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金属互连结构的制备方法
本发明提供一种金属互连结构的制备方法，通过将氮化钛层分两次形成，第一次在高温退火形成金属硅化物层前，第二次在沉积金属层前，形成的第一氮化钛层可对下层的钛层进行较佳的隔离作用，避免钛层接触氧气被氧化，虽然在高温退火过程中该...
胡启涛曾海黄守林
金属互连电容SPICE模型的建模方法
本发明公开了一种金属互连电容SPICE模型的建模方法，包括：步骤一、提供金属互连电容的电容值查询表格。步骤二、提供金属互连电容的常温SPICE模型公式，之后以电容值查询表格中的常温下的电容值为数据点对常温SPICE模型公...
武思凤
一种金属互连器件的阻挡层制备方法
本申请提供了一种金属互连器件的阻挡层制备方法，方法包括：获取初始半导体衬底，所述初始半导体衬底包括位于金属互连器件的器件层上的介质层中的第一沟道；按照第一沉积条件在所述初始半导体衬底上沉积出第一阻挡层，所述第一阻挡层覆盖...
鄢江兵张丽娜卢金德陈献龙
一种半导体金属互连结构的制备方法、装置及电子设备
本申请提供了一种半导体金属互连结构的制备方法、装置及电子设备，涉及半导体制造技术领域，包括：对预设半导体器件进行光刻处理后，形成金属互连基体，其中，金属互连基体的表面形成一沟槽；先后在金属互连基体的表面沉积金属钨和金属铝...
鄢江兵卢金德陈献龙
金属互连
本揭露提供一种金属互连。金属互连包含金属插塞以及盖体。金属插塞具有一上表面，上表面具有一接缝。盖体至少部分地填充该接缝。其中该盖体的一下表面低于该金属插塞的该上表面。
杨浩吴松勳杨能傑郑价言
金属互连线的制造方法及半导体器件
本发明涉及一种金属互连线的制造方法及半导体器件，所述方法包括：蚀刻晶圆的第一主面的金属层形成金属互连线；对所述金属互连线进行清洗处理；对所述清洗后的金属互连线进行氧化处理。本发明通过清洗处理将金属层蚀刻产生的聚合物去除后...
陈亚威简志宏
一种抗电迁移金属互连导线及其制备方法与应用
本发明公开一种抗电迁移金属互连导线及其制备方法与应用，所述制备方法包括：提供金属互连导线；采用惰性元素的离子束对所述金属互连导线进行辐照处理，得到抗电迁移金属互连导线；其中，所述抗电迁移金属互连导线的惰性离子辐照剂量为1...
程鑫庄鑫徐靖夫高诗阳韩兵张轩铭陈铭
氮化钛薄膜及金属互连结构的制备方法
本发明提供一种氮化钛薄膜及金属互连结构的制备方法，通过在ALD形成氮化钛薄膜层后对其进行等离子体处理，且等离子体处理中使用的等离子体包括由惰性气体形成的离子及氮离子，由于惰性气体不会参加反应可利用其物理的轰击效果将氮化钛...
请求不公布姓名魏晓平左明光
金属互连结构的形成方法
本发明提供一种金属互连结构的形成方法，衬底上形成有依次堆叠的互连层和介质层，介质层内形成有凹槽，凹槽贯穿介质层并暴露出互连层；在凹槽内形成金属籽晶层，金属籽晶层覆盖凹槽的侧壁和底部，且凹槽的侧壁的金属籽晶层形成有薄弱点；...
孙忠祥 张文广 张华 成国良 张旭
金属互连结构的制备方法
本申请提供一种金属互连结构的制备方法，包括：提供一半导体结构，其上形成有第一阻挡层；形成第一低K介质层；形成第二低K介质层；形成硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层以形成开口；根据开口，刻蚀形成多个接触孔；形成金属材料层；研磨去除部分...
陈童庆仲召快袁洋朱作华
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康晓旭
作品数：433被引量：6H指数：1
供职机构：上海集成电路研发中心
研究主题：像元 红外探测器 衬底 牺牲层 微桥结构
黄如
作品数：1,279被引量：363H指数：11
供职机构：北京大学
研究主题：场效应晶体管 晶体管 沟道 存储器 超大规模集成电路
王润声
作品数：211被引量：13H指数：1
供职机构：北京大学
研究主题：晶体管 倒片 半导体结构 半导体器件 堆叠
黎明
作品数：206被引量：54H指数：4
供职机构：北京大学
研究主题：晶体管 倒片 半导体结构 堆叠 沟道
林宏
作品数：49被引量：5H指数：1
供职机构：上海集成电路研发中心
研究主题：空气隙 填充金属 铜互连 硅片 金属互连线