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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括晶体管以及固定板，所述固定板内设置空腔，所述空腔内安装晶体管，所述晶体管底端安装多个输出端，所述空腔底端均匀分布第一通孔，所述第一通孔顶端安装保护管，保护管内部与第一通孔连通，所述输...
- 何淑英
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。浮区包含沿着碳化硅衬底的厚度方向布置的高浓度区和低浓度区。低浓度区中p型掺杂剂的浓度低于高浓度区中p型掺杂剂的浓度。高浓度区与低浓度区接触，并且设置在沟槽的底面与低浓度区之间。在通...
- 荒内琢士金原启道辻村理俊山下侑佑浦上泰
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 在利用GaN形成了金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道形成区的情况下，存在阈值电压(V<Sub>th</Sub>)变得比设计值低的情况。此外，在此情况下，存在导通状态下的载流子的迁移率变得比设计值低的情况。变得比设计值低的...
- 上野勝典
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应晶体管。在俯视观察半导体基板(20)的表面(23)时，源极区(11)和第一接触区(141)在与栅极沟槽(30)的侧面(301)相接的范围内，在沿着栅极沟槽(30)的方向上邻接形成，第二...
- 杉本雅裕渡边行彦宫原真一朗
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明的方法包括将第一金属层沉积在设置在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的源极和漏极中至少一个上的本征SiO<Sub>2</Sub>层上。由本征SiO<Sub>2</S...
- 许俊豪
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明的方法包括将第一金属层沉积在设置在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的源极和漏极中至少一个上的本征SiO<Sub>2</Sub>层上。由本征SiO<Sub>2</S...
- 许俊豪
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅极绝缘介电层，位于所述半导体衬底表面上；栅极，叠加在所述栅极绝缘介电层上表面；源极区域和漏极区域，设置在所述栅极两侧的半导体衬底表面区域中，所述源极区域和漏...
- 孔蔚然
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底；栅极绝缘介电层，位于所述半导体衬底表面上；栅极，叠加在所述栅极绝缘介电层上表面；源极区域和漏极区域，设置在所述栅极两侧的半导体衬底表面区域中，所述源极区域和漏...
- 孔蔚然
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，在实际动作区域周围设置的护圈上未设置电极的部分，在护圈近旁引起电荷集中，而图案不均匀。本发明的金属氧化物半导体场效应晶体管包括：实际动作区域(5)，其排列多个MOS晶体管的单元(6)；源...
- 圆井干将吉村充弘
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- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一基底、间隙壁、源极与漏极延伸层及源极与漏极层。其中，基底上配置有栅极结构，而间隙壁位于此栅极结构的侧壁上。源极与漏极延伸层位于间隙壁以下的基底中，而源极与漏极层位于间隙壁以外的基底...
- 蔡振华蓝邦强林育信刘毅成蔡成宗
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