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- 季鲁李天赐梁雪连郭蓉赵海廷何明
- 具有降低的杂散电感的约瑟夫森结
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- 请求不公布姓名请求不公布姓名贾志龙
- 基于超导桥结的约瑟夫森结阵列制备方法及结构
- 本申请涉及一种基于超导桥结的约瑟夫森结阵列制备方法及结构。通过多个纳米桥使得多个第一超导引线薄膜子结构形成了单一层超导薄膜的超导桥结阵列,获得约瑟夫森结阵列结构。由于约瑟夫森结阵列结构通过多个第一超导引线薄膜子结构形成,...
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- 10 V可编程约瑟夫森结阵特性与激励系统研究
- 2025年
- 研究了10 V可编程约瑟夫森结阵的结构和低温超导特性,分析了10 V可编程结阵的激励算法和激励系统结构,提出了数字多用表的结阵超导特性扫描方法,与传统基于示波器的观测方法相比,大幅提升了结阵超导特性扫描和评估的准确性。实验结果表明,各子阵列的临界电流均大于4 mA,在注入微波后,各子阵列正向和负向量子电压台阶宽度均大于1.5 mA,设计和研制的10 V可编程结阵激励和超导特性扫描系统,能够较好地为10 V约瑟夫森结阵提供激励,为开展无液氦10 V量子电压系统的研究奠定了基础。
- 王曾敏李红晖段梅梅吴然王思云廖福剑王磊
- 关键词:电学计量
- 一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件及其制备方法
- 本发明提供一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件及其制备方法,通过改进约瑟夫森结的制作工艺,在对光刻胶剥离的过程中,加入有机清洗工艺,使得进行连续堆积形成的侧墙能够被去除,提高了后续沉积的薄膜质量,使得SQUID输出曲线不...
- 荣亮亮毛海洋张国峰代晓俊董慧
- 约瑟夫森结器件、约瑟夫森结电路以及超导量子芯片
- 本实用新型公开了一种约瑟夫森结器件、约瑟夫森结电路以及超导量子芯片。约瑟夫森结器件包括:第一超导板,形成于衬底上,具有相对预设方向倾斜的第一边缘以及与预设方向垂直的第二边缘;第二超导板,位于第一超导板上,与第一超导板之间...
- 请求不公布姓名请求不公布姓名贾志龙
- 一种约瑟夫森结及其制备方法
- 本申请提供了一种约瑟夫森结及其制备方法。该制备方法包括:提供SOI掩膜和基片,SOI掩膜具有贯穿SOI掩膜的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口,第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口具有至少一个相交区域;将SOI掩膜固定在基片上;在第一刻蚀...
- 请求不公布姓名请求不公布姓名赵勇杰
- 具有NbN SNS约瑟夫森结的超导集成电路及其制备方法
- 本发明提供一种具有NbN SNS约瑟夫森结的超导集成电路及其制备方法,该超导集成电路包括衬底、功能层、第一隔离层、第一配线部、第二配线部、第二隔离层、第一接地材料层及第二接地材料层,其中,衬底包括基底层及缓冲层,功能层位...
- 张露陈垒王镇
- 一种超导量子约瑟夫森结及其制备方法
- 本发明公开了一种涉及量子芯片领域,特别是一种超导量子约瑟夫森结及其制备方法,通过在衬底上设置第一超导金属层;对所述第一超导金属层图形化,得到超导金属图形;在所述超导金属图形表面设置第一绝缘层;所述第一绝缘层覆盖所述超导金...
- 郑伟文
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- 李劲劲

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- 供职机构:中国计量科学研究院
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- 应利良

- 作品数:103被引量:23H指数:2
- 供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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