搜索到2067篇“ 紫外光电探测器“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
基于ZnMgO铁电调控的紫外光电探测器
本发明涉及半导体光电探测器技术领域，尤其涉及一种基于ZnMgO铁电调控的紫外光电探测器。探测器包括：由下至上依次紧密堆叠的衬底、导电层、ZnMgO铁电调控层和肖特基接触电极；所述ZnMgO铁电调控层中Mg的含量为10~5...
刘可为周福旺朱勇学杨佳霖陈星程祯李炳辉申德振
一种砷化镓/β相氧化镓异质结紫外光电探测器的制备方法
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种砷化镓/β相氧化镓异质结紫外光电探测器及制备方法。制备方法包括以下步骤：在砷化镓衬底上PLD生长β相氧化镓薄膜；在砷化镓衬底下表面沉积一层第一金属材料；在β相氧化镓薄膜表面沉积一层...
李亚丹王相虎施华
一种紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电子器件领域。该紫外光电探测器，包括外延层、沟道层、势垒层、介质层、阴电极和阳电极；其中，外延层、沟道层和势垒层自下而上层叠设置；沟道层和势垒层形成透明电极；阳电极...
李佳媛黎伟正罗祎航黄永
紫外光电探测器及其制备方法
本发明提供一种紫外光电探测器及其制备方法，紫外光电探测器包括：碳化硅衬底；石墨烯沟道，由外延生长在碳化硅衬底上的石墨烯材料构成，石墨烯材料在拉曼光谱中的D峰与G峰的强度比不大于0.25；两个金属电极，设置在碳化硅衬底上且...
马雷王雪马彦青靳炜唐曹
一种横向光电化学型日盲紫外光电探测器的制备方法
一种横向光电化学型日盲紫外光电探测器的制备方法，属于探测器制备技术领域。所述方法为：用掩膜版掩盖一部分导电衬底，在未掩盖的部分制备光敏材料；取下掩膜版，在导电衬底露出的部分上制备对电极，并在对电极位置上打孔穿透电极和衬底...
矫淑杰
一种宽带隙半导体复合黑色素的紫外光电探测器及其制备方法
一种宽带隙半导体复合黑色素的紫外光电探测器及其制备方法，本发明属于紫外光探测领域。解决现有有机‑无机生物混合光电探测器较难实现紫外波段的弱光的探测，光电转换效率低，且有机生物材料集成到纳米材料中时改性方法复杂的问题。紫外...
李庆宏孙万海郭章伟唐建坤曾迪刘涛郭娜张晶王腾飞柳凯祥罗光灿董家亮罗胜耘
一种双p层碳化硅p-i-n紫外光电探测器及制备方法
一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p...
刘庚姚亮刘颖洪荣墩付钊张锐军刘佳
阵列互联的CsPbCl<SUB>3</SUB>紫外光电探测器及其制备方法
本发明属于微纳制造与光电子器件领域，并具体公开了一种阵列互联的CsPbCl<SUB>3</SUB>紫外光电探测器及其制备方法，包括步骤：S1在衬底上制备十字交叉型电极阵列；S2采用光刻套刻工艺进行CsCl前驱体掩膜版图形...
廖广兰张许宁刘智勇孙博刘星月叶海波
一种基于类钙钛矿CsAg<SUB>2</SUB>I<SUB>3</SUB>多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于类钙钛矿CsAg<SUB>2</SUB>I<SUB>3</SUB>多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法，属于多晶薄膜新材料制备技术以及光电探测器技术领域。该探测器使用CsAg<SUB>2</S...
桂鹏彬汪鑫魏新建宋杰军张亚鹏王思亮曾玮黄志祥
一种紫外光电探测器及其制备方法与应用
本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法与应用。上述紫外光电探测器，包括以下结构：衬底层；GaN半导体层，上述GaN半导体层设于上述衬底层的上表面；N型半导体层，上述N型半导体层设于上述GaN半导体层的上表面；欧姆电极...
宋伟东郭越马博新
加载更多 ∨

相关作者

吴正云
作品数：84被引量：98H指数：5
供职机构：厦门大学
研究主题：4H-SIC 紫外光电探测器 雪崩光电探测器 光电子学 半导体光电探测器
洪荣墩
作品数：27被引量：3H指数：1
供职机构：厦门大学
研究主题：紫外光电探测器 4H-SIC 碳化硅 雪崩光电探测器 增层
蔡加法
作品数：54被引量：54H指数：4
供职机构：厦门大学
研究主题：紫外光电探测器 4H-SIC 光致发光 光电子学 气凝胶
张荣
作品数：849被引量：595H指数：10
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 蓝宝石 MOCVD 氢化物气相外延
张峰
作品数：62被引量：2H指数：1
供职机构：厦门大学
研究主题：紫外光电探测器 集电区 电极 雪崩 碳化硅