搜索到2390篇“ 离子敏场效应晶体管“的相关文章
- 离子敏场效应晶体管被引量：4
- 1995年
- 近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。
- 丁辛芳牛蒙年
- 关键词：场效应晶体管
- 双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法
- 本发明属于传感器技术领域，公开了一种双平面栅钾离子敏场效应晶体管及其制备方法，包括双平面栅场效应晶体管和扩展栅极。双平面栅场效应晶体管包括基底，基底上设置下介电层，下介电层上依次排列设置第一平面栅极、源极、半导体层、漏极...
- 景蔚萱李泽昊杨振伟唐昊吴阳光
- 一种锂离子固体场效应晶体管及其制备方法
- 本申请实施例涉及离子固体器件技术领域，特别涉及一种锂离子固体场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底以及堆叠在衬底上的栅介质层、分别位于栅介质层的两端的源极、漏极，以及位于栅介质层的上方的沟道层；沟道层的材料为锂离子...
- 李文杰宋世璇杨春雷胡航炜王子龙吴莉芸罗杰余庆冯勃晗霍少伟
- 离子敏感场效应晶体管与延展式场效应生物检测芯片
- 针对现有二维离子敏感场效应晶体管与延展式栅极场效应晶体管的缺点与限制，提出一种离子敏感场效应晶体管与一种延展式场效应生物检测芯片。除了将栅极往芯片上方延伸或是在栅极上配置金属内连接，让与待检测生物样本进行反应的区域远离晶...
- 阎宗汉 彭之荣 黄念祖 陈昌汉 陈禹铨 王良德 张建荣
- 一种基于三元反应机制的离子敏感场效应晶体管
- 本发明公开了一种基于三元反应机制的离子敏感场效应晶体管，属于集成电路技术领域，所述离子敏感场效应晶体管，包括体硅衬底、氧化埋层、沟道、源极、漏极、栅氧化介质层、栅极和绝缘层；所述氧化埋层设于体硅衬底上，所述沟道设于氧化埋...
- 陈秋梦李卫蔡志匡王海华
- 一种离子敏场效应晶体管型pH传感器及其制备方法
- 本发明涉及一种离子敏场效应晶体管型pH传感器及其制备方法，包括衬底(1)、绝缘层(2)、敏感膜为RuO<Sub>2</Sub>‑Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>的有源层(3)、漏电极(4)以及源电极...
- 李曼曼金妍吕旖雯徐丘雨
- 栅极对微/纳等离子体场效应晶体管性能影响的仿真研究
- 2022年
- 得益于等离子体器件和半导体工艺技术的不断融合,微/纳等离子体场效应器件已逐步得到了人们的重视与关注,近年来在输出功率、开关速度等性能方面得到了极大提升。但该种器件存在工作电压高、电极易损坏等问题,直接影响了其工作寿命和可靠性,阻碍了实用化发展。目前有研究初步发现,引入栅极结构可以调控微/纳等离子体场效应器件电极间隙内的电子浓度与分布,是降低器件工作电压、增大器件输出电流的有效方法。本文设计了不同栅极宽度与栅极数目结构的微/纳等离子体场效应晶体管,解决了Comsol仿真存在的大气压亚微米级别间隙下仿真不收敛的问题,实现了对栅压、栅极宽度、栅极数目对器件工作性能的影响研究。结果表明,增大栅极负压、加宽栅极宽度、增多栅极数目能有效地降低器件工作电压、提升工作电流,对于提高微/纳等离子体场效应晶体管实用化有重要的帮助。
- 赵海全黄瑞涵陈飞良魏亚洲赵键澎李沫张健
- 关键词：场发射栅极工作电压输出电流
- 离子敏感场效应晶体管及其形成方法
- 本发明提供一种离子敏感场效应晶体管及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有层间介质层；在所述层间介质层上形成顶层金属层和阻挡层，所述阻挡层位于所述金属层上；在所述阻挡层上形成第一敏感层；在所述第一敏...
- 伏广才蒋沙沙崔强
- 离子敏感场效应晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种离子敏感场效应晶体管，包括：衬底；紧贴所述衬底的上表面向内构建有漏极和源极，所述漏极沿上表面方向包覆源极，且源极和漏极之间互不接触；和/或源极沿上表面方向包覆漏极，且源极和漏极之间互不接触；所述外延层在源...
- 呼红阳毕津顺 习凯
- 一种离子敏感场效应晶体管的建模策略
- 2021年
- 基于半导体仿真软件TCAD设计了一种离子敏感场效应晶体管的模型,首先介绍了离子敏感场效应晶体管的结构及工作原理,其次分析了敏感场效应晶体管在仿真中存在的难题,在此基础上提出了相应的建模方式,最后在TCAD中成功搭建了仿真模型,通过仿真敏感场效应晶体管的灵敏度验证了该模型的准确性,解决了TCAD无法模拟溶液的难题,为离子敏感场效应晶体管的研究开辟了新的道路。
- 马逸晨杨正茂
- 关键词：TCADPH传感器灵敏度
