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一种高介常数、低损耗电容
本发明公开了一种高介常数、低损耗电容器及其制备方法,涉及陶瓷电容器技术领域,其制备原料包括介陶瓷组合物,所述介陶瓷组合物包含(BimAnBpCq)FeO3、Bi(FemDnEpFq)O3中的至少一种,其中A、B...
刘亦谦刘隽甫孙士伦徐邵亮
一种薄膜的制备方法和电容
本公开提供了一种薄膜的制备方法和电容器,可以应用于半导体技术领域。该薄膜的制备方法包括:在衬底上形成第一极层;利用Hf靶材和Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>靶材,通过磁控溅射在第一极层...
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电容器和制造电容器的方法
本发明涉及一种电容器和制造电容器的方法。电容器包括:第一极,第一极包含钛氮化物(TiN);层,层形成在第一极上,并且层包含铪(Hf)氧化物或铪锆氧化物(HZO);以及界面层,界面层设置在...
金玟爀朴昶均金德镐金杜镐闵庆仁黄喆周
一种电容器超快滞回线测量方法
本发明属于固态介质材料测试技术领域,具体为一种电容器超快滞回线测量方法。本发明提出一种等效路,能够求得线路中杂散感以及杂散感的分压随时间的变化;同时提出电容滞回线校正方法;首先在标准电容电容器...
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一种PbZrO<SUB>3</SUB>反电容器及其制备方法
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基于氮化物底极的铝钪氮电容存储器及制备方法
本发明公开了一种基于氮化物底极的铝钪氮电容存储器及其制备方法,通过在富氮环境下生长金属氮化物极作为铝钪氮层的底极实现对铝钪氮电容存储器的性能调控,具体是在富氮环境下,在基底上沉积生长氮化物底极,随后在...
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一种铪锆氧化物薄膜电容的高湿环境性能保持方法
本发明公开了一种铪锆氧化物薄膜电容的高湿环境性能保持方法,包括湿法工艺后的退火处理和器件的抗湿结构。在湿法工艺中,铪锆氧化物薄膜易与水汽反应生成氢氧化锆。通过选择合适的退火温度可以逆转该反应,确保薄膜成分的稳定。同时...
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一种面向路仿真的电容建模方法
本发明公开了一种面向路仿真的电容建模方法,包括以下步骤;步骤1:修正节点分析法,使得MNA与Fecap的MNA model建模联系;步骤2:Fecap元件的MNA model形成过程,基于MNA,利用Fecap的L...
李博陈凯陈冰韩根全刘艳
在PDK中建立电容模型的方法、装置、设备及介质
本申请公开了一种在PDK中建立电容模型的方法、装置、设备及介质,提取电容基于仿真影响的PDK规格定义表;其中,PDK规格定义表中包括规格指标和公式定义;定义电容的参数化单元的组件描述格式参数,根据规格指标确定...
邵天奇伍逸成刘厚方
Mechanical manipulation of the transient negative capacitance effect in resistor-ferroelectric capacitor circuit
2025年
Transient negative capacitance(NC),as an available dynamic charge effect achieved in resistor-ferroelectric capacitor(R-FEC)circuits,has triggered a series of theoretical and experimental works focusing on its physical mechanism and device application.Here,we analytically derived the effects of different mechanical conditions on the transient NC behaviors in the R-FEC circuit based on the phenomenological model.It shows that the ferroelectric capacitor can exhibit either NC(i.e.,“single NC”and“double NC”)or positive capacitance,depending on the mechanical condition and temperature.Further numerical calculations show that the voltage drop caused by NC can be effectively controlled by temperature,applied stress,or strain.The relationship between NC voltage drop and system configurations including external resistance,dynamical coefficient of polarization,and input voltage are presented,showing diverse strategies to manipulate the NC effect.These results provide theoretical guidelines for rational design and efficient control of NC-related electronic devices.
Qian HeWeijin ChenXin LuoYue Zheng
关键词:FERROELECTRIC

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