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高压VDMOS结 终端 技术 研究 2023年 结 终端 技术 进行研究。文中分析了场板、场限环、截止环、结 终端 扩展技术 以及横向变掺杂的基本设计方式和提升器件耐压的机理,并设计了一款600V高压VDMOS的复合终端 结 构,经封测及可靠性验证,性能稳定。关键词：场板 场限环 具有无结 终端 技术 功率半导体器件及制造方法和应用 结 终端 技术 功率半导体器件及制造方法和应用，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；漏端引入浮空场板，改善此处的曲率效应，提高耐压。...特大功率晶闸管结 终端 技术 对阻断电压的影响 被引量：2 2022年 结 终端 技术 进行仿真分析,并对仿真结 论进行试验验证,证实了具有双负斜角结 构的特大功率晶闸管,其结 终端 技术 的负斜角角度和造型深度对结 终端 空间电荷区的扩展和电场分布有重要影响,从而影响阻断电压。只有负斜角角度和造型深度都在优化值时,才能获得兼具高可靠性和高稳定性的晶闸管最高阻断电压。关键词：结终端技术 阻断电压 具有无结 终端 技术 功率半导体器件及制造方法和应用 结 终端 技术 功率半导体器件及制造方法和应用，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空等势场板阵列；漏端引入浮空场板，改善此处的曲率效应，提高耐压。...氧化镓高功率肖特基二极管的制备及结 终端 技术 研究 关键词：氧化镓 结终端技术 IGBT领域结 终端 技术 申请人的专利分析 被引量：2 2018年 结 终端 技术 对于IGBT等高压功率半导体器件有着重要意义,本文主要从该领域的申请人以及重要申请人的技术 入手,分析该领域的专利申请状况,并对一些重要技术 进行了分析。关键词：结终端 申请人 VDMOS结 终端 技术 对比研究 被引量：2 2016年 结 构中的特定pn结 反偏击穿电压,由于pn结 特性,击穿通常发生在结 终端 。随着结 终端 技术 的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前常用的结 终端 技术 的结 构及工作原理,包括场限环技术 、p+偏移技术 、横向变掺杂技术 、结 终端 扩展技术 和RESURF技术 。重点探讨了每种方法的优缺点,并指出几种结 终端 技术 不同的设计难度、工艺控制和实现要点等。同时固定元胞设计,采用不同的结 终端 技术 试制了600 V VDMOS产品,对比了采用不同结 终端 技术 制作芯片的工艺制造以及成本,可为实际的制造生产提供理论指导。关键词：结终端 一种带埋层的新型结 终端 技术 被引量：1 2016年 技术 由于环的个数较多,占用芯片面积较大,导致终端 的效率很低。为了改善这一缺点,提出了一种带P–埋层的新型高压终端 技术 ,有效降低了主结 边缘处的电场集中,提高了击穿电压。仿真结 果表明,该结 构的击穿电压达到3 439 V,终端 的长度为1 000μm,较常规的场限环结 构1 500μm(英飞凌公司3 300 V产品)节省了近30%的终端 面积。关键词：电场 击穿电压 终端技术 场限环 高压功率器件结 终端 技术 分析与新结 构研究 技术 的基础与核心，其具有高耐压、导通电流密度大的特点，提高功率器件的耐压能力是器件设计中最重要的任务之一。而结 终端 的设计对高压功率器件的性能影响很大，因此，本文主要对结 终端 进行研究并得出了一些相关结 ...关键词：高压功率器件 结终端 击穿电压 模拟仿真 4H-SiCBJT功率器件特性及结 终端 技术 研究 关键词：结终端技术 击穿特性 文献传递
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