠性的影响。
张健健吴超陶少杰
关键词:金属间化合物

相关作者

陈松岩
作品数:219被引量:225H指数:7
供职机构:厦门大学
研究主题:锗 键合 键合界面 硅基 INP
王晨曦
作品数:61被引量:64H指数:4
供职机构:哈尔滨工业大学
研究主题:键合 表面活化 键合界面 丝素蛋白 直接键合
欧欣
作品数:394被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:衬底 缺陷层 压电薄膜 键合 谐振器
游天桂
作品数:147被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:缺陷层 衬底 键合 氧化镓 晶圆
田艳红
作品数:267被引量:481H指数:12
供职机构:哈尔滨工业大学
研究主题:焊点 电子封装 键合 可靠性 金属间化合物