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一种锑化镓多晶合成方法
本发明公开了一种锑化镓多晶合成方法，包括以下步骤：称取锑与镓；放入石英管；放入合成炉；加热合成；逐渐冷却；取出锑化镓多晶。通过本合成方法，能合成高质量锑化镓多晶，利用合成的锑化镓多晶进行单晶生长，可以有效的解决用高纯锑单...
黄四江王美春尹归杨海平殷云川林作亮王顺金刘得伟
一种液封直拉生长大直径锑化镓单晶的方法
本发明公开了一种液封直拉生长大直径锑化镓单晶的方法，包括：液封剂脱水；多晶料的清洗；多晶料与液封剂的装炉；洗气与熔化原料；引晶与放肩；晶体等径生长；晶体收尾与退火冷却。本发明专利中通过采用锑化镓多晶作为长晶原料、加液封剂...
黄四江王美春王茺普世坤尹归杨海平殷云川刘得伟王顺金林作亮
一种锑化镓表面清洗液和锑化镓衬底的清洗方法
本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种锑化镓表面清洗液和采用该清洗液对锑化镓衬底进行清洗的方法。所述锑化镓表面清洗液由洗涤剂和水混合得到，所述洗涤剂和水的质量比为（8～15）：8，所述洗涤剂选自氢氧化铵、乙醇、醇醚、...
李昭静王世峰张栓平王泽华
一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片
本发明提供一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片，一种锑化镓晶片的抛光方法包括如下步骤：（1）对锑化镓晶片进行减薄，去除锑化镓晶片表面的损伤与高点等不平整区域；（2）对步骤（1）减薄后的锑化镓晶片采用抛光布配合中...
王文乾孙占帅刘泳沣
一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片
本发明提供一种锑化镓晶片的抛光方法及所制备的锑化镓抛光片，一种锑化镓晶片的抛光方法包括如下步骤：（1）对锑化镓晶片进行减薄，去除锑化镓晶片表面的损伤与高点等不平整区域；（2）对步骤（1）减薄后的锑化镓晶片采用抛光布配合中...
王文乾孙占帅刘泳沣
一种四英寸锑化镓单晶生长炉
一种四英寸锑化镓单晶生长炉，涉及单晶生长技术领域，包括生长区和化料区，两个区域使用不同的温场、不同的坩埚，多晶料先在化料区融化，融化的多晶料及覆盖剂会缓慢的流入下部生长区的坩埚内，通过测温点能够了解物料是否全部流入生长区...
袁韶阳于会永冯佳峰赵春锋赵中阳
锑化镓晶体的生长方法
提供一种锑化镓晶体的生长方法，所述锑化镓晶体的生长方法采用提拉法，提拉法生长锑化镓晶体的物料置于坩埚内，坩埚内的物料为摩尔比为1:99‑5:95的Ga单质与GaSb化合物的混料。通过摩尔比为1:99‑5:95的Ga单质与...
狄聚青李镇宏
一种锑化镓多晶的合成系统及方法
本发明属于半导体衬底材料制备技术领域，具体涉及一种锑化镓多晶的合成系统及方法，该系统由加热容器、底座支撑装置、加热装置、电磁搅拌装置和保温装置组成。基于该系统，按照装填物料、升温熔化以及多晶合成的步骤生产锑化镓多晶。合成...
王顺金韦华韩家贤李芳艳唐康中刘吉才柳廷龙刘汉保赵兴凯牛应硕余海龙张丽萍骆金秋黄四江林作亮
一种用于大直径锑化镓晶体生长除杂装置
一种用于大直径锑化镓晶体生长除杂装置，涉及晶体生长技术领域，包括生长坩埚组件和熔料除杂组件；所述的熔料除杂组件包括融料坩埚、分凝坩埚组件及上旋转升降杆，融料坩埚位于分凝坩埚组件的上方，融料坩埚的下端带有漏料口，上旋转升降...
郑红军袁韶阳于会永冯佳峰
一种锑化镓精抛光液及精抛光方法
本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种锑化镓精抛光液和精抛光方法，所述锑化镓精抛光液由包括二氯异氰尿酸钠、碳酸氢钠和水的原料制得；基于二氯异氰尿酸钠、碳酸氢钠和水的总重量计，二氯异氰尿酸钠占总重量的10%～14%，碳...
石志奎王世峰张栓平王泽华
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供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：超晶格 分子束外延 锑化物 红外探测器 INAS/GASB超晶格
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作品数：102被引量：75H指数：5
供职机构：云南师范大学
研究主题：铜锌 分子束外延 太阳电池 超晶格 INAS/GASB超晶格
刘京明
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供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化镓 砷化铟 单晶片 GASB 衬底
赵有文
作品数：113被引量：105H指数：7
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶