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硅微结构负电子亲和势光阴极研究: 负电子亲和势光阴极因其高的电子发射效率、长的寿命、稳定性强以及低的暗电流,已经被广泛应用在电子加速器、自由电子激光以及光电探测器等领域。为了满足对高品质电子束流日益增长的需求,科学家们不断的对光阴极的量子效率和阴极寿命进...; 游俊; 关键词：负电子亲和势微结构湿法刻蚀量子效率

负电子亲和势材料及其在冷阴极中的应用: 2023年; 从20世纪60年代Ga As被首次发现具有负的电子亲和势起,负电子亲和势材料便被广泛地研究并应用于光电发射、二次电子发射以及冷阴极的制备中。相较于传统发射材料,负电子亲和势材料内部导带底高于表面真空能级,使得材料导带中的电子更易于从表面发射到真空中,因此该类型材料成为电子发射的理想材料。本文从定义、主要材料分类以及在冷阴极中的应用三个部分介绍了负电子亲和势材料,并对该材料应用的瓶颈和未来发展方向做了简要总结。; 朱韬远魏贤龙; 关键词：负电子亲和势电子发射冷阴极

一种实时控制NEA GaN光阴极负电子亲和势的方法: 本发明提供一种实时控制NEA GaN光阴极负电子亲和势的方法，具体为：建立温度校准的公式模型；获取样品激活层吸附原子的极化率、激活层原子和发射层原子形成偶极矩和温度T<Sub>0</Sub>，多次测量T<Sub>0</S...; 王晓晖王振营张一帆

光和电注入变带隙AlGaAs/GaAs负电子亲和势阵列阴极理论建模和结构特性分析: 2022年; 为了使具备光和电注入AlGaAs/GaAs负电子亲和势(NEA)阵列阴极获得较高的发射电流效率,基于变带隙发射阵列中电子输运的二维连续性方程,利用有限体积法进行数值求解和仿真,得到发射电流和发射电流效率.通过仿真得到既适合光注入又合适电注入的各层最佳参数范围.结果表明,选择占空比为2/3的阵列微纳米柱,获得光注入阴极的最佳入射光角度范围为10°—30°;光注入(电注入)情况下P型变带隙AlGaAs层阵列微纳米柱高度范围为0.3—0.6μm(0.1—0.3μm),N型变带隙AlGaAs层、N型AlGaAs层以及P型AlGaAs层最佳厚度范围分别为0.5—2.5μm(2—3μm),0.5—1.0μm(0.8—1.2μm)和0.2—0.5μm(0.1—0.3μm);P型AlGaAs层和N型AlGaAs层最佳掺杂浓度范围分别为5×10^(18)—1×10^(19) cm^(-3)(1×10^(18)—5×10^(18) cm^(-3))和1×10^(18)—5×10^(18) cm^(-3)(5×10^(17)—1×10^(18) cm^(-3)).光注入下发射电流效率最大为35.04%,单位长度最大发射电流为10.3 nA/μm;电注入下发射电流效率最大为31.23%,单位长度最大发射电流105.5μA/μm.; 邓文娟周甜王壮飞吴粤川彭新村邹继军; 关键词：光注入电注入

一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法: 本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极，以n型GaAs作为衬底层，首先在该衬底层上顺序生长Al组分由0开始呈线性递增和n型掺杂浓度按指数递减的n型变带隙AlGaAs电子提供层，再依次生长n型A...; 邹继军张涛彭新村邓文娟; 文献传递

一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法: 本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极，以n型GaAs作为衬底层，在该衬底层上顺序生长Al组分由低到高呈线性递增的n型变带隙AlGaAs电子提供层、n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs...; 邹继军张涛彭新村邓文娟; 文献传递

负电子亲和势GaAs光电阴极Cs/NF3激活技术及特性评估研究: GaAs光电阴极因发射电子角度集中、自旋极化率高和量子效率高等优点，被应用于微光夜视和高能物理等领域。GaAs光电阴极的稳定性是描述其性能好坏的重要参数，适当的激活工艺可以提高其稳定性。为了提高GaAs光电阴极的激活工艺...; 戴庆鑫; 关键词：GAAS光电阴极第一性原理

负电子亲和势冷阴极X射线管: 本发明为一种负电子亲和势冷阴极X射线管，其特征在于：冷阴极由电发射型的负电子亲和势冷阴极构成，其中冷阴极材料含有P‑N结，无须外加光源即可产生真空电子发射；X射线管靶材位于管壳阳极；冷阴极和阳极靶材采用冷铟封接，整管真空...; 王旺平马建一申屠军; 文献传递

反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究被引量：1: 2017年; 从变掺杂负电子亲和势(NEA)Ga N光电阴极材料的光电发射机理入手,给出了反射式变掺杂NEA Ga N光电阴极内建电场和量子效率的计算公式.利用初步设计的变掺杂NEA Ga N光电阴极,介绍了变掺杂NEA Ga N阴极的激活过程和激活光电流的变化特点.结合国内外典型的变掺杂NEA Ga N阴极的量子效率曲线,分析了Ga N光电阴极量子效率曲线的特点.结果显示:由于内建电场的存在,反射式变掺杂NEA Ga N光电阴极量子效率在240 nm处即可达到56%,在较宽的入射光波长范围内,阴极具有相对平稳的量子效率,量子效率值随入射光子能量的增加而增加,并且量子效率曲线在阈值附近表现出了明显的锐截止特性.; 乔建良徐源高有堂牛军常本康; 关键词：GAN 光电阴极量子效率

负电子亲和势GaN阴极光电发射机理研究被引量：1: 2016年; GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光电子的逸出过程;推导了Cs激活过程中到达阴极表面光激发电子的逸出几率公式;比较了仅用Cs激活和共用Cs/O激活过程中到达阴极表面光激发电子逸出几率的变化情况;结果表明:GaN阴极的光电发射为直接跃迁激发,输运阶段仅遭受电子-声子散射,表面光激发电子的逸出几率取决于激活程度,引入Cs是激活的必需因素,O的引入仅可小幅度提升光电发射效率;最后利用实验证实了Cs激活的充分性。; 李飙任艺常本康陈文聪; 关键词：负电子亲和势 GAN 光电阴极光电发射输运

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