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铁电场效应晶体管
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
铁
电
场效应
晶体管
被引量:7
2000年
介绍了
铁
电
场效应
晶体管
(FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、
铁
电
薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕
铁
电
薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对
王华
于军
周文利
王耘波
谢基凡
周东祥
朱丽丽
关键词:
铁电薄膜
晶体管
一种基于黑磷
铁
电
场效应
晶体管
的逻辑门
电
路
本申请公开了一种基于黑磷
铁
电
场效应
晶体管
的逻辑门
电
路,涉及逻辑门
电
路技术领域,利用黑磷
铁
电
场效应
晶体管
构成了各种固定的逻辑门
电
路和可调节的逻辑门
电
路,实现了黑磷
铁
电
场效应
晶体管
的首次固定逻辑应用和首次可变逻辑应用,相较于...
王林
胡震
范汇川
潘晓凯
陈效双
铁
电
场效应
晶体管
、存储器器件和神经网络器件
本发明涉及
铁
电
场效应
晶体管
、存储器器件和神经网络器件。
铁
电
场效应
晶体管
包括:沟道、设置为面向所述沟道的栅
电
极、设置在所述沟道和所述栅
电
极之间的
铁
电
层、设置在所述沟道和所述
铁
电
层之间的界面层、以及设置在所述
铁
电
层和所述栅
电
...
柳时正
南胜杰
金东勋
李泫宰
崔德铉
崔硕训
一种基于应变硅技术的
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法
本发明公开了一种基于应变硅技术的
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法,该
铁
电
场效应
晶体管
包括:第一掺杂类型的Si衬底;第二掺杂类型的漏区和源区,位于Si衬底的两端内,且其上表面均与Si衬底的上表面齐平;SiO<SUB>2</SU...
郝敏如
陈丹婷
邵敏
张艳
周旬
一种基于栅叠层优化的
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法
本发明公开一种基于栅叠层优化的
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法,属于微纳
电
子学技术领域。本发明FeFET优化的栅叠层结构包括在衬底顶层硅上依次堆叠的氧化铝沟道界面层、双层铪锆氧
铁
电
层、氧化铝栅界面层和栅金属
电
极,所述双层铪锆...
唐克超
周粤佳
黄如
基于
铁
电
场效应
晶体管
的存算一体多数表决逻辑门
电
路
本实用新型公开了一种基于
铁
电
场效应
晶体管
的存算一体多数表决逻辑门
电
路,其包括输入模块、运算模块、放
电
模块、输出模块;输入模块接收三个
电
压信号并按时间顺序传递至运算模块;运算模块包括一个
铁
电
场效应
晶体管
,根据栅极和源极接收...
查晓婧
王伦耀
杨朝晖
一种双
铁
电
增强型
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法与应用
本发明公开了一种双
铁
电
增强型
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法与应用,属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明制备了基于钌酸锶/
铁
酸铋/二氧化铪/三硒化二铟的
铁
电
场效应
晶体管
电
子器件,其中钌酸锶作为栅极,
铁
酸铋作为
铁
电
介
电
层,二...
王艳荣
何军
一种
铁
电
场效应
晶体管
阵列的写入方法
本发明公开一种
铁
电
场效应
晶体管
阵列的写入方法,属于微纳
电
子学技术领域。本发明方法针对1T结构的多级存储
铁
电
场效应
晶体管
阵列,提出自补偿写入方法,采用自补偿波形的脉冲序列进行写入,分别对应多级存储中不同的存储状态,高于中间...
唐克超
周粤佳
黄如
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法
本申请提出一种
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法,该
铁
电
场效应
晶体管
包括:衬底;形成于所述衬底上的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层包括沿远离所述衬底方向依次形成的第一铝钪氮层和第二铝钪氮层,且所述第一铝钪氮层中钪元素的组分含量与所述...
许高博
刘思源
许子铭
张兆浩
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法
本发明涉及微
电
子器件技术领域,尤其涉及
铁
电
场效应
晶体管
及其制备方法,包括衬底,所述衬底一侧设置有源极区和漏极区,衬底靠近源极区和漏极区的一侧表面由下至上依次设置有缓冲层、
铁
电
层和栅极层,缓冲层设置于源极区和漏极区之间的衬...
曾斌建
郝天奇
廖敏
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廖敏
作品数:150
被引量:11
H指数:2
供职机构:湘潭大学
研究主题:铁电 铁电薄膜 氧化铪 电极 铁电场效应晶体管
周益春
作品数:535
被引量:444
H指数:10
供职机构:湘潭大学
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黄如
作品数:1,323
被引量:363
H指数:11
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郝跃
作品数:2,605
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彭悦
作品数:24
被引量:1
H指数:1
供职机构:西安电子科技大学
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