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- 一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统
- 本发明提供了一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统，涉及半导体检测领域，通过将缺陷参数输入至位移缺陷模型中，相当于假定缺陷为位移缺陷，得到模拟出的仿真曲线，这个仿真曲线是MESFET器件发生位移缺陷的情况下得到...
- 李兴冀杨剑群侯书浩吕钢
- 具有凸型沟道的4H-SiC金属半导体场效应管
- 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有凸型沟道的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别...
- 贾护军张云帆朱顺威王欢杨银堂
- 具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应管
- 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏...
- 贾护军张云帆朱顺威杨银堂
- 双凹槽阶梯缓冲栅4H-SiC金属半导体场效应管及建模仿真方法
- 本发明涉及一种双凹槽阶梯缓冲栅4H‑SiC金属半导体场效应管及建模仿真方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明包括4H‑SiC半绝缘衬底层、P型缓冲层、第一凹槽和第二凹槽、N型沟道层；N型沟道层的上端面分别为源极帽层和漏...
- 张现军李娜邱恒远游娜王明甲秦浩华覃庆良冯宇平孙绍华
- 缓冲阶梯栅金属半导体场效应管的结构及性能研究
- 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料具有许多优良的特性，例如高击穿电场、高电子饱和迁移率、高热导率以及宽禁带宽度等。因此，SiC是设计与制造耐高温高压、高频率、大功率、抗辐照器件的首选材料。由于SiC材料的优异特性及其日...
- 李娜
- 关键词：击穿特性功率特性
- 具有多凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应管的制备方法
- 本发明公开了一种具有多凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法，目的在于提高场效应晶体管的击穿电压和跨导参数，改善直流特性。采用的技术方案为：对4H‑SiC半绝缘衬底进行清洗；外延生长SiC层并原位掺杂乙...
- 贾护军吴秋媛杨银堂柴常春
- 一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管
- 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管；旨在提供能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管；采用的技术方案为：自上而下设置有4H-Si...
- 贾护军张航邢鼎杨银堂
- 一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效应管的制备方法
- 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效应管的制备方法；解决了现有技术存在的问题，旨在提供一种制作工艺简单且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效...
- 贾护军张航邢鼎杨银堂
- 基于碳化硅金属半导体场效应管结构的β辐照探测器
- 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决了现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5～4×10<Sup...
- 郭辉詹晓伟张玉明程和远洪朴
- 基于碳化硅金属半导体场效应管结构的β辐照探测器
- 本发明公开了一种基于碳化硅金属半导体场效应晶体管结构的β射线辐照探测器，主要解决了现有β辐照探测器抗辐照性能不佳和能量转换效率低的问题。该探测器自下而上包括n型衬底(8)、p型缓冲层(7)、浓度为3.5～4×10<Sup...
- 郭辉詹晓伟张玉明程和远洪朴
