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一种有表面电子态区域的基于过渡金属硫化物的隧穿场效应管及其制备方法: 本发明涉及一种有表面电子态区域的基于过渡金属硫化物的隧穿场效应管及其制备方法，包括：沟道：在过渡金属硫化物的薄膜上制备有栅极和氧化层，氧化层和栅极覆盖的区域为沟道；沟道两端的电极：分别为源极和漏极；以及表面电子态区域：切...; 李元李鑫鸣陈杰智

表面增强拉曼光谱中表面电子态和振动态的理论研究: 表面等离激元共振在纳米尺寸的材料界面产生极大增强的光电场,使得实验中能够观测增强区域附近的各种电子及振动激发。特别是近年来人们发现等离激元产生热载流子,随后向分子的电子转移过程导致界面催化反应性能的提高。然而,现有的实验...; 金曦; 关键词：表面等离激元表面增强拉曼光谱

压力下纤锌矿氮化物三元混晶中电子-声子相互作用对表面电子态的影响: 2022年; 考虑电子-表面光学声子相互作用及流体静压力的影响,采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物三元混晶A_(x)B_(1-x)N(A,B=Al, Ga and In)中表面电子态问题。对纤锌矿Al_(x)Ga_(1-x)N,Al_(x)In_(1-x)N和In_(x)Ga_(1-x)N材料,导出了电子-表面光学声子相互作用系统的有效哈密顿量,数值计算了表面电子态能级及其移动量和电子-表面光学声子耦合常数分别随流体静压力和组分的变化关系。结果表明,考虑电子-表面光学声子相互作用后表面电子态能级会下降几十meV。随流体静压力的增加,材料晶格常数和禁带宽度的变化所引起的表面电子态能级的升降博弈导致表面电子态能级随流体静压力的变化比较复杂。而表面电子态能级随组分的变化是单调的。流体静压力下纤锌矿氮化物三元混晶中,电子-表面光学声子相互作用对表面电子态的影响不应被忽略,尤其是对于具有较宽禁带宽度和较强电子-声子耦合的材料。; 李根小闫祖威; 关键词：表面电子态流体静压力

椭圆形量子围栏的表面电子态: 2021年; 本文将椭圆形量子围栏作为二维无限深势阱来处理,找出能够恰当地描述电子势能的势能函数,并用定态薛定谔方程求解出围栏内电子的波函数及其概率密度,并给出椭圆形量子围栏的通解。; 杨爱云; 关键词：电子态马丢方程

液氦上表面电子态的外场调控: 液氦表面的电子作为一个理想的电子系统，提供了一个很好的研究二维电子性质的材料，同时具有非常好的应用前景。液氦表面电子的存在最早在60年代就在理论上进行了预测以及在实验上证实，并且之后对它的性质进行了详细的研究。液氦表面电...; 宋成

氮化物半导体电子—声子相互作用对表面电子态的影响及压力效应: 本文主要研究了电子—声子相互作用及压力对纤锌矿结构氮化物半导体表面电子态的影响。计入电子与表面光学声子相互作用，采用变分法讨论了半无限氮化物半导体表面电子态问题。利用类LLP中间耦合理论导出了系统的有效哈密顿量，获得了表...; 李根小; 关键词：氮化物半导体表面态

纤锌矿氮化物半导体中电子-声子相互作用对表面电子态的影响(英文): 2007年; 采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题.计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效哈密顿量,获得了电子表面态能级、电子与表面光学声子相互作用能量分别随表面势垒的变化关系.对GaN,AlN和InN进行了数值计算.结果表明,电子与表面声子的相互作用使电子的表面能级下降,并且纤锌矿结构的GaN和AlN中电子-声子相互作用能量较闪锌矿结构大,而对InN情况正好相反.在计算的所有材料中纤锌矿材料的电子表面能级比闪锌矿的低几百meV.电子与表面光学声子相互作用对表面电子态的影响不应被忽略.; 李根小闫祖威; 关键词：表面电子态电声子相互作用氮化物半导体

量子围栏中的表面电子态被引量：6: 2006年; 将量子围栏作为二维无限深势阱来处理,用定态Schr dinger方程求出其波函数,并对围栏中的表面电子状态进行了讨论,最后在这一理论模型基础之上用MATLAB 6.1对模型计算结果进行了模拟和讨论,较好地解释了量子围栏中的表面电子所展现出的波动现象.; 岳家兴; 关键词：表面电子态局域态密度

铜的表面电子态与物性的第一性原理计算研究: 本文对铜的表面电子态与物性的第一性原理计算进行了研究。文章对Cu(100)、Cu(111)与Cu(110)表面进行了第一性原理的理论计算;研究了Cu(111)台阶表面的驰豫和重构及其表面扩散势垒;研究了Cu(111)薄片...; 谢耀平; 关键词：凝聚态物理表面电子态

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