搜索到161篇“ 铝镓砷“的相关文章
一种分子束外延低组分材料的组分校准方法
本发明涉及一种分子束外延低组分材料的组分校准方法,其中元素及元素的组分含量满足Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As,且低组分指组分含量占0.2%~10.0%,包括如下步骤:S1...
陈意桥傅祥良钱程
一种分子束外延低组分材料的组分校准方法
本发明涉及一种分子束外延低组分材料的组分校准方法,其中元素及元素的组分含量满足Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>As,且低组分指组分含量占0.2%~10.0%,包括如下步骤:S1...
陈意桥傅祥良钱程
一种二硫化钼/铟氮或多结异质太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种二硫化钼/铟氮或多结异质太阳能电池,自底而上依次是背电极层、多结半导体衬底层、二硫化钼/铟氮或层、量子点层,此外还设置有正面电极;所述的多结半导体衬底层包括多结电池,并在多结电池顶部设置有...
林时胜孙利杰沈闰江周大勇陆阳华
一种反脊型波导及其方法
本发明公开了一种用于产生高相干倍频程中红外超连续谱及频率梳的反脊型波导及其方法,包括:导波层和衬底;所述导波层材料为Al<Sub>0.18</Sub>Ga<Sub>0.82</Sub>As,所述衬底材料为Al<Su...
苑金辉赖锦涛张璐琦邱石颜玢玢王葵如周娴霍佳皓桑新柱余重秀
一种波导结构及利用该波导产生超连续谱的方法
本发明提供了一种波导结构及利用该波导产生超连续谱的方法。所述波导结构包括:衬底,所述衬底的表面具有凹槽;导光层,该导光层设于凹槽内且部分向外凸出,所述导光层上表面距离凹槽上...
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一种反脊型波导及其方法
本发明公开了一种用于产生高相干倍频程中红外超连续谱及频率梳的反脊型波导及其方法,包括:导波层和衬底;所述导波层材料为Al<Sub>0.18</Sub>Ga<Sub>0.82</Sub>As,所述衬底材料为Al<Su...
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一种波导结构及利用该波导产生超连续谱的方法
本发明提供了一种波导结构及利用该波导产生超连续谱的方法。所述波导结构包括:衬底,所述衬底的表面具有凹槽;导光层,该导光层设于凹槽内且部分向外凸出,所述导光层上表面距离凹槽上...
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一种二硫化钼/铟氮或多结异质太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种二硫化钼/铟氮或多结异质太阳能电池,自底而上依次是背电极层、多结半导体衬底层、二硫化钼/铟氮或层、量子点层,此外还设置有正面电极;所述的多结半导体衬底层包括多结电池,并在多结电池顶部设置有...
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低温生长光折变效应的研究被引量:1
2019年
三元化合物(AlGaAs)是一种可用于全光固体超快诊断技术的重要材料.基于低温外延技术的AlGaAs材料不仅具有低温生长(low-temperature grown GaAs, LT-GaAs)超短载流子寿命的特点,并且可以调整材料的禁带宽度,为超快诊断系统的设计增加了极大的灵活性.泵浦-探测实验结果表明,低温外延生长可以有效加速AlGaAs材料的非平衡载流子复合,非平衡载流子弛豫时间小于300 fs,而非平衡载流子的复合时间低至2.08 ps.由于经过特殊的钝化工艺处理,极大地降低了表面复合对载流子衰退过程的影响,而低温外延生长引入的As原子团簇,形成了深能级缺陷,是加速载流子复合的主要因素.基于单复合中心的间接复合理论,建立LT-AlGaAs载流子演化模型,获得与复合速率相关的关键物理参量:载流子俘获面积δe=6.6×10^-14 cm^2,δh=4.7×10^-15 cm^2,计算结果与实验相符.该方法可用于半导体材料载流子演化特性定量分析,有助于推进超快响应半导体材料的优化改进.
钟梓源何凯苑云汪韬高贵龙闫欣李少辉尹飞田进寿
关键词:光折变铝镓砷泵浦-探测载流子寿命
全光固态分幅相机中响应材料光致折变效应的研究
高速光学摄影是目前工业生产、科学研究中十分重要的探测和记录手段,在微观领域的研究中显得尤为重要。现今大多数前沿科学研究,如高能量密度物理研究、生物化学过程研究等,均对探测设备的时空分辨有较高的要求。为进一步提超快二维成像...
钟梓源
关键词:铝镓砷非平衡载流子

相关作者

马骁宇
作品数:407被引量:647H指数:12
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 激光器 半导体可饱和吸收镜 热沉 量子阱混杂
苑金辉
作品数:133被引量:100H指数:5
供职机构:北京邮电大学
研究主题:光子晶体光纤 光场 纤芯 视差 光纤
王俊
作品数:96被引量:182H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体激光器 衬底 硅衬底 电极接触 波导
陆卫
作品数:750被引量:648H指数:11
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:红外探测器 量子阱红外探测器 膜系 碲镉汞 多量子阱
尹军舰
作品数:85被引量:60H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MMIC 欧姆接触 高电子迁移率晶体管