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等离子体刻蚀被引量：1
1998年
本文介绍了等离子体刻蚀的概念、优点和应用,刻蚀的物理机制和稠密等离子体源与器件损伤.
刘之景
关键词：等离子体刻蚀物理机制集成电路制造
等离子体刻蚀腔室盖板
本实用新型提供一种等离子体刻蚀腔室盖板，在其侧壁上设置开口宽度大于槽底宽度的环状搬运槽，以通过环状搬运槽对等离子体刻蚀腔室盖板进行安装及搬运，其中，呈环状的搬运槽可便于工作人员调整搬运位置，加大手指与等离子体刻蚀腔室盖板...
卢森徐胜
刻蚀方法及等离子体刻蚀装置
本发明公开了一种刻蚀方法及等离子体刻蚀装置，其中，刻蚀方法包括：提供一反应腔，所述反应腔内放置一基片；刻蚀步骤：在0℃以下刻蚀所述基片；升温步骤：将基片升温至60℃以上，使沉积于所述基片上的副产物以气态形式排出；所述刻蚀...
张凯徐伟娜侯剑秋吴紫阳张一川
一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置
本发明公开了一种等离子体扩散装置，其特征在于，包括：中空的端口放大装置(1)，所述端口放大装置(1)的进口端用于与等离子体源输出端密封连接，所述端口放大装置(1)的进口的面积小于出口的面积；栅栏(5)，所述栅栏(5)安装...
周腾邱克强刘正坤徐向东洪义麟付绍军
一种反应腔清洁方法及等离子体刻蚀设备
本发明公开了一种反应腔清洁方法及等离子体刻蚀设备，在所述反应腔内处理基片后，清洁所述反应腔内的残留物，包括：向所述反应腔内通入第一混合气体，将所述第一混合气体解离为等离子体，所述第一混合气体包括Cl<SUB>2</SUB...
黄秋平刘身健
等离子体刻蚀设备、刻蚀机台、聚焦环及其顶升结构
本发明涉及一种等离子体刻蚀设备、刻蚀机台、聚焦环及其顶升结构，该聚焦环包括多个层叠设置的环体，各个所述环体相互独立地设置，位于最上层的所述环体的轴向尺寸大于所述聚焦环所允许的最大顶升高度，本发明提供了一种分体式的聚焦环，...
尹格华刘海洋刘小波许跃跃车东晨胡冬冬石小丽许开东
一种等离子体刻蚀工艺的仿真方法、装置和设备
本发明公开一种等离子体刻蚀工艺的仿真方法、装置和设备，涉及等离子体刻蚀技术领域，以解决现有技术中等离子体刻蚀工艺仿真时刻蚀轮廓预测不精确的问题。方法包括：获取等离子体刻蚀工艺仿真模型的模型输入参数；基于元胞法得到对应的刻...
陈睿翟宇轩呼子义葛瑞
一种基片的预处理方法及等离子体刻蚀装置
本发明公开了一种基片的预处理方法及等离子体刻蚀装置。该方法包括：提供一半径为R的基片，其包含衬底和位于所述衬底上待处理的掩膜层；掩膜层至少包括环形的边缘区域；将基片置于等离子体刻蚀装置的反应腔中，偏置射频功率设置为0～5...
邓璟雯黄振华陈超饶建成
用于等离子体刻蚀的气体、气体组合、刻蚀方法及设备
本发明提供了一种用于等离子体刻蚀的气体、气体组合、刻蚀方法及半导体设备，属于等离子体刻蚀领域，主要利用在刻蚀过程中通过提供羰基卤化物、醛基卤化物、羧基卤化物中的一种或多种作为工艺气体，激发形成等离子体，对待刻蚀层进行刻蚀...
张凯徐伟娜侯剑秋吴紫阳张一川
一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法
本发明公开了一种分子动力学模拟卤素等离子体刻蚀硅或二氧化硅的方法；所述方法为：通过硅或二氧化硅衬底材料建模、LAMMPS软件初始化设置、等离子体刻蚀循环、数据输出与分析处理；本发明的方法利用分子动力学的方法在原子尺度上模...
周航伍莹丁孙安
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李俊峰
作品数：526被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
顾长志
作品数：321被引量：235H指数：9
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：金刚石膜 衬底 金刚石 石墨烯 金刚石薄膜
刘明
作品数：1,378被引量：409H指数：11
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
张大明
作品数：442被引量：337H指数：9
供职机构：吉林大学
研究主题：包层 波导 热光开关 聚合物光波导 阵列波导光栅
匡同春
作品数：175被引量：700H指数：15
供职机构：华南理工大学
研究主题：硬质合金 金刚石膜 CVD 刀具 涂层刀具