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薄膜谐振器的Mason电路模型
本发明适用于谐振器技术领域,提供了一种薄膜谐振器的Mason电路模型,包括:在建立的薄膜谐振器的原Mason模型中增加串联电阻R<Sub>s</Sub>和并联电阻R<Sub>p</Sub>,使得可以通过改变并联电...
李丽钱丽勋李宏军王胜福李亮郭松林张韶华张仕强徐佳马文涛王磊世娟杨亮王小维厉建国汪晓龙杨庆团时飞超
薄膜谐振器的Mason模型
本发明适用于谐振器技术领域,提供了一种薄膜谐振器的Mason模型,包括:在建立的薄膜谐振器的原Mason模型中增加串联电阻R<Sub>s</Sub>和并联电阻R<Sub>p</Sub>,使得可以通过改变并联电阻R...
李丽钱丽勋李宏军王胜福李亮郭松林张韶华张仕强徐佳马文涛王磊世娟杨亮王小维厉建国汪晓龙杨庆团时飞超
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一种薄膜谐振器
本实用新型公开了一种薄膜谐振器,包括:硅衬底,所述硅衬底上设有空;电极层,包括第一电极层和第二电极层,所述第一电极层设为石墨烯薄膜,所述第一电极层和第二电极层依次设在所述硅衬底上方,所述第一电极层和第二电极层的水平...
李国强
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一种薄膜谐振器及制备方法
本发明公开了一种薄膜谐振器及制备方法,其中谐振器包括:硅衬底,所述硅衬底上设有空;电极层,包括第一电极层和第二电极层,所述第一电极层设为石墨烯薄膜,所述第一电极层和第二电极层依次设在所述硅衬底上方,所述第一电极层和...
李国强
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制造薄膜谐振器滤波的方法及其电路
一种薄膜谐振器滤波(10),由多个形成在同一个薄膜(35)上的彼此连接的串联和并联薄膜谐振器(38)组成。每一个薄膜谐振器(38)由一普通的较低导电层形成,此导电层被限定形成每一个薄膜谐振器(38)的底...
L·-P·王E·巴-萨德V·劳J·赫克Q·马Q·特兰A·塔拉耶夫斯基E·金斯伯格
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AlN薄膜谐振器的制备及性能研究
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜谐振器,研究了件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,...
胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
关键词:薄膜腔声谐振器谐振频率
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AlN薄膜谐振器的制备及性能研究被引量:1
2007年
采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜谐振器,研究了件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构;件频率特性良好,谐振频率达1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能,明确了结构因素对件频率特性的影响,分析了其中的机制。
胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
关键词:薄膜腔声谐振器频率特性
A1N薄膜谐振器的制备及性能研究
采用体硅微细加工工艺制备了基于 AlN 压电材料的薄膜谐振器,研究了件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响.以 X 射线衍射仪、扫描电镜表征了 AlN 压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性.测...
胡宽顾豪爽张凯胡光吴小鹏熊娟
关键词:薄膜腔声谐振器频率特性
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AlN薄膜谐振器的制备研究
无线通信技术的迅速发展,对射频终端滤波性能提出了新的挑战。与传统的介质滤波和表波滤波相比,薄膜谐振器滤波因其工作频率高、功率容量大、损耗低、体积小、可与半导体硅工艺兼容等优势而被认为是最佳的GHz件解决方...
张凯
关键词:薄膜腔声谐振器氮化铝磁控反应溅射微机电系统
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薄膜谐振器滤波的制造
一种薄膜谐振器滤波(10),由多个形成在同一个薄膜(35)上的彼此连接的串联和并联薄膜谐振器(38)组成。每一个薄膜谐振器(38)由一普通的较低导电层形成,此导电层被限定形成每一个薄膜谐振器(38)的底...
L·-P·王E·巴-萨德V·劳J·赫克Q·马Q·特兰A·塔拉耶夫斯基E·金斯伯格
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相关作者

顾豪爽
作品数:204被引量:473H指数:10
供职机构:湖北大学
研究主题:铁电薄膜 ALN薄膜 水热法 BI 纳米纤维
胡光
作品数:12被引量:17H指数:2
供职机构:湖北大学
研究主题:薄膜体声波谐振器 氮化铝 ALN ALN薄膜 体声波谐振器
吴小鹏
作品数:9被引量:8H指数:2
供职机构:湖北大学物理学与电子技术学院
研究主题:ALN薄膜 ALN 薄膜腔声谐振器 制备及性能 磁控反应溅射
胡宽
作品数:10被引量:8H指数:2
供职机构:湖北大学物理学与电子技术学院
研究主题:ALN薄膜 ALN 薄膜腔声谐振器 制备及性能 磁控反应溅射
熊娟
作品数:42被引量:73H指数:4
供职机构:湖北大学
研究主题:ALN薄膜 ALN 制备及性能 体声波谐振器 钙钛矿