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一种表面克尔效应测量装置
本实用新型公开了学技术领域的一种表面克尔效应测量装置,包括实验机构,所述实验机构表面固定连接有调节机构,所述实验机构包括操作台,所述操作台上部固定连接有实验主机架,所述实验主机架表面安装有实验主机本体,所述调节机构...
顾晨狄魁侯永超何臻昀陈柏全
测量Ga0.95Mn0.05As薄膜材料学性质的实验系统——基于反常霍尔效应表面克尔效应
2015年
利用反常霍尔效应克尔效应,我们搭建了一套可以自动完成数据采集的电学和学测试系统,成功表征了厚度为20 nm的Ga(0.95)Mn(0.05)As薄膜的性行为。进一步地综合比较了对同一个薄膜样品中极向、纵向克尔效应与反常霍尔效应在测量上的优劣,为弱性材料学性质的测量提供了有益的参考。
蒋笑寒陈宜保梁昌林来旭波张留碗
关键词:半导体自旋电子学稀磁半导体反常霍尔效应磁光克尔效应
利用表面克尔效应监测Ni薄膜生长的物相转变被引量:2
2012年
利用控溅射方法制备了不同厚度和退火处理的Ni薄膜.表面克尔效应研究表明:冷基底无退火处理的Ni薄膜为软性,退火处理的Ni薄膜为铁性质,且无退火处理的Ni金属膜性随膜厚的增加而增强.分析认为,冷基底条件下Ni膜是非晶态生长,且膜内存有大量缺陷,经退火处理的Ni膜发生了重融再生长,形成了大颗粒结晶,膜内晶粒内缺陷大量消失.
石绍华欧阳雨李道勇曹伟然
关键词:磁控溅射表面磁光克尔效应
对原位表面克尔效应进行测量的系统及方法
本发明公开了一种在铁性薄膜制备过程中对原位表面克尔效应进行测量的系统,包括分子束外延系统、具有特殊路的场控制系统、表面克尔效应测试系统和铁性薄膜样品;具有特殊路的场控制系统与分子束外延系统生长室的衬底...
赵建华姬扬郑厚植杨威鲁军
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对原位表面克尔效应进行测量的系统及方法
本发明公开了一种在铁性薄膜制备过程中对原位表面克尔效应进行测量的系统,包括分子束外延系统、具有特殊路的场控制系统、表面克尔效应测试系统和铁性薄膜样品;具有特殊路的场控制系统与分子束外延系统生长室的衬底...
赵建华姬扬郑厚植杨威鲁军
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一种新型大场纵向表面克尔效应测量系统被引量:6
2009年
基于克尔效应的测量技术已发展成为研究表面性的一种有效手段,它具有高精度、响应快、低成本等优点.介绍了一种新型大场纵向表面克尔效应测量系统,通过使用聚焦透镜来有效增大入射激的入射角,提高纵向克尔信号强度,减小极间距,实现了测量具有较大面内矫顽力的样品;同时通过引入分路系统来克服由于激强变化所导致的信号不稳问题.该系统测量精度较高,可以满足性薄膜及超薄膜的面内滞回线测量.
顾培培马斌张宗芝金庆原
关键词:磁光克尔效应磁滞回线
新型表面克尔效应实验测量系统被引量:1
2009年
用自制的表面克尔效应实验系统,研究了软铁薄膜的克尔旋转角和克尔椭偏率,并观察到它的畴结构变化.该系统采用先进的CCD成像数码技术,计算机图像处理技术以及可视化嵌入式编程技术,使操作和维护画面更加方便,直观.
杨永明张振彬许启明
关键词:表面磁光克尔效应计算机图像处理磁感应强度
一种大场纵向表面克尔效应测量装置
本发明属于学技术领域,具体为一种大场纵向表面克尔效应测量装置。该装置由电铁、程控铁电源、路系统、操作控制系统(PC机)组成,其中,路系统依次为半导体激器、起偏棱镜、半透半反棱镜、一检偏棱镜、一电探测器、...
马斌顾培培张宗芝金庆原
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表面克尔效应装置
本实用新型属于学技术领域,具体涉及一种表面克尔效应装置。由激器、偏振棱镜、分镜、探测器、运算放大器、单片机、计算机组成,在现有表面克尔效应装置的路系统中,在偏振棱镜和样品之间设置一个分镜,且在该分镜与...
胡顺全董国胜陈希江陆申龙
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一种新型表面克尔效应测量系统被引量:5
2007年
研制了一种新型的科研教学两用的表面克尔效应测量系统,给出了该测量系统的设计方案、结构、技术性能、实验原理及使用方法.该测量系统可用于器件、性薄膜及不同材料多层性薄膜特性参数的测量.
刘平安陈希江丁菲陆申龙
关键词:表面磁光克尔效应磁性磁滞回线

相关作者

刘平安
作品数:25被引量:47H指数:5
供职机构:河南大学
研究主题:风能 纳米发电机 磁滞回线 表面磁光克尔效应 转动惯量
丁菲
作品数:15被引量:43H指数:5
供职机构:河南大学
研究主题:上转换发光 YAG 磁滞回线 表面磁光克尔效应 YB:YAG晶体
陈希江
作品数:2被引量:5H指数:1
供职机构:复旦大学
研究主题:表面磁光克尔效应 磁滞回线 磁性薄膜 光电检测器 激光器电源
马斌
作品数:21被引量:13H指数:2
供职机构:复旦大学
研究主题:自旋阀 垂直磁各向异性 磁性薄膜 磁记录 C轴
郑厚植
作品数:144被引量:177H指数:8
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA