搜索到58537篇“ 金属-氧化物-半导体“的相关文章
- 双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应被引量：1
- 2024年
- 本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子注量达到9×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,在偏置电压为500 V时,重离子注量达到3×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电压的34%(400 V)以下.对辐照后器件进行栅特性测试,辐照过程中偏置电压为100 V的器件泄漏电流无明显变化;200 V和300 V时,器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.结合TCAD仿真模拟进一步分析器件单粒子效应微观机制,结果表明在低偏压下,泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,导致了氧化层的损伤;在高偏压下,辐照过程中N-外延层和N+衬底交界处发生的电场强度增大,引起显著的碰撞电离,由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,最终引起单粒子烧毁.
- 李洋帆郭红霞张鸿白如雪张凤祁马武英钟向丽李济芳卢小杰
- 关键词：重离子辐照单粒子烧毁
- 一种SiC基纳米尺度金属-氧化物-半导体场效应晶体管
- 本发明公开了一种SiC基纳米尺度金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管，其结构包括源、漏电极，栅极，氧化层以及中间沟道散射区域。其中，源、漏电极采用p型掺杂二维SiC材料；栅极采用双栅结构，分为顶栅和底栅；顶栅和底栅与中间沟道...
- 谢海情崔凯月蔡稀雅陈振华谢进
- 一种基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管合成的等效电感电路
- 一种基于金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管合成的等效电感电路，涉及射频集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)、第二跨导单元(2)、第一偏置单元(3)、第二偏置单元(4)、第一反馈电阻单元(5)、第三跨导单元(6)、第四跨导...
- 张万荣吴银烽那伟聪任衍贵王晓雪高文静李楠星
- 单层α-GeTe金属-氧化物-半导体场效应晶体管电子输运性质的研究
- 后摩尔时代，如何提高晶体管性能是微电子技术向物联网、人工智能和5G方向发展的关键技术基础。但是，目前广泛使用的硅基场效应晶体管（FETs）随特征尺寸缩小引起的短沟道效应、量子效应使器件的功耗问题日益突出。因此，从创新方式...
- 王茹钰
- 关键词：场效应晶体管电子输运性质
- 互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及影像传感器的形成方法
- 本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧...
- 江彦廷陈春元曾晓晖王昱仁刘人诚杨敦年
- U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响被引量：2
- 2020年
- U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频功率和刻蚀掩模,研究了GaN垂直沟槽型MOSFET电学特性的工艺依赖性.研究结果表明,适当降低射频功率,在保证侧壁陡直的前提下可以改善沟道电子迁移率,从35.7 cm^2/(V·s)提高到48.1 cm^2/(V·s),并提高器件的工作电流.沟道处的界面态密度可以通过亚阈值摆幅提取,射频功率在50 W时界面态密度降低到1.90×10^12 cm^-2·eV^-1,比135 W条件下降低了一半.采用SiO2硬刻蚀掩模代替光刻胶掩模可以提高沟槽底部的刻蚀均匀性.较薄的SiO2掩模具有更小的侧壁面积,高能离子的反射作用更弱,过刻蚀现象明显改善,制备出的GaN垂直沟槽型MOSFET沟道场效应迁移率更高,界面态密度更低.
- 陈扶唐文昕于国浩张丽徐坤张宝顺
- 关键词：射频功率
- 互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及影像传感器的形成方法
- 本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧...
- 江彦廷陈春元曾晓晖王昱仁刘人诚杨敦年
- 金属-氧化物-半导体硅发光器件在集成电路中的应用前景被引量：4
- 2019年
- 集成硅光电子学的目的之一就是为大众市场创造应用广泛、成本低廉的光子互连工具.随着摩尔定律逼近理论极限,集成芯片的金属互连越来越跟不上芯片体积微型化、频率高速化和功耗分配精益化的需求.本文基于硅基发光器件的发展历程,详细论证了金属-氧化物-半导体结构硅发光器件在未来集成电路中的合理应用,提出了全硅光电集成电路在理论和工艺上的可行性.这种电路突破了传统芯片电互连码之间串扰的瓶颈,改善之后的互连速度理论可达光速,有望成为新一代集成芯片的主流.
- 张宁徐开凯陈彦旭朱坤峰赵建明于奇
- 关键词：光互连光源
- 金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管的外延层结构
- 本发明公开了一种金属‑氧化物沟道半导体场效应晶体管的外延层结构，金属‑氧化物半导体场效应晶体管设置有外延层结构、栅极、衬底和沟道，沿衬底指向栅极的方向定义为延伸方向，外延层结构的掺杂浓度沿延伸方向先逐渐增大然后再逐渐减小...
- 胡军罗志云王飞
- 非磁性混合肖特基结金属—氧化物—半导体结构中的磁调控光电效应
- 纳米结构中的光电效应一直是一个热点课题,在光电探测,光伏电池,电子元件等领域有巨大的应用价值。侧向光伏效应作为其中一种典型的光电效应,由于在灵敏位置探测器中的应用也得到了广泛关注,其最显著的特点是侧向光伏值与光照点位置呈...
- 胡洁琼
- 关键词：肖特基势垒
